the surface recombination. A thin l

the surface recombination. A thin layer of silicon dioxide (SiO2) with controlled thickness were obtained by annealing silicon wafer in a stream of inert gas (nitrogen) with the addition of dry oxygen.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

รวมตัวกันอีกพื้นผิว ชั้นบางซิลิคอนไดออกไซด์ (SiO2) มีความหนาที่ได้รับการควบคุมโดยการหลอมแผ่นเวเฟอร์ซิลิกอนในกระแสของก๊าซไนโตรเจน () ด้วยนอกเหนือจากออกซิเจนแห้ง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

recombination ผิว บางชั้นของซิลิกอนไดออกไซด์ (SiO2) มีความหนาที่ควบคุมไม่ได้ โดยการอบเหนียวแผ่นเวเฟอร์ซิลิกอนในกระแสของก๊าซเฉื่อย (ไนโตรเจน) ด้วยการเพิ่มออกซิเจนแห้ง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

recombination พื้นผิวได้. บางซิลิกอนของก๊าซคาร์บอนไดออกไซด์( SIO 2 )มีความหนาควบคุมได้โดยชั้นซิลิคอน annealing ในการสตรีมของก๊าซเฉื่อย(ไนโตรเจน)พร้อมด้วยการเพิ่มออกซิเจนให้แห้ง