For example, leakage power is domin

For example, leakage power is dominant in SRAM and DRAM arrays; on the contrary, due to nonvolatility, PCRAM or MRAM array consumes zero leakage power when idling but a much higher energy during write operations.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ตัวอย่างเช่นอำนาจการรั่วไหลเป็นที่โดดเด่นใน SRAM และ DRAM อาร์เรย์; ในทางตรงกันข้ามเนื่องจาก nonvolatility PCRAM หรืออาร์เรย์ MRAM สิ้นเปลืองพลังงานเป็นศูนย์การรั่วไหลเมื่อไม่ทำงาน แต่พลังงานที่สูงขึ้นมากในระหว่างการดำเนินการเขียน

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ตัวอย่าง ไฟรั่วเป็นหลักในอาร์เรย์ของ SRAM และ DRAM การ์ตูน จาก nonvolatility เรย์ PCRAM หรือ MRAM ใช้ศูนย์พลังงานรั่วไหลเมื่อ idling แต่พลังงานสูงในระหว่างการดำเนินการเขียน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ตัวอย่างเช่นใช้พลังงานเพื่อป้องกันการรั่วซึมมีอำนาจในอาเรย์ DRAM SRAM ,และในทางตรงกันข้ามเนื่องจาก nonvolatility ใช้ความหลากหลาย pcram หรือ mram Zero Power เพื่อป้องกันการรั่วซึมเมื่อเวลาว่างของแต่ใช้พลังงานสูงขึ้นมากในระหว่างการเขียน