An npn BJT emitter-bias configurati

An npn BJT emitter-bias configuration with two power supplies must be designed so that it achieves a bias stability of 1% change in IC for the variation in BF found in the transistor used to manufacture the circuit.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

Npn ภูมิใจอคติยิงโครงกับเครื่องกำเนิดไฟฟ้าสองต้องออกแบบมาเพื่อให้มันประสบความสำเร็จมีเสถียรภาพ bias จากการเปลี่ยนแปลง 1% IC สำหรับการเปลี่ยนแปลงใน B F พบในทรานซิสเตอร์ที่ใช้ในการผลิตวงจร

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

การกำหนดค่าอีซีแอลอคติ NPN BJT กับสองอุปกรณ์ไฟฟ้าจะต้องได้รับการออกแบบเพื่อที่จะประสบความสำเร็จในความมั่นคงอคติของการเปลี่ยนแปลง 1% ใน IC สำหรับการเปลี่ยนแปลงใน B F พบในทรานซิสเตอร์ที่ใช้ในการผลิตวงจร

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การตั้งค่าการกำหนดค่า NPN BJT อีซี 2 เพาเวอร์ซัพพลาย ต้องออกแบบให้มันใช้ อคติ เสถียรภาพของการเปลี่ยนแปลงร้อยละ 1 ใน IC สำหรับการเปลี่ยนแปลงใน BF ที่พบในทรานซิสเตอร์ที่ใช้ในการผลิตวงจร