They suggest that the main reason i

They suggest that the main reason is that a strong
polarization field was formed in the AlN/GaN heterostructure
interface

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

พวกเขาแนะนำว่า เหตุผลหลักคือความแข็งแรง โพลาไรซ์ฟิลด์ก่อตั้งขึ้นใน heterostructure AlN/ย่าน อินเทอร์เฟซ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

พวกเขาแสดงให้เห็นว่าเหตุผลหลักคือการที่แข็งแกร่ง
ข้อมูลโพลาไรซ์ก่อตั้งขึ้นใน ALN / กาน heterostructure
อินเตอร์เฟซ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เค้าแนะนำว่า เหตุผลหลักคือ ว่า สนาม โพลาไรเซชันแข็งแรง
ก่อตั้งขึ้นในโครงสร้างของ

ติดต่อ ALN / กาน