P-N junction diode is the most fund

P-N junction diode is the most fundamental and the simplest electronics device. When one side of an intrinsic semiconductor is doped with acceptor i.e, one side is made p-type by doping with n-type material, a p-n junction diode is formed. This is a two terminal device. It appeared in 1950’s. P-N junction can be step graded or linearly graded. In step graded the concentration of dopants both, in n - side and in p - side are constant up to the junction. But in linearly graded junction, the doping concentration varies almost linearly with the distance from the junction. When the P-N diode is in unbiased condition that is no voltage is applied across it, electrons will defuse through the junction to p-side and holes will defuse through the junction to n-side and they combine with each other. Thus the acceptor atom near the p-side and donor atom near n-side are left unutilized. An electron field is generated by these uncovered charges. This opposes further diffusion of carriers. So, no movement of region is known as space charge or depletion region.

If, we apply forwards bias to the p-n junction diode. That means if positive side of the battery is connected to the p – side, then the depletion regions width decreases and carriers flow across the junction. If the bias is reversed the depletion width increases and no charge can flow across the junction.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

P-N junction ไดโอดเป็นอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ที่ง่ายและพื้นฐานที่สุด เมื่อด้านหนึ่งของสารกึ่งตัวนำอินทรินสิที่ถูกเจือ ด้วยเช่นให้เป็นผู้รับ ด้านหนึ่งจะทำชนิด p โดยยาสลบด้วยวัสดุประเภท n, p-n junction ไดโอดจะเกิดขึ้น นี่คืออุปกรณ์สองขั้ว ปรากฏใน 1950 P-N junction ได้ขั้นอย่างช้า ๆ หรือเชิงเส้นอย่างช้า ๆ ในขั้นตอนระดับความเข้มข้นของ dopants ทั้งสอง ด้าน - n และ p - ด้านต่าง ๆ คงค่าการแยก แต่ในทางแยกเกรดเดียวเชิงเส้น ความเข้มข้นของยาสลบไปเกือบเชิงเส้นกับระยะทางจากสามแยก เมื่อไดโอด P N อยู่ใน สภาพเป็นกลางไม่มีแรงดันไฟฟ้าที่ใช้ข้าม อิเล็กตรอนจะดับชนวนผ่านไป p ด้านหลุมจะดับชนวนผ่านไป n ด้าน และพวกเขารวมกัน ดังนั้น วงเงินอะตอมให้เป็นผู้รับใกล้อะตอม p ฝั่งและผู้บริจาคใกล้มี n ด้านซ้าย ฟิลด์อิเล็กตรอนถูกสร้างขึ้น โดยค่าธรรมเนียมเหล่านี้เถ นี้คัดค้านมาตรการการกระจายของผู้ให้บริการ ดังนั้น ไม่มีการเคลื่อนไหวของภูมิภาคเรียกว่าค่าพื้นที่หรือภูมิภาคสูญเสียถ้า เราใช้ไปอคติกับไดโอดเชื่อมต่อ p-n นั่นหมายความว่า ถ้า ด้านขั้วบวกของแบตเตอรี่เชื่อมต่อกับ p – ด้าน แล้วลดความสูญเสียพื้นที่กว้าง และสายการบินที่ไหลข้ามแยก ถ้ามีกลับความโน้มเอียง เพิ่มความกว้างลดลง และไม่สามารถไหลผ่านการเชื่อมต่อ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

PN แยกไดโอดเป็นพื้นฐานที่สุดและอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ที่ง่าย เมื่อด้านหนึ่งของสารกึ่งตัวนำที่แท้จริงจะเจือด้วยตัวรับคือด้านหนึ่งจะทำ P-ประเภทโดยยาสลบด้วยวัสดุชนิดเอ็นเป็น PN แยกไดโอดจะเกิดขึ้น นี้เป็นอุปกรณ์ที่ขั้วทั้งสอง มันปรากฏตัวขึ้นในปี 1950 ชุมทาง PN สามารถขั้นตอนอย่างช้า ๆ หรืออย่างช้า ๆ เป็นเส้นตรง ในขั้นตอนจัดลำดับความเข้มข้นของสารเจือทั้งใน n - ด้านข้างและ P - ด้านข้างมีค่าคงที่ถึงทางแยก แต่ในทางแยกอย่างช้า ๆ เป็นเส้นตรงความเข้มข้นยาสลบแตกต่างกันไปเกือบเป็นเส้นตรงกับระยะทางจากทางแยกที่ เมื่อไดโอด PN อยู่ในสภาพที่เป็นกลางที่มีแรงดันไฟฟ้าไม่ถูกนำไปใช้ข้ามมันอิเล็กตรอนจะกลบเกลื่อนผ่านทางแยกเพื่อ P-ด้านและหลุมจะกลบเกลื่อนผ่านทางแยกเพื่อ N-ด้านข้างและพวกเขารวมกับแต่ละอื่น ๆ ดังนั้นอะตอมใบเสร็จใกล้ P-ด้านข้างและผู้บริจาคอะตอมที่อยู่ใกล้ N-ด้านที่เหลือที่ยังไม่ได้ใช้ สนามอิเล็กตรอนถูกสร้างขึ้นโดยค่าใช้จ่ายเหล่านี้เปิด นี้ตรงข้ามกับการแพร่กระจายต่อไปของผู้ให้บริการ ดังนั้นไม่มีการเคลื่อนไหวในภูมิภาคเป็นที่รู้จักกันเป็นค่าใช้จ่ายในพื้นที่หรือภูมิภาคพร่อง.

ถ้าเราใช้ส่งต่ออคติกับไดโอด PN ชุม ซึ่งหมายความว่าถ้าด้านบวกของแบตเตอรี่เชื่อมต่อกับ P - ด้านข้างแล้วภูมิภาคพร่องกว้างลดลงและผู้ให้บริการไหลข้ามทางแยก ถ้าอคติจะกลับความกว้างของการสูญเสียที่เพิ่มขึ้นและไม่มีค่าใช้จ่ายสามารถไหลข้ามทางแยก