Theplasma treatment of C. tinctoriu

The
plasma treatment of C. tinctorium L. semen was
carried out at constant 20W RF power and 30 min
exposure time at two different pressures. For lowpressure
(1.6 Pa)-treated seeds, the germination
rate was increased by 30% whereas no change was
seen in the seeds treated at higher pressure relative

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ที่รักษาน้ำเชื้อ C. tinctorium L. พลาสมาได้ดำเนินการที่ใช้พลังงาน RF 20W คงและ 30 นาทีเวลาเปิดรับแสงที่ความดันแตกต่างกันสอง สำหรับ lowpressure(1.6 Pa) -เมล็ด การงอกที่ถือว่าอัตราเพิ่มขึ้น 30% ในขณะที่เปลี่ยนแปลงไม่ได้เห็นในเมล็ดรักษาที่สัมพันธ์กับความดันสูง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

รักษาพลาสม่าซี tinctorium
น้ำอสุจิลิตรได้รับการดำเนินการอย่างต่อเนื่องที่กำลังไฟ20W RF และ 30
นาทีเวลารับแสงที่แตกต่างกันสองแรงกดดัน สำหรับ lowpressure
(1.6 Pa) เมล็ด -treated,
งอกอัตราเพิ่มขึ้น30%
ในขณะที่ไม่มีการเปลี่ยนแปลงที่ได้เห็นในเมล็ดรับการรักษาที่ญาติดันสูง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

พลาสมารักษา C tinctorium . น้ำเชื้อถูก
ดำเนินการที่คงที่เครื่องพลังงาน RF และ 30 นาทีที่ 2
เวลาแรงกดดันต่าง ๆ สำหรับ lowpressure
( 1.6 ) ) - รักษาเมล็ด , การงอก
อัตราเพิ่มขึ้นร้อยละ 30 และไม่มีการเปลี่ยนแปลงคือ
เห็นเมล็ดถือว่าสูงกว่าความดันสัมพัทธ์