After the deposition of the NiO buf

After the deposition of the NiO buffer layer, the substrates were spin coated two to three times with a seed layer of zinc acetate for the growth of the ZnO nanorods and likewise annealed at 120°C for 20 min.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

หลังจากสะสมของชั้นบัฟเฟอร์ NiO พื้นผิวถูกหมุนเคลือบสองถึงสามเท่า ด้วยชั้นเมล็ดของสังกะสี acetate สำหรับการเติบโตของ ZnO nanorods และทำนอง annealed ที่ 120° C สำหรับ 20 นาที

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

หลังจากการทับถมของชั้นบัฟเฟอร์ NiO พื้นผิวหมุนเคลือบสองถึงสามครั้งด้วยชั้นเมล็ดของสังกะสี acetate สำหรับการเจริญเติบโตของแท่งนาโนซิงค์ออกไซด์และอบเช่นเดียวกันที่ 120 ° C เป็นเวลา 20 นาที

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

หลังจากการปลดออกจากตำแหน่งของ นีโอ บัฟเฟอร์ชั้นพื้นผิวเคลือบถูกปั่นสองถึงสามครั้ง กับเมล็ดพันธุ์ชั้นของซิงค์อะซิเตตสำหรับการเจริญเติบโตของซิงค์ออกไซด์ และเช่นเดียวกัน nanorods อบที่ 120 °องศาเซลเซียสเป็นเวลา 20 นาที