Because of the thin island and low

Because of the thin island and low thermal conductive
BOX, temperature gradients in the islands [1,2] are high,
and cannot be ignored. However, most studies of
self-heating effects in SOI devices/circuits [3,4] have
been based on the isothermal assumption in the device
channel or thin island. In this study, thermal models for
SOI device and interconnect structures [2,5,6] are
applied to perform electrothermal simulation of basic
current mirror and CMOS amplifier structures,
accounting for temperature gradients in silicon islands.
To accurately describe the electrothermal behavior, the
thermal models are coupled with the BSIMSOI electrical
model in Spice. This approach gives more realistic
temperature distributions and heat flow to interconnects
than the single-node BSIMSOI thermal circuit [7]. In
addition, in multi-device structure on a single island of
SOI circuit structure, the proposed approach is able to
reasonably provide heat flow to various terminals and
the temperature distribution in the silicon island.

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เพราะเกาะบางและความร้อนต่ำเป็นสื่อกระแสไฟฟ้า
BOX การไล่ระดับสีอุณหภูมิในเกาะ [1,2]
สูงและไม่สามารถปฏิเสธ อย่างไรก็ตามการศึกษาส่วนใหญ่ของผลกระทบที่ตัวเองให้ความร้อนในอุปกรณ์ซอย / วงจร [3,4] ได้อยู่บนพื้นฐานของสมมติฐานisothermal ในเครื่องช่องทางหรือเกาะบาง ในการศึกษานี้รุ่นความร้อนสำหรับอุปกรณ์ซอยและโครงสร้างการเชื่อมต่อ [2,5,6] จะถูกนำไปใช้ในการดำเนินการจำลองelectrothermal พื้นฐานกระจกในปัจจุบันและโครงสร้างเครื่องขยายเสียงแบบCMOS, การบัญชีสำหรับการไล่ระดับสีอุณหภูมิบนเกาะซิลิกอน. เพื่อให้ถูกต้องอธิบายพฤติกรรม electrothermal ที่รุ่นความร้อนควบคู่ไปกับการไฟฟ้า BSIMSOI รูปแบบในเครื่องเทศ วิธีการนี้จะช่วยให้สมจริงมากขึ้นการกระจายอุณหภูมิและการไหลของความร้อนที่จะเชื่อมต่อกว่าโหนดเดียวBSIMSOI วงจรความร้อน [7] ในนอกจากนี้ในโครงสร้างหลายอุปกรณ์บนเกาะเดียวของโครงสร้างวงจรซอยวิธีการที่นำเสนอสามารถที่จะมีเหตุผลให้ไหลของความร้อนไปยังอาคารผู้โดยสารที่หลากหลายและกระจายตัวของอุณหภูมิในเกาะซิลิกอน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ส่วนของ the island ผู้ขาย low thermal conductive
box , temperature gradients in the islands [ 1,2 ] are สิ่งที่
( cannot : ignored . อย่างไรก็ตาม การศึกษาส่วนใหญ่ของตนเองความร้อน ผลในอุปกรณ์ /
[ ]
) ซอย 4 มาตั้งสมมุติฐาน อุณหภูมิในเครื่อง
ช่องทาง หรือเกาะบาง การศึกษารูปแบบความร้อนสำหรับอุปกรณ์และเชื่อมโครงสร้างซอย
[ ]
2,5,6ใช้เพื่อแสดงการศึกษาการจำลองพื้นฐาน
ปัจจุบันกระจกและโครงสร้าง CMOS เครื่องขยายเสียง
บัญชีสำหรับอุณหภูมิในเกาะซิลิคอน .
อย่างถูกต้องอธิบายพฤติกรรม electrothermal ,
แบบร้อน จะคู่กับ bsimsoi ไฟฟ้า
รูปแบบในเครื่องเทศ วิธีการนี้จะช่วยให้ข้อมูลเพิ่มเติม และการไหลของความร้อนอุณหภูมิมีเหตุผล

เพื่อเชื่อมกว่าโหนดเดียว bsimsoi ความร้อนวงจร [ 7 ] ใน
นอกจากนี้ในโครงสร้างอุปกรณ์หลายบนเกาะเดียวของ
โครงสร้างวงจรซอย , วิธีการที่เสนอสามารถให้การไหลของความร้อนให้เหมาะสม

การกระจายอุณหภูมิและขั้วต่างๆในซิลิคอนเกาะ