3.3. Dielectric propertiesFig. 4 gi

3.3. Dielectric properties

Fig. 4 gives the relative permittivity (er) and loss (tand) of BaTiO3 thin films measured at room temperature as a function of frequency. These films were deposited under the following parameters: 160 W, 5% O2, and the sub-strates temperature was set at 625 1C. The working pressure was set at 2.9 Pa, 3.5 Pa, 4.0 Pa and 4.5 Pa, respectively.

Fig. 5 gives the relative permittivity and loss tangent of BaTiO3 thin films at 10 kHz. The film deposited under 4.5 Pa shows the improved properties with the relative permittivity of 630 and the loss of 2%.

The relative permittivity of BaTiO3 thin films increases with working pressure. In BaTiO3 ceramics, the relative permittivity decreases with increasing grain size. However, the tendency is reversed when the grain size is below a critical point, usually 1.1 mm [12]. In this work, the average grain size of BaTiO3 thin films was below 100 nm and the relative permittivity increases with grain size. As mani-fested in Fig. 4, the relative permittivity decreases in the high frequency range and the loss increases obviously in this range. The possible reasons are the hypothesis of the influence of the contact resistance between the probe and the electrode and the electrode resonance due to high relative permittivity [13]. Similar frequency dispersion phenomenon was also reported in other ferroelectric thin films [14]. The dissipation factor in BaTiO3 thin films is mainly caused by the contribution of the domain wall pinning, space charge polarization, interfacial diffusion, as well as secondary phases [15]. The dielectric loss remains low and steady as frequency is below 100 kHz.

The result suggests that the BaTiO3 thin films are promising candidates for applications in thin film MLCCs [16].

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

3.3 คุณสมบัติเป็นฉนวนรูป 4 ให้ญาติ permittivity (เอ้อ) และการสูญเสีย (tand) BaTiO3 ฟิล์มบางวัดที่อุณหภูมิห้องเป็นฟังก์ชันของความถี่ ภาพยนตร์เหล่านี้ถูกฝากภายใต้พารามิเตอร์ต่อไปนี้: 160 W, 5% O2 อุณหภูมิ strates ย่อย และตั้งค่าที่ 625 1C. ตั้งความดันทำงานที่ 2.9 Pa, 3.5 Pa, 4.0 4.5 และ Pa Pa ตามลำดับรูปที่ 5 ให้ permittivity ญาติและขาดทุนแทนเจนต์ของ BaTiO3 ฟิล์มบางที่ 10 kHz ฟิล์มฝากต่ำกว่า 4.5 Pa แสดงคุณสมบัติดีขึ้นกับ relative permittivity ของ 630 และสูญเสีย 2%Permittivity ญาติ BaTiO3 ฟิล์มบางที่เพิ่มขึ้นกับความดันทำงาน ใน BaTiO3 เซรามิก permittivity สัมพัทธ์ลดลง ด้วยการเพิ่มขนาดเกรน อย่างไรก็ตาม แนวโน้มจะกลับเมื่อขนาดของเกรนอยู่ด้านล่างจุดสำคัญ โดยปกติ 1.1 มม. [12] ในงานนี้ ขนาดเมล็ดเฉลี่ยของ BaTiO3 ฟิล์มบางได้ต่ำกว่า 100 นาโนเมตรและ permittivity สัมพัทธ์เพิ่มขึ้นกับขนาดเม็ด Permittivity สัมพัทธ์เป็นมณี-fested ในรูปที่ 4 ลดลงในช่วงความถี่สูง และการสูญเสียเพิ่มขึ้นเห็นได้ชัดในช่วงนี้ สาเหตุมีสมมติฐานของอิทธิพลของความต้านทานการติดต่อระหว่างหัววัด และอิเล็กโทรด และการสั่นพ้องของอิเล็กโทรดเนื่องจากญาติ permittivity สูง [13] ยังรายงานปรากฏการณ์การกระจายความถี่คล้ายกับในภาพยนตร์อื่น ๆ บาง ferroelectric [14] คูณกระจายในฟิล์มบางของ BaTiO3 ส่วนใหญ่สาเหตุของการตรึงผนังโดเมน พื้นที่ค่าโพลาไรซ์ กระจายแรง เป็นระยะรอง [15] การสูญเสียอิเล็กทริกยังคงต่ำ และคงที่เป็นความถี่ต่ำกว่า 100 kHzผลลัพธ์แสดงให้เห็นว่า ฟิล์มบางของ BaTiO3 จะสมัครสัญญาสำหรับโปรแกรมประยุกต์ในฟิล์มบาง MLCCs [16]

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

3.3 คุณสมบัติเป็นฉนวน

รูป 4 ให้ญาติ permittivity (ER) และการสูญเสีย (tand) ของฟิล์มบาง BaTiO3 วัดที่อุณหภูมิห้องเป็นหน้าที่ของความถี่ ภาพยนตร์เหล่านี้ถูกวางไว้ตามพารามิเตอร์ต่อไปนี้: 160 W, 5% O2, และอุณหภูมิย่อย strates ที่ถูกตั้งไว้ที่ 625 1C ความดันการทำงานถูกกำหนดไว้ที่ 2.9 Pa 3.5 Pa, 4.0 และ 4.5 Pa Pa ตามลำดับ.

รูป 5 ให้ญาติ permittivity และการสูญเสียแทนเจนต์ของฟิล์มบาง BaTiO3 ที่ 10 เฮิร์ทซ์ ภาพยนตร์ที่วางไว้ตามป่า 4.5 แสดงให้เห็นถึงคุณสมบัติที่ดีขึ้นกับ permittivity ญาติของ 630 และการสูญเสีย 2%.

permittivity ญาติของฟิล์มบาง BaTiO3 เพิ่มขึ้นกับความดันการทำงาน ในเซรามิก BaTiO3 ที่ยอมญาติลดลงด้วยขนาดของเมล็ดข้าวที่เพิ่มขึ้น แต่มีแนวโน้มที่จะกลับเมื่อขนาดของเมล็ดข้าวต่ำกว่าจุดวิกฤติมัก 1.1 มม [12] ในงานนี้มีขนาดเมล็ดเฉลี่ยของฟิล์มบาง BaTiO3 ต่ำกว่า 100 นาโนเมตรและเพิ่มขึ้น permittivity ญาติกับขนาดของเมล็ดข้าว ในฐานะที่เป็นมณี-fested ในรูป 4, permittivity ญาติลดลงในช่วงความถี่สูงและการสูญเสียที่เพิ่มขึ้นอย่างเห็นได้ชัดในช่วงนี้ สาเหตุที่เป็นไปได้คือสมมติฐานของอิทธิพลของความต้านทานการติดต่อระหว่างการสอบสวนและขั้วไฟฟ้าและอิเล็กโทรดเสียงสะท้อนเนื่องจาก permittivity ค่อนข้างสูง [13] ปรากฏการณ์การกระจายความถี่ที่คล้ายกันนอกจากนี้ยังมีรายงานในฟิล์มบางอื่น ๆ ferroelectric [14] ปัจจัยที่กระจายในฟิล์มบาง BaTiO3 ส่วนใหญ่เกิดจากผลงานของการตรึงผนังโดเมนพื้นที่รับผิดชอบโพลาไรซ์กระจาย interfacial เช่นเดียวกับขั้นตอนมัธยม [15] การสูญเสียอิเล็กทริกยังคงอยู่ในระดับต่ำและคงเป็นความถี่ต่ำกว่า 100 kHz.

ผลที่ได้แสดงให้เห็นว่าฟิล์มบาง BaTiO3 มีแนวโน้มผู้สมัครสำหรับการใช้งานใน MLCCs ฟิล์มบาง ๆ [16]

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

3.3 . สมบัติไดอิเล็กทริกรูปที่ 4 ให้ป้อนญาติ ( ER ) และขาดทุน ( tand batio3 ) ของฟิล์มบางวัดที่อุณหภูมิห้องเป็นฟังก์ชันของความถี่ ภาพยนตร์เหล่านี้ฝากภายใต้พารามิเตอร์ต่อไปนี้ : 160 W 5 % O2 และ Sub strates อุณหภูมิตั้งไว้ที่ 625 1C . ความดันไว้ที่ 2.9 pa pa pa 3.5 , 4.0 และ 4.5 PA ตามลำดับภาพที่ 5 ให้ป้อนญาติและการสูญเสียแทนเจนต์ของฟิล์มบาง batio3 10 กิโลเฮิรตซ์ ฟิล์มฝากภายใต้ 4.5 PA แสดงการปรับปรุงคุณสมบัติด้วยการป้อนญาติ 630 และการสูญเสีย 2 %การป้อนความสัมพันธ์ของฟิล์มบาง batio3 เพิ่มขึ้นกับความดัน . ใน batio3 เครื่องเคลือบ ป้อนสัมพัทธ์ลดลงเมื่อเพิ่มขนาดของเมล็ดข้าว อย่างไรก็ตาม แนวโน้มที่ถูกกลับรายการเมื่อเกรนต่ำกว่าจุดวิกฤติ ปกติ 1.1 มม. [ 12 ] ในงานนี้มีขนาดเกรนของฟิล์มบาง batio3 ต่ำกว่า 100 นาโนเมตร และญาติที่ป้อนเพิ่มขึ้นตามขนาดของเมล็ดข้าว เป็นมณี fested ในรูปที่ 4 , ป้อนสัมพัทธ์ลดลงในช่วงความถี่สูงและการสูญเสียที่เพิ่มขึ้นอย่างเห็นได้ชัดในช่วงนี้ เหตุผลที่เป็นไปได้คือ สมมติฐานของอิทธิพลของความต้านทานการติดต่อระหว่างการสอบสวน และขั้วไฟฟ้าที่ป้อนและเสียงสะท้อนจากญาติสูง [ 13 ] ความถี่กระจายคล้ายปรากฏการณ์มีฟิล์มบาง ๆเฟอร์โรอิเล็กทริก [ 14 ] การปัจจัยในฟิล์มบาง batio3 ส่วนใหญ่เกิดจากผลงานของผนังโดเมนให้พื้นที่ค่าโพลาไรเซชัน ระหว่างแพร่ รวมทั้งระยะทุติยภูมิ [ 15 ] การสูญเสียไดอิเล็กทริกที่ยังคงต่ำและคงที่เป็นความถี่ต่ำกว่า 100 กิโลเฮิรตซ์ผลการศึกษาพบว่าฟิล์มบาง batio3 เป็นผู้สมัครที่สัญญาสำหรับการประยุกต์ใช้ในฟิล์มบาง ๆ mlccs [ 16 ]