For the atomic layer deposition of

For the atomic layer deposition of TiO2, various metal-organic precursors
exist, some of the most commonly used are Titanium tetrachloride
(TiCl4) (e.g., [3–6]) and Titanium isopropoxide (Ti[OCH(CH3)2]4) in combination
with H2O or O3 as oxidant [7,8]. Tetrakis(dimethylamino)titanium
(TDMAT) is a titaniumprecursor, primarily used for the deposition of
TiN in combination with NH3 as reactant [9]. For the deposition of TiO2,
TDMAT has the advantage that precursor and decomposition products
are non-toxic and non-corrosive. Thermal ALD can be realized with H2O
as oxidant [8].
Early reports on the use of TDMAT for ALD of TiO2 have been published
in 2006 [10,11]. Up to date various oxidants have been investigated
in combination with TDMAT like ozone [12], O2 or Ar-O2
plasma [11,13–15] and H2O [8,10,11,13,16–20].
A growth regime with linear increase of layer thickness with the
number of ALD cycles is reported for substrate temperatures as low as
50 °C [13] ranging to deposition temperatures of up to 300 °C [18]. In
some cases, a thermal gas phase decomposition of TDMAT has been
observed for temperatures above 300 °C [18].
In general, the publications cited above, report on the use of the
TDMAT ALD process for the synthesis of TiO2 thin films for a specific
application and report optimization of process parameters with respect
to a specific property of the TiO2 layer. A systematic study of
the deposition parameter window is published in reference [13].

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

สำหรับสะสมชั้นอะตอมของ TiO2, precursors โลหะอินทรีย์ต่าง ๆมีอยู่ ของที่ใช้กันทั่วไปมีไทเทเนียมเตตระคลอไรด์(TiCl4) (เช่น, [3-6]) และไทเทเนียม isopropoxide (Ti[OCH(CH3)2]4) ในชุดH2O หรือ O3 เป็นอนุมูลอิสระ [7,8] ไทเทเนียม Tetrakis (dimethylamino)(TDMAT) จะเป็น titaniumprecursor ใช้สำหรับสะสมของทินร่วมกับ NH3 เป็นตัวทำปฏิกิริยา [9] สำหรับสะสมของ TiO2TDMAT มีประโยชน์จากการที่สารตั้งต้นและแยกส่วนประกอบผลิตภัณฑ์มีพิษ และไม่กัดกร่อน ALD ความร้อนสามารถรับรู้กับ H2Oเป็นอนุมูลอิสระ [8]ได้รับการเผยแพร่รายงานก่อนการใช้ TDMAT สำหรับ ALD TiO2ในปี 2006 [10,11] ถึงอนุมูลอิสระต่าง ๆ ได้ถูกตรวจสอบร่วมกับ TDMAT เช่นโอโซน [12], O2 หรือ Ar O2พลาสม่า [11,13 – 15] และ H2O [8,10,11,13,16 – 20]ระบอบเติบโตกับเส้นเพิ่มความหนาของชั้นด้วยการมีรายงานจำนวนรอบ ALD สำหรับอุณหภูมิพื้นผิวต่ำสุด50 ° C [13] จนถึงการสะสมอุณหภูมิถึง 300 องศาเซลเซียส [18] ในบางกรณี การเน่าระยะก๊าซร้อนของ TDMAT แล้วสังเกตสำหรับอุณหภูมิ 300 ° C [18]โดยทั่วไป สิ่งพิมพ์ที่อ้างถึงข้างต้น รายงานการใช้การกระบวนการสังเคราะห์ฟิล์มบาง TiO2 สำหรับเฉพาะ TDMAT ALDโปรแกรมประยุกต์และรายงานการเพิ่มประสิทธิภาพของพารามิเตอร์ในกระบวนการด้วยความเคารพคุณสมบัติเฉพาะของชั้น TiO2 การศึกษาระบบหน้าต่างพารามิเตอร์สะสมถูกประกาศในอ้างอิง [13]

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

สำหรับการสะสมชั้นอะตอมของ TiO2, สารตั้งต้นโลหะอินทรีย์ต่าง ๆ
ที่มีอยู่บางส่วนของส่วนใหญ่ที่ใช้กันทั่วไปคือเตตราคลอไรด์ไททาเนียม
(TiCl4) (เช่น [3-6]) และไททาเนียม isopropoxide (Ti [OCH (CH3) 2] 4) ในการรวมกัน
กับ H2O หรือ O3 เป็นอนุมูลอิสระ [7,8] tetrakis (Dimethylamino) ไทเทเนียม
(TDMAT) เป็น titaniumprecursor, ใช้เป็นหลักสำหรับการสะสมของ
ดีบุกผสมกับ NH3 เป็นสารตั้งต้น [9] สำหรับการทับถมของ TiO2,
TDMAT มีประโยชน์ที่สารตั้งต้นและผลิตภัณฑ์จากการสลายตัว
จะไม่เป็นพิษและไม่กัดกร่อน ความร้อน ALD สามารถรับรู้กับ H2O
เป็นอนุมูลอิสระ [8].
ก่อนรายงานเกี่ยวกับการใช้ TDMAT สำหรับ ALD ของ TiO2 ได้รับการตีพิมพ์
ในปี 2006 [10,11] จนถึงวันที่อนุมูลอิสระต่างๆได้รับการตรวจสอบ
ร่วมกับ TDMAT เช่นโอโซน [12], O2 หรือ Ar-O2
พลาสม่า [11,13-15] และ H2O [8,10,11,13,16-20].
ระบอบการปกครองของการเจริญเติบโต กับการเพิ่มขึ้นเชิงเส้นของความหนาของชั้นที่มี
จำนวนรอบของการ ALD มีรายงานสำหรับอุณหภูมิพื้นผิวต่ำเป็น
50 ° C [13] ตั้งแต่การสะสมอุณหภูมิสูงถึง 300 ° C [18] ใน
บางกรณีก๊าซความร้อนการสลายตัวของ TDMAT ได้รับการ
สังเกตอุณหภูมิสูงกว่า 300 ° C [18].
โดยทั่วไปสิ่งพิมพ์ที่อ้างถึงข้างต้นรายงานเกี่ยวกับการใช้
กระบวนการ TDMAT ALD สำหรับการสังเคราะห์ TiO2 ฟิล์มบางสำหรับ เฉพาะ
การประยุกต์ใช้และการเพิ่มประสิทธิภาพรายงานของพารามิเตอร์กระบวนการด้วยความเคารพ
เพื่อคุณสมบัติเฉพาะของชั้น TiO2 ระบบการศึกษาของ
หน้าต่างพารามิเตอร์การสะสมที่มีการเผยแพร่ในการอ้างอิงได้ [13]

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

สำหรับการสะสมชั้นอะตอมของโลหะอินทรีย์ TiO2 , ต่าง ๆตั้งต้น
อยู่ บางส่วนของที่ใช้บ่อยที่สุดคือ ไทเทเนียม เตตระคลอไรด์ (
ticl4 ) เช่น ( 3 ) [ 6 ] ) และไทเทเนียมไอโซโพรพอกไซด์ ( Ti [ และ ( CH3 ) 2 ] 4 ) ในการรวมกันกับ H2O หรือ O3
เป็นอนุมูลอิสระ [ 7 , 8 ) tetrakis ( dimethylamino ) ไทเทเนียม
( tdmat ) เป็น titaniumprecursor หลักที่ใช้สำหรับการสะสมของ
ดีบุกร่วมกับ nh3 เป็นผู้ตอบสนอง [ 9 ]คำให้การของ TiO2 ,
tdmat มีความได้เปรียบที่สารตั้งต้นและการสลายตัวของผลิตภัณฑ์
จะปลอดสารพิษและไม่กัดกร่อน ความร้อน ald สามารถตระหนักกับ H2O
เป็นอนุมูลอิสระ [ 8 ] .
รายงานในช่วงต้นของการใช้ tdmat สำหรับ ald ของ TiO2 ได้ถูกตีพิมพ์ในปี 2006 10,11
[ ] ถึงวันที่อนุมูลอิสระต่าง ๆได้ถูกสอบสวน
ร่วมกับ tdmat ชอบโอโซน [ 12 ] , O2 หรือ ar-o2
พลาสมา [ 1113 – 15 ] และ H2O [ 8,10,11,13,16 – 20 ] .
ระบอบการเพิ่มเชิงเส้นของความหนาของชั้นกับ
จำนวนรอบ ald รายงานสำหรับอุณหภูมิพื้นผิวต่ำกว่า 50 /
c [ 13 ] ตั้งแต่การสะสมอุณหภูมิถึง 300 องศา C [ 18 ] ใน
บางกรณี การระบายความร้อนของก๊าซ tdmat ได้รับ
) อุณหภูมิสูงกว่า 300 ° C [ 18 ] .
ทั่วไป สิ่งพิมพ์ที่อ้างถึงข้างต้นรายงานการใช้
กระบวนการ ald tdmat สำหรับการสังเคราะห์ฟิล์มบาง TiO2 สำหรับโปรแกรมที่เฉพาะเจาะจงและการเพิ่มประสิทธิภาพของพารามิเตอร์รายงาน

ไปเทียบกับคุณสมบัติเฉพาะของ TiO2 ชั้น การศึกษาระบบของหน้าต่างพารามิเตอร์การเคลือบ
มันตีพิมพ์อ้างอิง [ 13 ]