Herein, silicon substrate takes a c

Herein, silicon substrate takes a convex curvature shape described by σ(−). It should be noted
here that the curvature method considers the elasticity of silicon substrate,
but it ignores the elasticity of the thin film.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ในที่นี้ พื้นผิวซิลิโคนขึ้นรูปร่างโค้งนูนโดยσ(−) ควรสังเกตที่นี่วิธีการโค้งถือว่าความยืดหยุ่นของพื้นผิวซิลิโคน ที่แต่ละเว้นความยืดหยุ่นของฟิล์มบาง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ในที่นี้จะใช้เวลาซิลิคอนตั้งต้นรูปทรงโค้งนูนอธิบายโดยσ (-) มันควรจะตั้งข้อสังเกต
ว่าที่นี่วิธีโค้งพิจารณาความยืดหยุ่นของพื้นผิวซิลิกอน,
แต่มันไม่สนใจความยืดหยุ่นของฟิล์มบาง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ในที่นี้ ซิลิคอนจะนูนโค้งรูปร่างอธิบายโดยσ ( − ) มันควรจะสังเกตที่นี่ที่โค้งวิธีพิจารณาความยืดหยุ่นของซิลิคอนตั้งต้นแต่มันถึงความยืดหยุ่นของฟิล์มบาง