the i-v curve for in the n-type front junction silicon photovoltaic modules with CSG before and after the potential-induced degradation test by applying -1000 v at 85 c for 2 h are shown in fig5.
ส่วนไฟฟ้าโค้งในทั่วไปหน้า Junction ซิลิคอนแผงเซลล์แสงอาทิตย์กับบริการลูกค้าก่อนและหลังการทดสอบโดยการใช้ศักยภาพในการย่อยสลาย - 1000 V ที่ 85 C 2 H แสดงใน fig5 .