when the samples were annealed in v

when the samples were annealed in vacuum, the concentration of O2 surrounding the annealed ZnO/Al2O3 coatings is extremely low. According to defect Eq. (2), the thermodynamic balance will move toward the right side, which implies that the oxygen atoms are preferential to be liberated from oxygen vacancies, resulting in higher concentration of oxygen vacancies thus higher electrical conductivity of ZnO particles. Consequently, the dielectric properties of annealed ZnO/Al2O3 coatings will be remarkably affected by the increased number of oxygen vacancies in the ZnO phase. On the one hand, the real part (ε ) which represents the degree of polarization occurring under the electromagnetic field could be affected with higher amount of oxygen vacancy defects. For example, the decreased value of ε of B4 coating is possibly attributed to the loss of relaxation polarization effect under the high frequency electromagnetic field. On the other hand, the imaginary part (ε ) of the coating which is closely related to the electrical conductivity according to Eq. (1), was found to be significantly increased after annealing treatment in vacuum

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เมื่อตัวอย่างที่อบในเครื่องดูดฝุ่น ความเข้มข้นของ O2 รอบอบเคลือบ ZnO/Al2O3 เป็นต่ำมาก ตามข้อบกพร่องที่ Eq. (2), สมดุลทางอุณหพลศาสตร์จะย้ายไปทางด้านขวา ซึ่งก็หมายความว่า อะตอมออกซิเจนมีสิทธิได้รับการปลดปล่อยจากออกซิเจนตำแหน่ง ผลสูงกว่าความเข้มข้นของออกซิเจนตำแหน่งจึงสูงกว่าการนำไฟฟ้าของอนุภาค ZnO จึง คุณสมบัติเป็นฉนวนเคลือบ ZnO/Al2O3 อบจะได้อย่างน่าทึ่งรับผล ด้วยจำนวนตำแหน่งงานว่างของออกซิเจนเพิ่มขึ้นในระยะ ZnO ในด้านหนึ่ง ส่วนจริง (ε) ซึ่งแสดงถึงระดับของโพลาไรซ์ที่เกิดขึ้นภายใต้สนามแม่เหล็กไฟฟ้า อาจได้รับผลกระทบจำนวนออกซิเจนบกพร่องตำแหน่งสูงกว่า ตัว ค่าεของ B4 เคลือบลดลงมาอาจจะประกอบกับการสูญเสียของผลโพลาไรซ์ผ่อนคลายภายใต้ฟิลด์แม่เหล็กไฟฟ้าความถี่สูง บนมืออื่น ๆ ส่วนจินตภาพ (ε) ของเคลือบซึ่งเกี่ยวข้องกับการนำไฟฟ้าตาม Eq. (1), อย่างใกล้ชิด พบว่าจะเพิ่มขึ้นอย่างมีนัยสำคัญหลังจากการหลอมในสูญญาการักษา

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เมื่อกลุ่มตัวอย่างได้รับการอบในสูญญากาศ, ความเข้มข้นของ O2 รอบอบเคลือบซิงค์ออกไซด์ / Al2O3 อยู่ในระดับต่ำมาก ตามที่มีข้อบกพร่องสม (2) บริษัท ฯ มียอดอุณหพลศาสตร์จะย้ายไปทางด้านขวาซึ่งหมายความว่าอะตอมออกซิเจนที่มีสิทธิพิเศษที่จะได้รับการปลดปล่อยจากตำแหน่งงานว่างออกซิเจนที่เกิดในความเข้มข้นที่สูงขึ้นของตำแหน่งงานว่างออกซิเจนการนำไฟฟ้าจึงสูงขึ้นของอนุภาคซิงค์ออกไซด์ ดังนั้นคุณสมบัติเป็นฉนวนของอบเคลือบซิงค์ออกไซด์ / Al2O3 จะได้รับผลกระทบอย่างน่าทึ่งด้วยจำนวนที่เพิ่มขึ้นของตำแหน่งงานว่างออกซิเจนในขั้นตอนการซิงค์ออกไซด์ ในมือข้างหนึ่ง, ส่วนที่แท้จริง (ε) ซึ่งหมายถึงระดับของโพลาไรซ์ที่เกิดขึ้นภายใต้สนามแม่เหล็กไฟฟ้าที่อาจจะได้รับผลกระทบกับจำนวนเงินที่สูงขึ้นของข้อบกพร่องว่างออกซิเจน ยกตัวอย่างเช่นมูลค่าที่ลดลงของεของ B4 เคลือบอาจจะนำมาประกอบกับการสูญเสียของผลการผ่อนคลายโพลาไรซ์ภายใต้สนามแม่เหล็กไฟฟ้าความถี่สูง บนมืออื่น ๆ , ส่วนจินตภาพ (ε) ของสารเคลือบผิวที่เกี่ยวข้องอย่างใกล้ชิดกับการนำไฟฟ้าตามสมการ (1) ถูกพบว่ามีการเพิ่มขึ้นอย่างมีนัยสำคัญหลังจากการอบอ่อนรักษาในสูญญากาศ