4. ConclusionsIn thiswork, the acti

4. Conclusions
In thiswork, the activation of dielectric surface by the colloidal solution
of cobalt compounds was examined as a Pd-free process. It has
been shown that the usual catalyst Pd(0)was replaced by Co(0) species
which are able to initiate electroless copper deposition. The method
consists of three main steps: deposition of an ultra-thin film of cobaltbased
precursor using the colloidal solution of cobalt compounds, decomposition
of the precursor film simultaneously with the reduction
of cobalt compounds to seed the surface with Co(0) species and the
copper metallization itself. It has been determined that for successful
reduction of adsorbed cobalt oxy/hydroxy compounds elevated temperatures
are required.Moreover, it has been determined that the presence
of a small amount of Cu2+ ions in the colloidal Co-based solution
catalyzes the reduction of adsorbed Co-based precursor on the dielectric
surface producing Co(0) seeds which initiate electroless copper deposition.
A continuous copper film was deposited on a glass sheet after
its activation in the colloidal solution of cobalt compounds containing
Cu2+ ions.
It has also been determined that the reduced Co(0) seeds are further
oxidized by oxygen dissolved in rinsing water. To prevent the oxidation
of reduced Co(0) seeds on the substrate surface it is necessary
to add 0.2–0.4 g/l of sodium borohydride to the rinsing water.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

4. บทสรุปใน thiswork การเปิดใช้งานของพื้นผิวที่เป็นฉนวนโดยโซลูชัน colloidalสารโคบอลต์ถูกตรวจสอบเป็นกระบวนการฟรี Pd มีแสดงให้เห็นว่า เศษปกติ Pd (0) ถูกแทนที่ ด้วยสายพันธุ์ Co(0)ซึ่งจะเริ่มต้นสะสมไฟฟ้าทองแดง วิธีการประกอบด้วยขั้นตอนหลักที่สาม: สะสมของฟิล์มบางเฉียบของ cobaltbasedสารตั้งต้นในการใช้งานโซลูชัน colloidal สารโคบอลต์ ย่อยสลายฟิล์มสารตั้งต้นพร้อมกับการลดสารโคบอลต์เพื่อพื้นผิวกับสายพันธุ์ Co(0) และmetallization ทองแดงเอง ตัดสินได้ว่าประสบความสำเร็จสารประกอบโคบอลต์ adsorbed oxy/ไฮด ร็อกซี่การลดอุณหภูมิจำเป็นต้องใช้ นอกจากนี้ มันได้ระบุที่อยู่ของ Cu2 + ไอออนในการแก้ไขปัญหาร่วมกันตาม colloidal จำนวนเล็กน้อยcatalyzes การลดลงของสารตั้งต้นจากร่วม adsorbed ในการเป็นฉนวนพื้นผิวที่ผลิตเมล็ดพันธุ์ Co(0) ที่เริ่มสะสมไฟฟ้าทองแดงฟิล์มทองแดงต่อเนื่องไปฝากไว้บนกระจกหลังการเปิดใช้งานในโซลูชัน colloidal สารโคบอลต์ที่ประกอบด้วยCu2 + ไอออนมันยังได้ระบุว่า เมล็ด Co(0) ลดลงจะเพิ่มเติมออกซิไดซ์ ด้วยออกซิเจนที่ละลายในน้ำล้าง เพื่อป้องกันการเกิดออกซิเดชันลดลง Co(0) เมล็ดบนผิวพื้นผิว จำเป็นการเพิ่ม 0.2 – 0.4 g/l ของโซเดียมโบโรไฮไดรด์เพื่อการล้างน้ำ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

4. สรุปผลการวิจัย
ใน thiswork เปิดใช้งานของพื้นผิวอิเล็กทริกโดยวิธีการแก้ปัญหาคอลลอยด์
ของสารโคบอลต์ถูกตรวจสอบเป็นกระบวนการ PD-ฟรี มันได้
รับการแสดงให้เห็นว่าตัวเร่งปฏิกิริยาปกติ Pd (0) ก็ถูกแทนที่ด้วย co (0) สายพันธุ์
ที่มีความสามารถที่จะเริ่มต้นการเกิดตะกอนทองแดงไฟฟ้า วิธีการที่
ประกอบด้วยสามขั้นตอนหลัก: การทับถมของฟิล์มบางเฉียบของ cobaltbased
สารตั้งต้นที่ใช้วิธีการแก้ปัญหาคอลลอยด์ของสารโคบอลต์การสลายตัว
ของฟิล์มสารตั้งต้นพร้อมกันกับการลดลง
ของสารโคบอลต์เมล็ดพื้นผิวที่มี co (0) ชนิดและ
metallization ทองแดงตัวเอง จะได้รับการพิจารณาแล้วว่าประสบความสำเร็จใน
การลดการดูดซับโคบอลต์ Oxy / สารไฮดรอกซีอุณหภูมิที่สูงขึ้น
เป็น required.Moreover จะได้รับการพิจารณาแล้วว่าการปรากฏตัว
ของจำนวนเล็ก ๆ ของ Cu2 + ไอออนในการแก้ปัญหาร่วมตามคอลลอยด์
กระตุ้นการลดลงของการดูดซับร่วมกัน สารตั้งต้นอยู่บนพื้นฐานของอิเล็กทริก
พื้นผิวการผลิตร่วม (0) เมล็ดที่เริ่มต้นการเกิดตะกอนทองแดงไฟฟ้า.
ภาพยนตร์ทองแดงอย่างต่อเนื่องถูกวางบนแผ่นกระจกหลังจาก
การเปิดใช้งานในการแก้ปัญหาคอลลอยด์ของสารโคบอลต์มี
Cu2 + ไอออน.
นอกจากนี้ยังได้รับการพิจารณาว่าลดลง co (0) เมล็ดจะต่อ
ออกซิไดซ์โดยออกซิเจนที่ละลายในน้ำล้าง เพื่อป้องกันการเกิดออกซิเดชัน
ลด Co (0) เมล็ดบนพื้นผิวมันเป็นสิ่งจำเป็น
ที่จะเพิ่ม 0.2-0.4 กรัม / ลิตรของโซเดียม borohydride ไปในน้ำล้าง