Next we would like to introduce the

Next we would like to introduce the performance of 0.2 m SIO-CMOS devices we developed using complete depletion type SIO structure transistors to overcome these issues and take advantage of the previously mentioned advantages

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ต่อไป เราอยากจะแนะนำประสิทธิภาพของอุปกรณ์ 0.2 m SIO CMOS ที่เราพัฒนาใช้จนหมดสมบูรณ์ชนิดของ SIO โครงสร้าง transistors เพื่อเอาชนะปัญหาเหล่านี้ และใช้ประโยชน์จากข้อดีดังกล่าวก่อนหน้านี้

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ต่อไปเราอยากจะแนะนำประสิทธิภาพการทำงานของอุปกรณ์ 0.2 m SIO-CMOS ที่เราพัฒนาขึ้นโดยใช้ชนิดพร่องสมบูรณ์ทรานซิสเตอร์โครงสร้าง SIO ที่จะเอาชนะปัญหาเหล​​่านี้และใช้ประโยชน์จากข้อได้เปรียบที่กล่าวถึงก่อนหน้านี้

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ต่อไปเราขอแนะนำการทำงานของอุปกรณ์ที่ใช้ sio-cmos 0.2 M เราพัฒนาเสร็จสมบูรณ์ชนิดของโครงสร้างเป็นทรานซิสเตอร์ที่จะเอาชนะปัญหาเหล่านี้และใช้ประโยชน์จากข้อได้เปรียบที่กล่าวถึงก่อนหน้านี้