Evaluation of results shows that hi

Evaluation of results shows that highest efficiency has been achieved during utilization of the MBR20200CT. SiC diode is in comparisson with other types the worsest solution for such applications. The best performance of MBR20200CT is caused due to the lowest value of forward voltage VF, which in connection with high peak value of diode current and due to its sinusoidal waveform reduces condution losses of diode. Lower efficiency in the case of LQA12T300C and SDT10S30 is caused almost due to higher value of VF and thus due to higher condution losses

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

การประเมินผลแสดงว่า มีประสิทธิภาพสูงสุดได้รับความในระหว่างการใช้ประโยชน์ของ MBR20200CT SiC ไดโอดอยู่ใน comparisson กับชนิดอื่นโซลูชั่น worsest สำหรับโปรแกรมประยุกต์ดังกล่าว เกิดประสิทธิภาพสูงสุดของ MBR20200CT เนื่องจากค่าต่ำสุดของแรงดันไปข้างหน้า VF ซึ่งสัมพันธ์กับค่าสูงสุดสูงของไดโอดปัจจุบัน และเนื่อง จากรูปคลื่นของ sinusoidal ลดขาดทุน condution ของไดโอด ประสิทธิภาพต่ำกว่าในกรณีของ LQA12T300C และ SDT10S30 เกิดเกือบเนื่อง จากค่าของ VF และเนื่อง จากการขาดทุนสูง condution

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

การประเมินผลแสดงให้เห็นว่ามีประสิทธิภาพสูงสุดได้รับความสำเร็จในช่วงการใช้ประโยชน์จาก ไดโอด ประสิทธิภาพที่ดีที่สุดของ ประสิทธิภาพที่ต่ำกว่าในกรณีของ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ประเมินผลลัพธ์แสดงประสิทธิภาพสูงสุดได้ประสบในการใช้ของ mbr20200ct . SIC ไดโอดใน comparisson ประเภทโซลูชั่น worsest สำหรับการใช้งานอื่น ๆ เช่น ประสิทธิภาพที่ดีที่สุดของ mbr20200ct เกิดจากค่าต่ำสุดของ VF แรงดันไปข้างหน้าที่เกี่ยวข้องกับมูลค่ายอดสูงของไดโอดในปัจจุบัน และเนื่องจากมีกระแสสัญญาณลดการสูญเสีย condution ของไดโอด ประสิทธิภาพต่ำกว่า ในกรณีของ lqa12t300c sdt10s30 และเกิดขึ้นเกือบเนื่องจากมีค่าสูงกว่า condution VF และเนื่องจากขาดทุน