Intrinsic Si nanowires were synthes

Intrinsic Si nanowires were synthesized by catalytic vapor
liquidsolid chemical vapor deposition [36] for which a 2 nm
thick gold layer was deposited as catalyst on thermally oxidized Si
wafers. Hydrogen diluted silane gas (H2/SiH4: 170/30 sccm) in a
total pressure of 15 mbar was admitted as the precursor molecule
at 400 C. The diameter and length of asgrown nanowires were
~10e60 nm and ~5 mm, respectively

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

Intrinsic ศรี nanowires ถูกสังเคราะห์ โดยตัวเร่งปฏิกิริยา vaporliquidsolid เคมีไอสะสม [36] ซึ่ง nm 2ฝากเป็นเศษจากความร้อนที่ออกซิไดซ์ศรีทองหนาเวเฟอร์ ไฮโดรเจนเจือจางก๊าซไซเลน (H2/SiH4: sccm 170/30) ในการความดันรวมของ 15 mbar รับเข้าเป็นโมเลกุลสารตั้งต้นที่ 400 C เส้นผ่านศูนย์กลางและความยาวของ asgrown nanowires~ 10e60 ~ 5 มม. และ nm ตามลำดับ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

nanowires Intrinsic ศรีถูกสังเคราะห์โดยตัวเร่งปฏิกิริยาvapor
liquidsolidไอสารเคมีการสะสม [36] ที่มีการnm 2
ชั้นทองหนาถูกวางเป็นตัวเร่งปฏิกิริยาในการออกซิไดซ์ความร้อนศรี
เวเฟอร์ ไฮโดรเจนเจือจางก๊าซไซเลน (H2 / SiH4: 170/30 SCCM) ใน
ความดันรวม 15 เอ็มบาร์ได้เข้าเป็นโมเลกุลสารตั้งต้น
ที่ 400 C เส้นผ่าศูนย์กลางและความยาวของเส้นลวดนาโนasgrownเป็น
~ นาโนเมตรและ 10e60 ~ 5 มิลลิเมตรตามลำดับ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

นาโนที่สังเคราะห์โดยปฏิกิริยาภายในจังหวัดไอของแข็งของเหลวไอสารเคมีสะสม [ 36 ] ที่ 2 nm ชั้นทองหนาฝากเป็นตัวเร่งปฏิกิริยาที่ได้รับจากจังหวัดเวเฟอร์ ไฮโดรเจน ( H2 / sih4 เจือจางก๊าซไซเลน : 170 / 30 sccm ) ในความดันรวม 15 มิลลิบาร์ก็ยอมรับว่าเป็นสารตั้งต้นโมเลกุลที่ 400  C เส้นผ่าศูนย์กลางและความยาวของโตนาโนคือ~ nm 10e60 และ ~ 5 มิลลิเมตร ตามลำดับ