During high temperature anneal-ing,

During high temperature anneal-ing, the ITO film tends to achieve better crystallinity by growing in grain sizes, leading to a reduction in the amount of frain-boundary scattering of electrons and an increase in the conductivity [35,36].

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ในระหว่างหลอมอุณหภูมิสูง-ing ฟิล์ม ITO มีแนวโน้มที่จะ ให้ผลึกดี โดยเติบโตในขนาดเกรน นำไปสู่การลดจำนวนขอบเขต frain กระเจิงของอิเล็กตรอนและการเพิ่มขึ้นในการนำไฟฟ้า [35,36]

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ในช่วงที่มีอุณหภูมิสูงหลอมไอเอ็นจี, ฟิล์ม ITO มีแนวโน้มที่จะประสบความสำเร็จเป็นผลึกที่ดีขึ้นโดยการเจริญเติบโตในขนาดของเมล็ดข้าวที่นำไปสู่​​การลดลงของปริมาณของการกระเจิง Frain เขตแดนของอิเล็กตรอนและเพิ่มขึ้นในการนำไฟฟ้า [35,36] เป็น

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ในช่วงอุณหภูมิสูงหลอมไอเอ็นจี , ITO ภาพยนตร์มีแนวโน้มที่จะบรรลุกว่าผลึก โดยเติบโตในขนาดเมล็ดข้าว ทำให้เกิดการลดปริมาณของเฟรนขอบเขตการกระเจิงของอิเล็กตรอนและเพิ่มขึ้นในการนำ [ 35,36 ]