The larger activity ofthe WO3−x fil

The larger activity of
the WO3−x film compared to that of the TiO2 film under UVA light
is explained in terms of the band gap structure of the two semiconductors.
The energy of the UVA lamp used in the experiments
(3.4 eV) is close to the band gap of anatase TiO2 (3.2 eV), a detriment
to an efficient adsorption of photons, whereas it largely exceeds the
band gap of WO3−x (2.6 eV) [22].

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

กิจกรรมใหญ่ของฟิล์ม WO3−x เมื่อเทียบกับฟิล์ม TiO2 ภายใต้แสงยูวีเออธิบายในแง่ของโครงสร้างช่องว่างวงของคอนดักเตอร์ที่สองพลังงานของหลอดยูวีเอที่ใช้ในการทดลอง(3.4 eV) อยู่ใกล้กับแถบช่องว่างของ anatase TiO2 (3.2 eV), การส่งการดูดซับมีประสิทธิภาพของโฟตอน ในขณะที่ส่วนใหญ่เกินกว่าช่องว่างวงของ WO3−x (2.6 eV) [22]

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

กิจกรรมขนาดใหญ่ของ
ภาพยนตร์ WO3-X เมื่อเทียบกับฟิล์ม TiO2 ภายใต้แสงยูวีเอ
จะมีการอธิบายในแง่ของโครงสร้างวงช่องว่างของทั้งสองเซมิคอนดักเตอร์.
พลังงานของหลอดไฟยูวีเอที่ใช้ในการทดลอง
(3.4 EV) อยู่ใกล้กับ ช่องว่างของวงแอนาเทส TiO2 (3.2 eV) ซึ่งเป็นความเสียหาย
ไปยังประสิทธิภาพการดูดซับของโฟตอนในขณะที่มันส่วนใหญ่เกินกว่า
ช่องว่างของวง WO3-x (2.6 eV) [22]