1. INTRODUCTIONAnisotropic chemical

1. INTRODUCTION
Anisotropic chemical etching has long been used for
fabricating microstructures such as diaphragms and cantilevers
on a silicon wafer. The demand for more complicated 3-D
microstructures on a silicon chip is increasing in various
applications such as ink-jet printing devices and microfluidic
systems. We think it necessary to know the etching rates for a
number of crystallographic orientations, in order to fabricate
3-D microstructures whose profiles are composed of a number
of facets having different orientations. When the etching rate
is known as a function of orientation, etchant, and etching
conditions, one can design fabrication processes of 3-D
structures by simulating the etched product’s shape using a
variety of mask patterns under different process conditions,
including multiple process steps [ 1][2].
KOH water solution has been most commonly used as an
anisotropic etchant for fabricating microstructures. Thus we
first started to construct an etching rate database with KOH
solutions, and reported that the orientation dependence varies
according to the KOH concentration and etching temperature
[3]. Recently, TMAH water solution has started to be gradually
introduced in industry, despite its expense, taking the place of
KOH solution. This is because it hardly attacks the silicon
dioxide film used as an etching mask and it does not contain
harmful ions that might damage the electrical circuits integrated
on the same chip with micro mechanical structures. Thus we
further investigated the orientation-dependent etching
properties of silicon in TMAH solutions [4]. In this paper, we
discuss the difference in anisotropic etching properties of silicon
between KOH and TMAH systems.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

1. บทนำใช้กัด anisotropic เคมีสำหรับระยะยาวmicrostructures ไดอะแฟรมและ cantilevers fabricatingบนแผ่นเวเฟอร์ซิลิกอนที่ ความต้องการใช้ 3-D ที่ซับซ้อนมากขึ้นmicrostructures บนชิปซิลิคอนเพิ่มในที่ต่าง ๆโปรแกรมประยุกต์เช่นอุปกรณ์การพิมพ์อิงค์เจ็ทและ microfluidicระบบ เราคิดว่า จำเป็นต้องทราบราคากัดในการจำนวน crystallographic แนว การปั้นโพรไฟล์ประกอบด้วยตัวเลข microstructures 3 มิติของแง่มุมมีแนวแตกต่างกัน เมื่ออัตราการกัดเรียกว่าเป็นฟังก์ชันของการวางแนว etchant และกัดเงื่อนไข หนึ่งสามารถออกแบบกระบวนการผลิตของ 3-Dโครงสร้าง โดยจำลองของผลิตภัณฑ์สลักรูปร่างโดยใช้การความหลากหลายของรูปแบบรูปแบบภายใต้เงื่อนไขของกระบวนการต่าง ๆรวมถึงกระบวนการขั้นตอนหลายอย่าง [1] [2]แก้ปัญหาเกาะน้ำมักใช้เป็นการetchant anisotropic สำหรับ fabricating microstructures ดังนั้นเราแรก เริ่มสร้างฐานข้อมูลอัตราการกัดกับเกาะโซลูชั่น และรายงานว่า การอาศัยแนวแตกต่างไปตามเกาะกัดและความเข้มข้นอุณหภูมิ[3] การล่า แก้ปัญหาน้ำ TMAH ได้เริ่มจะค่อย ๆนำมาใช้ในอุตสาหกรรม แม้มีค่าใช้จ่ายของ ถ่ายสถานที่แก้ปัญหาเกาะ ทั้งนี้เนื่องจากจะไม่โจมตีซิลิคอนไดออกไซด์ฟิล์มที่ใช้เป็นรูปแบบการกัดและไม่ประกอบด้วยกันอันตรายที่อาจทำลายวงจรไฟฟ้าที่รวมบนชิพเดียวกันกับโครงสร้างเครื่องจักรกลขนาดเล็ก ดังนั้นเราสอบสวนเพิ่มเติม กัดขึ้นอยู่กับการวางแนวคุณสมบัติของซิลิกอนใน TMAH โซลูชั่น [4] ในเอกสารนี้ เราอภิปรายความแตกต่างในคุณสมบัติ anisotropic กัดซิลิคอนระหว่างเกาะและ TMAH ระบบ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

1. บทนำ
Anisotropic
เคมีกัดได้รับการใช้สำหรับการผลิตจุลภาคเช่นไดอะแฟรมและcantilevers
บนแผ่นเวเฟอร์ซิลิกอน ความต้องการสำหรับ 3
มิติที่ซับซ้อนมากขึ้นจุลภาคบนชิปซิลิกอนจะเพิ่มขึ้นในหลายๆ ด้านการใช้งานเช่นอุปกรณ์การพิมพ์อิงค์เจ็ทและไมโครระบบ เราคิดว่ามันจำเป็นที่จะต้องทราบอัตราการแกะสลักเป็นจำนวนหมุน crystallographic เพื่อที่จะสานจุลภาค3 มิติที่มีรูปแบบที่มีองค์ประกอบของจำนวนของแง่มุมที่แตกต่างกันมีการหมุน เมื่ออัตราการแกะสลักเป็นที่รู้จักกันเป็นหน้าที่ของการวางแนว etchant และการแกะสลักเงื่อนไขหนึ่งสามารถออกแบบกระบวนการผลิตของ3 มิติโครงสร้างโดยการจำลองรูปทรงผลิตภัณฑ์แกะสลักของการใช้ความหลากหลายของรูปแบบหน้ากากภายใต้เงื่อนไขกระบวนการที่แตกต่างกันรวมถึงขั้นตอนกระบวนการหลาย[ 1] [2]. แก้ปัญหาน้ำเกาะได้รับการใช้กันมากที่สุดเป็นetchant anisotropic สำหรับผลิตจุลภาค ดังนั้นเราแรกเริ่มต้นในการสร้างฐานข้อมูลที่มีอัตราการกัดเกาะแก้ปัญหาและรายงานว่าการพึ่งพาการวางแนวทางแตกต่างกันไปตามความเข้มข้นของเกาะและอุณหภูมิแกะสลัก[3] เมื่อเร็ว ๆ นี้ TMAH แก้ปัญหาน้ำได้เริ่มต้นที่จะค่อยๆนำมาใช้ในอุตสาหกรรมแม้จะมีค่าใช้จ่ายที่เกิดขึ้นของการแก้ปัญหาเกาะ เพราะมันแทบจะไม่โจมตีซิลิคอนภาพยนตร์ก๊าซที่ใช้เป็นหน้ากากแกะสลักและมันไม่ได้มีไอออนที่เป็นอันตรายที่อาจเกิดความเสียหายวงจรไฟฟ้าแบบบูรณาการบนชิปเดียวกันกับโครงสร้างเครื่องจักรกลขนาดเล็ก ดังนั้นเราจึงต่อการตรวจสอบการวางแนวทางการแกะสลักขึ้นอยู่กับคุณสมบัติของซิลิกอนในการแก้ปัญหาTMAH [4] ในบทความนี้เราจะหารือเกี่ยวกับความแตกต่างในการแกะสลัก anisotropic คุณสมบัติของซิลิกอนระหว่างเกาะและระบบTMAH

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

1 . บทนำ
อุบเคมีกัดได้ถูกใช้เพื่อศึกษาโครงสร้างจุลภาค เช่น ไดอะแฟรม และ

cantilevers บนซิลิคอนเวเฟอร์ . ความต้องการที่ซับซ้อนมากขึ้น 3
โครงสร้างจุลภาคในชิปซิลิคอนเพิ่มขึ้นในการใช้งานต่างๆ เช่น การพิมพ์อิงค์เจ็ท
อุปกรณ์และระบบไมโครฟลูอิดิก

เราคิดว่ามันจำเป็นที่จะต้องทราบอัตราการสำหรับ
จำนวนทางอื่น เพื่อสาน
3 ที่มีโปรไฟล์ และประกอบด้วยจำนวนของแง่มุมอื่น
มีแตกต่างกัน เมื่อพบอัตรา
เรียกว่าฟังก์ชันของการปฐมนิเทศ etchant และแกะสลัก
เงื่อนไขหนึ่งสามารถออกแบบกระบวนการผลิตโครงสร้าง 3 มิติ โดยจำลองรูปทรงแกะสลักผลิตภัณฑ์

ใช้ความหลากหลายของรูปแบบหน้ากากภายใต้เงื่อนไขกระบวนการต่าง ๆ รวมทั้งกระบวนการหลายขั้นตอน
[ 1 ] [ 2 ] .
เกาะน้ำสารละลายถูกใช้กันมากที่สุดเป็น
etchant อุบศึกษาโครงสร้างจุลภาค . ดังนั้นเรา
เริ่มสร้างฐานข้อมูลที่มีโครงสร้างอัตราเกาะ
โซลูชั่น และ รายงานว่า การพึ่งพาแตกต่างกัน
ตามเกาะและกัดกรดความเข้มข้นอุณหภูมิ
[ 3 ] เมื่อเร็วๆ นี้ โซลูชั่น tmah น้ำเริ่มจะค่อยๆ
แนะนำในอุตสาหกรรม แม้ค่าใช้จ่ายของการวางของ
เกาะโซลูชั่น นี้เป็นเพราะมันแทบจะไม่โจมตีซิลิคอนไดออกไซด์ฟิล์ม
ใช้เป็นภาพแกะหน้ากาก และมันไม่ได้มี
ไอออนที่เป็นอันตรายที่อาจเกิดความเสียหายทางไฟฟ้าวงจร
บนชิปเดียวกันกับโครงสร้างทางจุลภาค ดังนั้นเรา
เพิ่มเติมศึกษาขึ้นอยู่กับทิศทางการ
คุณสมบัติของซิลิคอนใน tmah โซลูชั่น [ 4 ] ในกระดาษนี้เรากล่าวถึงความแตกต่างใน Anisotropic แกะสลัก

ระหว่างเกาะและสมบัติของซิลิกอน tmah ระบบ