Varactors are operated in a reverse

Varactors are operated in a reverse-biased state, so no DC current flows through the device. The amount of reverse bias controls the thickness of the depletion zone and therefore the varactor's junction capacitance. Generally, the depletion region thickness is proportional to the square root of the applied voltage, and capacitance is inversely proportional to the depletion region thickness. Thus, the capacitance is inversely proportional to the square root of applied voltage.

All diodes exhibit this variable junction capacitance, but varactors are manufactured to exploit the effect and increase the capacitance variation.

The figure shows an example of a cross section of a varactor with the depletion layer formed of a p–n junction. This depletion layer can also be made of a MOS or a Schottky diode. This is important in CMOS and MMIC technology.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

Varactors จะดำเนินการในลำเอียงย้อนกลับสถานะ จึงไม่มี DC กระแสไหลผ่านอุปกรณ์ จำนวนอคติกลับควบคุมความหนาของโซนสูญเสีย และความจุของ varactor แยก โดยทั่วไป ความหนาของภูมิภาคลดลงเป็นสัดส่วนกับรากที่สองของแรงดันไฟฟ้าที่ใช้ และความจุเป็นสัดส่วนตรงกันข้ามกับความหนาของภูมิภาคสูญเสีย ดังนั้น ความจุเป็นสัดส่วนตรงกันข้ามกับรากที่สองของแรงดันไฟฟ้าที่ใช้ไดโอดทั้งหมดแสดงความจุนี้แยกตัวแปร แต่ varactors ผลิตขึ้นเพื่อใช้ประโยชน์จากผลกระทบ และเพิ่มรูปแบบความจุรูปแสดงตัวอย่างของตัวอย่าง varactor กับชั้นสูญเสียที่เกิดขึ้นของทางแยก p – n ยังสามารถทำชั้นสูญเสียนี้มี MOS หรือไดโอด Schottky นี้เป็นสิ่งสำคัญในเทคโนโลยี CMOS และ MMIC

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

Varactors จะดำเนินการในรัฐลำเอียงย้อนกลับจึงไม่มีกระแสตรงไหลผ่านอุปกรณ์ จำนวนเงินของการมีอคติกลับควบคุมความหนาของโซนพร่องและดังนั้นจึง varactor ของความจุทางแยก โดยทั่วไปความหนาของภูมิภาคพร่องเป็นสัดส่วนกับรากที่สองของแรงดันไฟฟ้าที่นำไปใช้และความจุเป็นสัดส่วนผกผันกับความหนาของภูมิภาคพร่อง ดังนั้นความจุเป็นสัดส่วนผกผันกับรากที่สองของแรงดันไฟฟ้า.

ทั้งหมดไดโอดจัดแสดงนี้ความจุแยกตัวแปร แต่ varactors เป็นผลิตภัณฑ์ที่ผลิตเพื่อใช้ประโยชน์จากผลกระทบและเพิ่มรูปแบบความจุ.

รูปที่แสดงให้เห็นตัวอย่างของการตัดขวางของ varactor ที่มี ชั้นสูญเสียที่เกิดขึ้นของสนธิ AP-n ชั้นพร่องนี้ยังสามารถทำจาก MOS หรือไดโอดกี นี้เป็นสิ่งสำคัญใน CMOS และ MMIC เทคโนโลยี

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

varactors ดำเนินการในลําเอียงกลับรัฐจึงไม่มี DC กระแสไหลผ่านอุปกรณ์ จำนวน Reverse Bias การควบคุมความหนาของการพร่องโซนและดังนั้นจึงเป็นชุมทางวาแรกเตอร์ความจุ . โดยทั่วไป การเขตหนาได้สัดส่วนกับรากที่สองของความต่างศักย์ และความจุเป็นปฏิภาคผกผันกับการเขตมีความหนา ดังนั้น ความจุจะแปรผกผันกับรากที่สองของแรงดันที่ใช้ทั้งหมดจัดแสดงนี้ตัวแปรชุมทางไดโอดไปด้วย แต่ varactors ผลิตขึ้นเพื่อใช้ประโยชน์จากผลและเพิ่มความจุกระจายรูปแสดงตัวอย่างของภาคตัดขวางของวาแรกเตอร์กับการทำลายชั้นบรรยากาศเกิดขึ้นของ P ) N Junction นี่ของชั้นยังสามารถทำของ MOS หรือไดโอดชอทท์กี้ . นี้เป็นสิ่งสำคัญใน CMOS และเทคโนโลยี mmic .