ZnO has a relatively large direct b

ZnO has a relatively large direct band gap of ~3.3 eV at room temperature. Advantages associated with a large band gap include higher breakdown voltages, ability to sustain large electric fields, lower electronic noise, and high-temperature and high-power operation. The bandgap of ZnO can further be tuned to ~3–4 eV by its alloying with magnesium oxide or cadmium oxide.[7]

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ZnO มีช่องว่างค่อนข้างมากตรงวงของ ~3.3 eV ที่อุณหภูมิห้อง ข้อดีที่เกี่ยวข้องกับช่องว่างวงดนตรีขนาดใหญ่ได้แก่สูงแบ่งแรงดันไฟฟ้า ความสามารถในการรักษาสนามไฟฟ้าขนาดใหญ่ ลดสัญญาณรบกวนทางอิเล็กทรอนิกส์ และการทำงานที่ อุณหภูมิสูง และกำลังสูง Bandgap ของ ZnO สามารถเพิ่มเติมปรับแต่ง ~ 3-4 eV โดยเจือด้วยแมกนีเซียมออกไซด์หรือแคดเมียมออกไซด์ [7]

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ซิงค์ออกไซด์มีช่องว่างวงที่ค่อนข้างใหญ่โดยตรงของ ~ 3.3 eV ที่อุณหภูมิห้อง ข้อดีที่เกี่ยวข้องกับช่องว่างวงดนตรีขนาดใหญ่รวมถึงแรงดันไฟฟ้าที่สูงเสียความสามารถในการรักษาสนามไฟฟ้าที่มีขนาดใหญ่, เสียงอิเล็กทรอนิกส์ลดลงและอุณหภูมิสูงและการดำเนินงานพลังงานสูง bandgap ของซิงค์ออกไซด์สามารถต่อปรับ ~ 3-4 eV โดยผสมกับแมกนีเซียมออกไซด์หรือแคดเมียมออกไซด์. [7]

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ซิงค์ออกไซด์ที่มีขนาดค่อนข้างใหญ่ วง ตรงช่องว่างของ ~ 3.3 EV ที่อุณหภูมิห้อง ข้อได้เปรียบที่เกี่ยวข้องกับวงดนตรีขนาดใหญ่รวมถึงช่องว่างที่สูงแบ่งแรงดันไฟฟ้า , ความสามารถในการรักษาสาขาไฟฟ้าอิเล็กทรอนิกส์ขนาดใหญ่ ลดเสียงรบกวน และสูงและอุณหภูมิสูง การ การ bandgap ของ ZnO สามารถนำไปปรับเพื่อ ~ 3 – 4 EV โดยผสมกับแมกนีเซียมออกไซด์ หรือแคดเมียมออกไซด์ [ 7 ]