where ρi is the elemental resistivi

where ρi is the elemental resistivity of solute i in the matrix [32]. For
transition metals (e.g. Fe), electron-electron scattering makes a signifi-
cant contribution to ρ0(T) at low temperature. It is found that ρ0(T)
should be represented by 1/(1/ρ0(T)+ 1/ρsat) for steels, where ρsat is
the saturation resistivity [32]. ρ0(T) and ρsat take the same values for
all carbides and phases in steels. According to Matthiessen's theory,
the electrical resistivity of κ-carbide is higher than that of α phase due
to higher C, Al and Mn compositions in κ than in α. In microstructure
configurations illustrated in Fig. 4, the system electrical resistivity of lamellar
structure in Fig. 4(a) is closely to that for κ-carbide, but that in
Fig. 4(b) is closely to that of α phase [30,33]. The experimental measured
values are consented to the theoretical analysis.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ความต้านทานธาตุของตัวละลาย ρi ฉันในเมตริกซ์ [32] สำหรับโลหะการเปลี่ยนแปลง (เช่น Fe), อิเล็กตรอนอิเล็กตรอนกระเจิงทำความ-ลาดเทสมทบ ρ0(T) ที่อุณหภูมิต่ำ พบได้ที่ ρ0(T)ควรแสดง โดย 1/(1/ρ0(T) + 1 ρsat) สำหรับเหล็ก ρsatต้านความอิ่มตัว [32] Ρ0(T) และ ρsat ใช้ค่าเดียวกันสำหรับทั้งคาร์ไบด์และระยะในเหล็ก ตามทฤษฎีของ Matthiessenความต้านทานไฟฟ้าของคาร์ไบด์κจะสูงกว่าของเฟสαที่กำหนดจะสูงกว่า C, Al และ Mn องค์ประกอบในκกว่าในα ในโครงสร้างจุลภาคตั้งค่าคอนฟิกที่แสดงในรูป 4 ความต้านทานไฟฟ้าระบบของชั้นโครงสร้างในรูป 4(a) จะใกล้ชิดที่κคาร์ไบด์ แต่ว่าใน4(b) รูปได้อย่างใกล้ชิดกับเฟสα [30,33] วัดการทดลองค่าที่อนุญาตให้วิเคราะห์ทฤษฎี

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ที่ρiเป็นต้านทานธาตุของตัวถูกละลายฉันในเมทริกซ์ [32] สำหรับการ
เปลี่ยนแปลงของธาตุโลหะ (เช่นเฟ) กระเจิงอิเล็กตรอนอิเล็กตรอนทำให้มีนัยสำคัญ
ผลงานที่ลาดเทρ0 (T) ที่อุณหภูมิต่ำ นอกจากนี้ยังพบว่าρ0 (T)
ควรจะแสดงโดย 1 / (1 ​​/ ρ0 (T) + 1 / ρsat) สำหรับเหล็กที่ρsatเป็น
ความต้านทานความอิ่มตัวของสี [32] ρ0 (T) และρsatใช้ค่าเดียวกันสำหรับ
คาร์ไบด์และขั้นตอนในเหล็ก ตามทฤษฎี Matthiessen ของ
ต้านทานไฟฟ้าของκคาร์ไบด์ที่สูงกว่าเฟสαเนื่องจาก
การที่สูงขึ้น C, อัลและ Mn องค์ประกอบในκกว่าในα ในจุลภาค
การกำหนดค่าที่แสดงในรูป 4 ระบบต้านทานไฟฟ้าของ lamellar
โครงสร้างในรูป 4 (ก) อย่างใกล้ชิดเพื่อที่κคาร์ไบด์ แต่ที่อยู่ใน
รูป 4 (ข) เป็นอย่างใกล้ชิดกับที่ของเฟสα [30,33] ทดลองวัด
ค่าที่ยินยอมให้การวิเคราะห์เชิงทฤษฎี

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ที่ฉันเป็นธาตุความต้านทานของตัวถูกละลายในเมทริกซ์ [ 32 ] ρ . สำหรับการเปลี่ยนโลหะ ( เช่น Fe , อิเล็กตรอนอิเล็กตรอนกระเจิงทำให้ signifi -ไม่สามารถสร้างρ 0 ( t ) ที่อุณหภูมิต่ำ พบว่า ρ 0 ( T )น่าจะแทนด้วย 1 / 1 / ρ 0 ( T ) + 1 / ρนั่ง ) สำหรับเหล็กที่ρนั่งคือค่าความอิ่มตัวของสี [ 32 ] ρ 0 ( T ) และρนั่งใช้ค่าเดียวกันคาร์ไบด์และระยะเหล็ก ตามทฤษฎีแมตทีเซิ่น ,มีความต้านทานไฟฟ้าของκ - คาร์ไบด์จะสูงกว่าของαเฟสเนื่องจากสูงกว่า ซีอัลและองค์ประกอบของแมงกานีสκกว่าในα . ในโครงสร้างค่าที่แสดงในรูปที่ 4 ระบบความต้านทานไฟฟ้าของการทโครงสร้างในรูปที่ 4 ( ) เป็นอย่างใกล้ชิดเพื่อให้κ - คาร์ไบด์ แต่ในรูปที่ 4 ( B ) อย่างใกล้ชิดเพื่อที่ของαเฟส [ 30,33 ] ทดลองวัดค่ายินยอมเพื่อการวิเคราะห์ทางทฤษฎี