Flash memory properties of no-overw

Flash memory properties of no-overwrite and high random
I/O performance (comparatively to hard disks) favor
the shadow paging approach. A page in flash memory
has to be erased before it is written to. To hide the erase
latency, flash-based SSDs1 redirect the write to a free
page by invalidating the old one and using a mapping
table in the FTL (Flash Translation Layer) to remap the
page. So, a page is atomically updated in SSDs by simply
updating the mapping entry in the FTL mapping table.
Because of this simplicity provided by the FTL mapping
table, providing support inside SSDs for transactions is
attractive.
Recent research [4], [5], [6] proposes to support transactions
inside an SSD by introducing a new interface,
WriteAtomic, and providing multi-page update atomicity.
Transaction support in the SSD (i.e., embedded transaction
support) frees the system from high-overhead transaction
recovery support, and thus nearly doubles system
performance due to the elimination of duplicated log
writes [4], [5]. Unfortunately, these proposals support a
limited set of isolation levels; mainly, strict isolation, which
requires all transactions to be serialized, i.e., executed
one after another. This limits transaction concurrency
and hurts the usage of the storage device for transactions
for two reasons. First, different systems make different
tradeoffs between performance and consistency by allowing
different isolation levels among transactions [7].
Not supporting a wide variety of isolation levels makes
the system inflexible as it does not give the software
the ability to choose the isolation level. Second, strict
isolation limits the number of concurrent requests in the
SSD (as only one transaction can execute at a time) and

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

หน่วยความจำแฟลชคุณสมบัติ ของ no-overwrite และสูงแบบสุ่มโปรดปราน I/O ประสิทธิภาพ (ดีอย่างหนึ่งกับฮาร์ดดิสก์)วิธีการแบ่งหน้าเงา หน้าในหน่วยความจำแฟลชมีจะถูกลบออกก่อนที่มันจะถูกเขียน เมื่อต้องการซ่อนลบแอบแฝง SSDs1 ใช้แฟลชเปลี่ยนเส้นทางเขียนไปฟรีหน้ารองเก่า และใช้การแมปตาราง FTL (Flash แปลชั้น) จะแมปซ้ำหน้า ดังนั้น เพ atomically อยู่ใน SSDs โดยเพียงปรับปรุงรายการการแม็ปในตารางการแม็ป FTLเนื่องจากความเรียบง่ายนี้โดยการแม็ป FTLตาราง การให้การสนับสนุนภายใน SSDs สำหรับธุรกรรมน่าสนใจการวิจัยล่าสุด [4], [5], [6] เสนอเพื่อสนับสนุนธุรกรรมภายในมี SSD ด้วยอินเตอร์เฟซใหม่ แนะนำWriteAtomic และให้หน้าปรับปรุง atomicityสนับสนุน SSD (เช่น ฝังตัวธุรกรรมของธุรกรรมระบบธุรกรรมเหนือศีรษะสูงช่วยให้การสนับสนุน)สนับสนุนการกู้คืน และดังนั้น คู่ระบบเกือบประสิทธิภาพเนื่องจากการกำจัดบันทึกซ้ำเขียน [4], [5] อับ ข้อเสนอเหล่านี้สนับสนุนการแยกระดับ ชุดจำกัด ส่วนใหญ่ เข้มงวดแยก ซึ่งต้องธุรกรรมทั้งหมดต้องทำ อนุกรม เช่น ดำเนินการหนึ่งหลังจากที่อื่น นี้จำกัดเกิดธุรกรรมและเจ็บใช้อุปกรณ์เก็บข้อมูลสำหรับธุรกรรมด้วยเหตุผลสองประการ ระบบแรก แตกต่างกันให้แตกต่างกันยืนยันประสิทธิภาพและความสอดคล้องกัน โดยให้แยกต่างระดับระหว่างธุรกรรม [7]ไม่สนับสนุนระดับการแยกที่หลากหลายทำให้ระบบ inflexible เป็นมันไม่ได้ทำให้ซอฟต์แวร์ความสามารถในการเลือกระดับการแยก สอง เข้มงวดแยกจำกัดจำนวนการร้องขอพร้อมกันในการSSD (เป็นธุรกรรมเดียวสามารถดำเนินการในแต่ละครั้ง) และ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

แฟลชคุณสมบัติของหน่วยความจำไม่เขียนทับและสูงสุ่ม
I / O (เมื่อเทียบกับฮาร์ดดิสก์) จะใช้
วิธีเพจเงา หน้าหน่วยความจำแฟลช
จะต้องมีการลบก่อนที่จะถูกเขียนไปยัง หากต้องการซ่อนลบ
แฝงแฟลชตาม SSDs1 เปลี่ยนเส้นทางการเขียนฟรี
หน้าโดยไม่ถูกต้องคนเก่าและการใช้การทำแผนที่
ตารางในเร็ว (Flash เลเยอร์การแปล) เพื่อทำการแมป
หน้า ดังนั้นหน้าจะมีการปรับปรุงในอะตอม SSDs โดยเพียงแค่
การปรับปรุงรายการการทำแผนที่ในตารางการทำแผนที่ FTL.
เพราะความเรียบง่ายนี้จัดไว้ให้โดยการทำแผนที่ FTL
ตารางให้การสนับสนุนภายใน SSDs สำหรับการทำธุรกรรมเป็น
ที่น่าสนใจ.
การวิจัยที่ผ่านมา [4] [5] [6] ได้เสนอที่จะสนับสนุนการทำธุรกรรม
ภายใน SSD โดยการแนะนำอินเตอร์เฟซใหม่
WriteAtomic และการให้การปรับปรุงหลายหน้า atomicity.
สนับสนุนการทำธุรกรรมใน SSD (เช่นการทำธุรกรรมที่ฝัง
สนับสนุน) ช่วยให้ระบบจากการทำธุรกรรมสูงค่าใช้จ่ายใน
การสนับสนุนการกู้คืน และทำให้เกือบสองระบบ
ประสิทธิภาพการทำงานเนื่องจากการกำจัดของบันทึกซ้ำ
เขียน [4] [5] แต่น่าเสียดายที่ข้อเสนอเหล่านี้สนับสนุน
ชุด จำกัด ของระดับการแยก; ส่วนใหญ่แยกเข้มงวดซึ่ง
ต้องมีการทำธุรกรรมทั้งหมดจะได้รับการต่อเนื่องคือการดำเนินการ
อย่างใดอย่างหนึ่งหลังจากที่อื่น นี้จะช่วย จำกัด การทำธุรกรรมเห็นพ้อง
และเจ็บการใช้งานของอุปกรณ์จัดเก็บข้อมูลสำหรับการทำธุรกรรม
ด้วยเหตุผลสองประการ ประการแรกระบบที่แตกต่างที่แตกต่างกันทำให้
เกิดความสมดุลระหว่างประสิทธิภาพและความสม่ำเสมอโดยให้
ระดับการแยกความแตกต่างกันการทำธุรกรรม [7].
ไม่สนับสนุนความหลากหลายของระดับการแยกทำให้
ระบบไม่ยืดหยุ่นเท่าที่จะไม่ให้ซอฟต์แวร์
สามารถในการเลือกระดับแยก ประการที่สองที่เข้มงวด
แยก จำกัด จำนวนของการร้องขอพร้อมกันใน
SSD (เป็นเพียงหนึ่งในการทำธุรกรรมที่สามารถดำเนินการได้ตลอดเวลา) และ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

หน่วยความจำแฟลช คุณสมบัติไม่เขียนทับและสูงสุ่ม
I / O ประสิทธิภาพ ( เมื่อเทียบกับฮาร์ดดิสก์ ) โปรดปราน
เงาหน้าวิธีการ หน้าใน
หน่วยความจำแฟลชมีที่จะลบก่อนที่จะเขียนไป เพื่อซ่อน ลบ เวลาใช้แฟลช ssds1
, เปลี่ยนเส้นทางไปยังหน้าเว็บฟรี
เขียนโดย invalidating เก่า และการใช้ตารางการทำแผนที่
ใน FTL ( Flash ชั้นแปล ) เพื่อทำการแมป
หน้า ดังนั้นหน้านี้ atomically การปรับปรุงในตลาด โดยเพียงแค่
ปรับปรุงแผนผังรายการในการทำแผนที่ FTL โต๊ะ .
เพราะเรื่องนี้ความเรียบง่ายโดย FTL การทำแผนที่
ตารางการให้การสนับสนุนภายในตลาดสำหรับการทำธุรกรรมเป็น

น่าสนใจ งานวิจัยล่าสุด [ 4 ] , [ 5 ] [ 6 ] เสนอเพื่อสนับสนุนธุรกรรม
ภายใน SSD แนะนำอินเตอร์เฟซใหม่
writeatomic ปรมาณูหลายหน้า และให้ปรับปรุง .
ธุรกรรมสนับสนุนใน SSD ( เช่น สนับสนุนธุรกรรม
ฝัง ) ช่วยให้ระบบจากค่าใช้จ่ายสูงในธุรกรรม
สนับสนุนการกู้คืนและจึงเกือบสองเท่าประสิทธิภาพระบบ
เนื่องจากการทำซ้ำบันทึก
เขียน [ 4 ] , [ 5 ] แต่น่าเสียดายที่ข้อเสนอเหล่านี้สนับสนุน
จำกัดชุดของระดับการแยก ; ส่วนใหญ่ที่เข้มงวดแยกซึ่ง
ต้องมีธุรกรรมทั้งหมดเป็นแบบอนุกรม คือประหาร
หนึ่งหลังจากที่อื่น นี้จำกัดธุรกรรมการ
และเจ็บการใช้งานของอุปกรณ์จัดเก็บข้อมูลสำหรับการทำธุรกรรม
สำหรับสองเหตุผล ครั้งแรก ระบบที่แตกต่างกันทำให้ tradeoffs ที่แตกต่างกันระหว่างประสิทธิภาพและความสอดคล้องโดยให้

ระดับแยกความแตกต่างระหว่างรายการ [ 7 ] .
ไม่สนับสนุนความหลากหลายของระดับการแยกทำให้
ระบบตายตัวมันไม่ให้ซอฟต์แวร์
สามารถเลือกระดับการแยก . ประการที่สอง การเข้มงวด
จำกัดของการร้องขอพร้อมกันใน
SSD ( เป็นเพียงรายการเดียวเท่านั้น สามารถดำเนินการได้ตลอดเวลา ) และ