Nanostructured sheet-like carbon, a

Nanostructured sheet-like carbon, also called carbon nanoflakes (CNF), consists of petal-like graphite sheets with a thickness of less than 20 nm. These nanostructures are of interest for energy storage [1], electronic [2], and biological applications [3] due to their high surface area in the order of 1000–2000 m2/g [4], and their resistance to oxidation and high electrical conductivity [5]. Field emission cathodes based on arrays CNFs normally oriented to the substrate are considered promising materials for electrical applications [6], and can also be used in supercapacitors, since the high capacitance depends on the high specific area of conductive materials [4].

Previous works have reported the growth of CNF by hot filament chemical vapor deposition (HFCVD) [7] and by RF magnetron sputtering. In these methods, Hirase [8] proposed a growth mode of CNF related with the magnetron orientation and established that temperatures higher than 550 °C are not suitable for CNF. Zhu et al. [9] used an Ar atmosphere to grow CNF at temperatures higher than 800 °C, which has the advantage of needing neither catalytic processes nor special substrate preparation, as compared with HFCVD. This paper presents the growth of CNF by RF magnetron sputtering on silicon substrates using pure Ar plasma, but at lower temperatures than Hirase et al. [8] and Zhu et al. [9]. We study the influence of the substrate temperature and different deposition times on the carbon films.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

คาร์บอนแผ่นเช่น Nanostructured หรือที่เรียกว่า nanoflakes คาร์บอน (CNF), ประกอบด้วยกลีบดอกไม้เช่นแกรไฟต์แผ่น มีความหนาน้อยกว่า 20 nm Nanostructures เหล่านี้จะน่าสนใจสำหรับเก็บพลังงาน [1], อิเล็กทรอนิกส์ [2], และการประยุกต์ทางชีวภาพ [3] เนื่องจากพื้นที่ผิวของพวกเขาสูงกับ 1000 – 2000 m2/g [4], และความต้านทานการออกซิเดชันและสภาพนำไฟฟ้าสูง [5] Cathodes มลพิษฟิลด์ตามเรย์ CNFs ปกติเน้นพื้นผิวจะพิจารณาว่าวัสดุสำหรับใช้งานไฟฟ้า [6], และยังสามารถใช้ใน supercapacitors เนื่องจากความสูงขึ้นอยู่ในพื้นที่สูงเฉพาะการผลิตไฟฟ้า [4]ผลงานก่อนหน้านี้มีรายงานการเจริญเติบโตของ CNF โดยใยร้อนสะสมไอสารเคมี (HFCVD) [7] และ RF magnetron พ่น ในวิธีการเหล่านี้ Hirase [8] เสนอโหมดการเจริญเติบโตของ CNF ที่เกี่ยวข้องกับการวางแนว magnetron และก่อตั้งขึ้นที่อุณหภูมิสูงกว่า 550 องศาเซลเซียสไม่เหมาะสมใน CNF ซู al. ร้อยเอ็ด [9] ใช้บรรยากาศ Ar เติบโต CNF ที่อุณหภูมิสูงกว่า 800 ° C ซึ่งมีข้อดีของต้องไม่มีกระบวนการตัวเร่งปฏิกิริยาหรือเตรียมพื้นผิวพิเศษ ตก HFCVD เอกสารนี้แสดงการเติบโตของ CNF โดย magnetron RF พ่น บนพื้นผิวซิลิกอนที่ใช้พลาสม่า Ar บริสุทธิ์ แต่ ที่อุณหภูมิต่ำกว่า al. et Hirase [8] และ Zhu et al. [9] เราศึกษาอิทธิพลของอุณหภูมิพื้นผิวและเวลาสะสมต่าง ๆ บนฟิล์มคาร์บอน

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

อิเล็กทรอนิคส์คาร์บอนแผ่นเหมือนที่เรียกว่า nanoflakes คาร์บอนไดออกไซด์ (CNF) ประกอบด้วยแผ่นกราไฟท์เหมือนกลีบดอกมีความหนาน้อยกว่า 20 นาโนเมตร โครงสร้างนาโนเหล่านี้เป็นที่น่าสนใจสำหรับการจัดเก็บพลังงาน [1], อิเล็กทรอนิกส์ [2] และการใช้งานทางชีวภาพ [3] เนื่องจากพื้นที่ผิวสูงของพวกเขาในการสั่งซื้อของ 1000-2000 m2 / g [4] และความต้านทานต่อการเกิดออกซิเดชันของพวกเขาสูง การนำไฟฟ้า [5] cathodes การปล่อยสนามขึ้นอยู่กับอาร์เรย์ CNFs ที่มุ่งเน้นตามปกติกับพื้นผิวได้รับการพิจารณาวัสดุที่มีแนวโน้มสำหรับการใช้งานไฟฟ้า [6] และยังสามารถใช้ในการ supercapacitors ตั้งแต่ความจุสูงขึ้นอยู่บนพื้นที่สูงที่เฉพาะเจาะจงของวัสดุนำ [4]. ผลงานก่อนหน้า มีรายงานว่ามีการเจริญเติบโตของ CNF โดยเส้นใยร้อนไอสารเคมีสะสม (ที่ HFCVD) [7] และสปัตเตอร์ RF magnetron ในวิธีการเหล่านี้ Hirase [8] เสนอโหมดการเจริญเติบโตของ CNF ที่เกี่ยวข้องด้วยการวางแมกและเป็นที่ยอมรับว่าอุณหภูมิสูงกว่า 550 องศาเซลเซียสจะไม่เหมาะสำหรับ CNF Zhu et al, [9] ใช้บรรยากาศเท่ที่จะเติบโต CNF ที่อุณหภูมิสูงกว่า 800 องศาเซลเซียสซึ่งได้ประโยชน์จากการไม่ต้องกระบวนการเร่งปฏิกิริยาหรือการเตรียมพื้นผิวพิเศษเมื่อเทียบกับ HFCVD บทความนี้นำเสนอการเจริญเติบโตของ CNF โดย RF สปัตเตอร์แมกซิลิกอนกับพื้นผิวโดยใช้พลาสม่าเท่บริสุทธิ์ แต่ที่อุณหภูมิต่ำกว่า Hirase et al, [8] และจู้ et al, [9] เราศึกษาอิทธิพลของอุณหภูมิพื้นผิวและเวลาที่แตกต่างกันในการสะสมภาพยนตร์คาร์บอน