Fig. 2 shows the surfaces and cross

Fig. 2 shows the surfaces and cross sections of the corresponding
MAPbI3 films, which is formed by spin-coating MAI on the PbI2-
xprefilm, denoted as MAPbI3-xprefilm (x = 0, 0.1, 0.2, 0.3 and 0.4).
As seen in all the pre-treated samples, MAPbI3 film is sensitive to
the PbI2-xprefilm. For MAPbI3-0.2prefilm, it is apparently noticed
that the roughness is decreased, and similar perovskite crystals
spread uniformly on the TiO2 substrate in Fig. 2b. However, perovskite
grains of different sizes mix together and arrange disorderly
for MAPbI3-0prefilm. And the cross-section view of Fig. 2c and d,
directly indicates thatthe MAPbI3 film without x-prefilm is rougher
than MAPbI3-0.2prefilm. The reason may be ascribed to the MAI
solution penetrating into the hole of PbI2 film, leading to the simultaneous
reaction on surface and inside of the PbI2 film. And the
perovskite crystal grows at random, as MAPbI3 crystal corner and
the gap between adjacent crystals can be seen in Fig. 2a clearly. In
Seigo Ito’s study, a smooth perovskite layer on mesoporous TiO2
can enhance the shunt resistance of cell and would be able to
block the short circuit between TiO2 and spiro-OMeTAD [21,22].
In addition to the difference of surface roughness, the perovskite
layer thickness is varied. MAPbI3-0prefilm is about 460 nm, and
MAPbI3-0.2prefilm is about 200 nm. According to Xing’s research,
the electron-hole diffusion length is about 100 nanometres in
solution processed MAPbI3 [23]. The perovskite layer with excess
thickness may interfere with the electron injection into TiO2 [24]

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

รูปที่ 2 แสดงพื้นผิวและข้ามส่วนสอดคล้องกันMAPbI3 ฟิล์ม ซึ่งเกิดขึ้น โดยไม้หมุนเคลือบบน PbI2-ตาม MAPbI3 xprefilm, xprefilm (x = 0, 0.1, 0.2, 0.3 และ 0.4)เท่าที่เห็นในตัวอย่างที่ผ่าน MAPbI3 ฟิล์มมีความไวต่อPbI2-xprefilm สำหรับ MAPbI3-0.2prefilm เป็น apparently สังเกตว่า ที่ขรุขระเป็นผลึก perovskite ที่ลดลง และคล้ายคลึงกันกระจายอย่างสม่ำเสมอบนพื้นผิวของ TiO2 ในรูป 2b อย่างไรก็ตาม perovskiteเม็ดขนาดต่าง ๆ ส่วนผสม และจัดเรียงทุลักทุเลสำหรับ MAPbI3-0prefilm ดูหน้าตัดรายขวางรูป 2c และ dโดยตรงแสดงว่า ฟิล์ม MAPbI3 โดย x prefilm หยาบกว่า MAPbI3-0.2prefilm เหตุผลที่อาจได้รับการกำหนดไปเชียงใหม่เจาะเข้าไปในรูของ PbI2 ฟิล์ม นำไปสู่การแก้ปัญหาปฏิกิริยา บนผิว และภาย ในฟิล์ม PbI2 และการเติบโตขึ้นผลึก perovskite ที่สุ่ม เป็น MAPbI3 คริสตัลมุม และช่องว่างระหว่างผลึกติดกันคุณจะได้ในรูป 2a อย่างชัดเจน ในการศึกษา Seigo อิโตะ ชั้น perovskite เรียบบนตัว TiO2สามารถเพิ่มความต้านทานการแบ่งของเซลล์ และจะสามารถป้องกันไฟฟ้าลัดวงจรระหว่าง TiO2 และ spiro-OMeTAD [21,22]นอกจากความแตกต่างของพื้นผิวที่ขรุขระ perovskiteความหนาแตกต่างกัน MAPbI3-0prefilm เป็นประมาณ 460 nm และMAPbI3-0.2prefilm เป็นประมาณ 200 nm ตามงานวิจัยของ Xingความยาวการกระจายอิเล็กตรอนหลุมคือ nanometres 100 ในโซลูชันการประมวลผล MAPbI3 [23] ชั้น perovskite ที่ มีส่วนเกินความหนาอาจไปรบกวนกับการฉีดอิเล็กตรอนเป็น TiO2 [24]

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

มะเดื่อ. 2 แสดงให้เห็นพื้นผิวและส่วนข้ามของที่สอดคล้อง
ภาพยนตร์ MAPbI3 ซึ่งจะเกิดขึ้นโดยการหมุนเคลือบเอ็มเอไอใน PbI2-
xprefilm, แสดงเป็น MAPbI3-xprefilm (x = 0, 0.1, 0.2, 0.3 และ 0.4).
เท่าที่เห็นในทุก ตัวอย่างก่อนได้รับการรักษาฟิล์ม MAPbI3 มีความไวต่อ
PbI2-xprefilm สำหรับ MAPbI3-0.2prefilm ก็จะเห็นได้ชัดว่าสังเกตเห็น
ว่าความหยาบกร้านจะลดลงและผลึกคล้าย perovskite
แพร่กระจายอย่างสม่ำเสมอบนพื้นผิว TiO2 ในรูป 2b อย่างไรก็ตาม perovskite
ธัญพืชขนาดแตกต่างกันผสมกันและจัดระเบียบ
สำหรับ MAPbI3-0prefilm และมุมมองข้ามส่วนของรูป 2C และ D
โดยตรงบ่งชี้ฟิล์ม MAPbI3 thatthe โดยไม่ต้อง X-prefilm เป็นหยาบ
กว่า MAPbI3-0.2prefilm เหตุผลที่อาจจะกำหนดให้เอ็มเอไอ
แก้ปัญหาการเจาะลงไปในหลุมของภาพยนตร์ PbI2 ที่นำไปพร้อมกัน
ปฏิกิริยาบนพื้นผิวและภายในของภาพยนตร์ PbI2 และ
คริสตัล perovskite เติบโตที่สุ่มเป็นมุมคริสตัล MAPbI3 และ
ช่องว่างระหว่างผลึกที่อยู่ติดกันสามารถมองเห็นได้ในรูป 2a อย่างชัดเจน ใน
การศึกษา Seigo Ito ของชั้น perovskite เรียบบน TiO2 เม
สามารถเพิ่มความต้านทานต่อการแบ่งเซลล์และจะสามารถ
ป้องกันการลัดวงจรระหว่าง TiO2 และ Spiro-OMeTAD [21,22].
นอกจากความแตกต่างของพื้นผิวที่ขรุขระที่ perovskite
ความหนาของชั้นจะแตกต่างกัน MAPbI3-0prefilm เป็นเรื่องเกี่ยวกับ 460 นาโนเมตรและมี
MAPbI3-0.2prefilm ประมาณ 200 นาโนเมตร ตามการวิจัย Xing ของ
ความยาวของการแพร่กระจายของอิเล็กตรอนหลุมประมาณ 100 นาโนเมตรใน
การแก้ปัญหาการประมวลผล MAPbI3 [23] ชั้น perovskite กับส่วนที่เกิน
ความหนาอาจรบกวนการฉีดอิเล็กตรอนเข้า TiO2 [24]

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

รูปที่ 2 แสดงชนิดและข้ามส่วนที่สอดคล้องกันภาพยนตร์ mapbi3 ซึ่งเกิดจากการหมุนใหม่บน pbi2 - เคลือบxprefilm เขียนแทนเป็น mapbi3 xprefilm ( x = 0 , 0.1 , 0.2 , 0.3 และ 0.4 )ที่เห็นทั้งหมดก่อนปฏิบัติ ตัวอย่าง mapbi3 ฟิล์มมีความไวต่อการ pbi2 xprefilm . สำหรับ mapbi3-0.2prefilm มันเห็นได้ชัดว่า สังเกตเห็นที่ผิวลดลงและรัตนากรที่คล้ายกันเพอรอฟสไกต์กระจายอย่างสม่ำเสมอบนพื้นผิว ) ในรูปที่ 2B . อย่างไรก็ตาม , เพอรอฟสไกต์เม็ดขนาดแตกต่างกันผสมเข้าด้วยกัน และจัด ระเนระนาดสำหรับ mapbi3-0prefilm . และมุมมองของภาพตัดขวาง 2C Dโดยระบุว่า mapbi3 ภาพยนตร์โดยไม่ x-prefilm หยาบกว่า mapbi3-0.2prefilm . เหตุผลอาจเป็น ascribed ไปเชียงใหม่โซลูชั่นทะลวงเข้าไปในรูของ pbi2 ภาพยนตร์ นําไปพร้อมกันปฏิกิริยาบนพื้นผิวและภายในภาพยนตร์ pbi2 . และเพอรอฟสไกต์คริสตัลเติบโตที่สุ่มเป็นมุม mapbi3 คริสตัลและช่องว่างระหว่างผลึกอยู่ติดกัน สามารถเห็นได้ในรูปที่ 2A อย่างชัดเจน ในของ Seigo โตะเรียน ชั้นเพอรอฟสไกด์เรียบในเมโซ TiO2สามารถเพิ่มความต้านทานของหลอดเลือดและเซลล์จะสามารถป้องกันการลัดวงจรระหว่าง TiO2 และ Spiro ometad [ 21,22 ]นอกจากความแตกต่างของความขรุขระพื้นผิว , เพอรอฟสไกต์ความหนาของชั้นแตกต่างกัน mapbi3-0prefilm ประมาณ 460 nm และmapbi3-0.2prefilm ประมาณ 200 นาโนเมตร ตามการวิจัยซิ่งของอิเล็กตรอนหลุมยาวประมาณ 100 นาโนเมตร ในการแพร่โซลูชั่นการประมวลผล mapbi3 [ 23 ] รังสีเอ็กซ์หรือส่วนเกินความหนาอาจรบกวนกับอิเล็กตรอนฉีดเข้าไป ) [ 24 ]