As the concentration of Zn was incr

As the concentration of Zn was increased; the absorption edge was shifted toward lower wavelength. The energy band gap of CdS thin film shown in fig.5 it was increased after Zn diffusion.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ขณะเพิ่มความเข้มข้นของ Zn ขอบดูดซึมถูกเปลี่ยนไปที่ความยาวคลื่นต่ำกว่า ช่องว่างแถบพลังงานของฟิล์มบางซีแสดงใน fig.5 ขึ้นหลังจากแพร่ Zn

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ในฐานะที่เป็นความเข้มข้นของธาตุสังกะสีที่เพิ่มขึ้น; ขอบการดูดซึมก็ขยับไปทางความยาวคลื่นต่ำ ช่องว่างแถบพลังงานของแผ่นซีดีแผ่นฟิล์มบาง ๆ ที่แสดงใน fig.5 มันก็เพิ่มขึ้นหลังจากการแพร่กระจายสังกะสี

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ขณะที่ความเข้มข้นของสังกะสีเพิ่มขึ้น การดูดซึมขอบเลื่อนต่อความยาวคลื่นต่ำกว่า วงช่องว่างพลังงานของซีดี ฟิล์มบางแสดงใน fig.5 มันเพิ่มขึ้นหลังสังกะสี แพร่