SiC is an extremely promising mater

SiC is an extremely promising material for nanoelectromechanical systems given its large Young's modulus and robust surface properties. We have patterned nanometer scale electromechanical resonators from single-crystal 3C-SiC layers grown epitaxially upon Si substrates. A surface nanomachining process is described that involves electron beam lithography followed by dry anisotropic and selective electron cyclotron resonance plasma etching steps. Measurements on a representative family of the resulting devices demonstrate that, for a given geometry, nanometer-scale SiC resonators are capable of yielding substantially higher frequencies than GaAs and Si resonators.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ไฮโลเป็นวัสดุแนวโน้มอย่างมากสำหรับระบบ nanoelectromechanical คุณสมบัติของพื้นผิวแข็งแกร่งและโมดูลัสขนาดใหญ่เล็กของมัน เรามีลวดลายเวลาไฟฟ้าขนาดนาโนเมตรจากชั้นเดี่ยวคริสตัล 3C ฉบับโต epitaxially พื้นผิวศรี กระบวนการ surface nanomachining จะอธิบายที่เกี่ยวข้องกับการทำลวดลายวงจรลำแสงอิเล็กตรอนตาม ด้วยพลาสม่าสะท้อน cyclotron แห้งอิเล็กตรอนศาตร์ และเลือกขั้นตอนการแกะสลัก ครอบครัวตัวแทนของอุปกรณ์ผลการวัดแสดงให้เห็นว่า สำหรับรูปทรงเรขาคณิตที่กำหนด เวลา SiC ในระดับนาโนเมตรจะสามารถส่งความถี่สูงกว่าเวลา GaAs และศรี

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

SiC เป็นวัสดุที่มีแนวโน้มมากสำหรับระบบ Nanoelectromechanical รับขนาดใหญ่ของเด็กหนุ่มของโมดูลัสและคุณสมบัติของพื้นผิวที่มีประสิทธิภาพ เราได้มีลวดลายขนาดนาโนเมตร resonators ไฟฟ้าจากผลึกเดี่ยวชั้น 3C-SiC เติบโต epitaxially บนพื้นผิวศรี กระบวนการพื้นผิว nanomachining อธิบายไว้ที่เกี่ยวข้องกับการพิมพ์หินลำแสงอิเล็กตรอนตาม anisotropic แห้งและอิเล็กตรอน cyclotron ขั้นตอนการกำทอนพลาสม่าแกะสลักเลือก วัดในครอบครัวที่เป็นตัวแทนของอุปกรณ์ที่เกิดขึ้นแสดงให้เห็นว่าสำหรับรูปทรงเรขาคณิตที่กำหนดนาโนเมตรขนาด resonators SiC มีความสามารถในการให้ผลผลิตความถี่สูงกว่า GaAs และศรี resonators

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

SIC เป็นวัสดุที่มีแนวโน้มมากสำหรับระบบ nanoelectromechanical ระบุขนาดของค่าโมดูลัสของยังและทนทาน คุณสมบัติพื้นผิว ขณะนี้มีลวดลายระดับนาโนเมตร ( resonators จาก single-crystal 3C SIC ชั้นโต epitaxially เมื่อจังหวัดท พื้นผิว nanomachining กระบวนการอธิบายที่เกี่ยวข้องกับลำแสงอิเล็กตรอนภายในตามทิศทางการแห้งและอิเล็กตรอนไซโคลตรอนแนนซ์พลาสมาแกะสลักขั้นตอน การวัดในตัวแทนครอบครัวของอุปกรณ์แสดงผลที่ให้รูปทรงเรขาคณิตระดับนาโนเมตร SIC resonators ที่มีความถี่สูงกว่านี้ และศรี resonators ยวบยาบ