The imminent demise of flash memory

The imminent demise of flash memory at the hands of some new technological upstart has been predicted at least for the last decade. The latest pretender to the throne is the so-called memristor (also called resistive RAM, ReRAM, or RRAM). Of course, if you don’t like the term “memristor”, you can alternatively refer to it as “two-terminal non-volatile memory devices based on resistance switching.”

Now researchers at ETH Zurich have designed a memristor device out of perovskite just 5 nanometres thick that has three stable resistive states, which means it can encode data as 0,1 and 2, or a “trit” as opposed to a “bit.”

The research, which was published in the journal ACS Nano, developed model devices that have two competing nonvolatile resistive switching processes. These switching processes can be alternatively triggered by the effective switching voltage and time applied to the device.

"Our component could therefore also be useful for a new type of IT (Information Technology) that is not based on binary logic, but on a logic that provides for information located 'between' the 0 and 1," said Jennifer Rupp, professor in the Department of Materials at ETH Zurich, in a press release. "This has interesting implications for what is referred to as fuzzy logic, which seeks to incorporate a form of uncertainty into the processing of digital information. You could describe it as less rigid computing."

The researchers also believe this capability could make these devices applicable to so-called neuromorphic computing. Earlier this year, researchers at Northwestern University used the two-dimensional material molybdenum disulfide (MoS2) to create the third terminal for the memristor to simulate the neurons of the human brain.

While artificial intelligence is an attractive offshoot of this research, the main achievement has been to identify the carriers of electrical charge and understand their relationship with the three stable states.

Rupp added: "This is extremely important knowledge for materials science which will be useful in refining the way the storage operates and in improving its efficiency.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ลูกใกล้มาถึงหน่วยความจำแฟลชแต่บาง upstart เทคโนโลยีใหม่ได้ถูกทำนายน้อยสำหรับทศวรรษ Pretender ล่าบัลลังก์ memristor เรียกว่า (อาจเรียก ว่าหน้าราม ReRAM, RRAM) ได้ แน่นอน ถ้าคุณไม่ชอบคำว่า "memristor" คุณสามารถหรืออ้างอิงเป็น "สองเทอร์มินัลไม่ระเหยอุปกรณ์หน่วยความจำขึ้นอยู่กับความต้านทานเปลี่ยน"ขณะนี้ นักวิจัยที่ซูริก ETH ได้ออกแบบอุปกรณ์ memristor จาก perovskite เพียง 5 nanometres หนาที่มีสถานะมั่นคงหน้าสาม ซึ่งหมายความว่า มันสามารถเข้ารหัสข้อมูลเป็น 0,1 และ 2 หรือ "trit" จำกัด "เล็กน้อย"การวิจัยที่ตีพิมพ์ในสมุด ACS นาโน พัฒนาอุปกรณ์รุ่นที่สองแข่งขัน nonvolatile หน้าเปลี่ยนกระบวน เหล่านี้เปลี่ยนกระบวนสามารถเริ่ม โดยแรงดันไฟฟ้าสลับที่มีประสิทธิภาพและเวลาที่ใช้กับอุปกรณ์"ส่วนประกอบของเราจึงยังอาจมีประโยชน์สำหรับชนิดใหม่ไว้ (เทคโนโลยีสารสนเทศ) ที่ไม่อยู่ บนตรรกะ binary แต่ ในตรรกะที่แสดงข้อมูลอยู่ 'ระหว่าง' 0 และ 1 กล่าวว่า เจนนิเฟอร์ Rupp ศาสตราจารย์ในแผนกวัสดุที่ ETH ซูริค ในข่าวประชาสัมพันธ์ "นี้มีนัยที่น่าสนใจสำหรับการที่จะเรียกว่าตรรกศาสตร์ ที่พยายามที่จะรวมรูปแบบของความไม่แน่นอนในการประมวลผลข้อมูลดิจิทัล คุณสามารถอธิบายมันเป็นน้อยงวดคำนวณ"นักวิจัยยังเชื่อว่า ความสามารถนี้ทำให้อุปกรณ์เหล่านี้ใช้กับคอมพิวเตอร์เรียกว่า neuromorphic ก่อนหน้านี้ปีนี้ นักวิจัยที่มหาวิทยาลัยตะวันตกเฉียงเหนือใช้การโมลิบดีนัมวัสดุสองมิติไดซัลไฟด์ (MoS2) เพื่อสร้างเทอร์มินัลที่สามสำหรับ memristor แสร้ง neurons ของสมองมนุษย์ปัญญาประดิษฐ์เป็น offshoot น่าสนใจของการศึกษา ความสำเร็จที่สำคัญได้ระบุสายการบินของประจุไฟฟ้า และเข้าใจความสัมพันธ์กับอเมริกามั่นคงสามเพิ่ม Rupp: "นี่คือความรู้ที่สำคัญมากสำหรับวัสดุศาสตร์ซึ่งจะเป็นประโยชน์ ในการปรับวิธีดำเนินการจัดเก็บข้อมูล และปรับปรุงประสิทธิภาพของ การ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

การตายใกล้ของหน่วยความจำแฟลชที่อยู่ในมือของบางอย่างพุ่งพรวดเทคโนโลยีใหม่ที่ได้รับการคาดการณ์อย่างน้อยสำหรับทศวรรษที่ผ่านมา อ้างล่าสุดบัลลังก์เป็น memristor ที่เรียกว่า (ที่เรียกว่าแรมทาน ReRAM หรือ RRAM) แน่นอนถ้าคุณไม่ชอบคำว่า "memristor" คุณหรือสามารถเรียกมันว่า "สองขั้วอุปกรณ์หน่วยความจำแบบไม่ลบเลือนอยู่บนพื้นฐานของการเปลี่ยนความต้านทาน." ตอนนี้นักวิจัยที่ผลประโยชน์ทับซ้อนซูริคได้รับการออกแบบอุปกรณ์ memristor จาก perovskite เพียง 5 นาโนเมตรหนาที่มีสามรัฐทานที่มีเสถียรภาพซึ่งหมายความว่ามันสามารถเข้ารหัสข้อมูลเป็น 0,1 และ 2 หรือ "trit" เมื่อเทียบกับ "บิต." การวิจัยซึ่งได้รับการตีพิมพ์ในวารสาร ACS นาโนที่พัฒนา อุปกรณ์รูปแบบที่มีสองการแข่งขันกระบวนการสลับทาน nonvolatile กระบวนการเปลี่ยนเหล่านี้สามารถถูกเรียกอีกทางเลือกหนึ่งโดยแรงดันไฟฟ้าสลับที่มีประสิทธิภาพและเวลาที่จะใช้อุปกรณ์. "องค์ประกอบของเราสามารถจึงยังเป็นประโยชน์สำหรับชนิดใหม่ของไอที ​​(Information Technology) ที่ไม่ได้อยู่บนพื้นฐานของตรรกะไบนารี แต่ในตรรกะที่ ให้ข้อมูลที่ตั้งอยู่ระหว่าง '0 และ 1, "เจนนิเฟอร์รัปป์อาจารย์ในภาควิชาวัสดุที่ ETH ซูริคในการแถลงข่าวกล่าวว่า "นี้มีผลกระทบที่น่าสนใจสำหรับสิ่งที่เรียกว่าตรรกศาสตร์เป็นซึ่งพยายามที่จะรวมรูปแบบของความไม่แน่นอนลงไปในการประมวลผลของข้อมูลดิจิตอล. คุณอาจจะบอกว่ามันเป็นคอมพิวเตอร์ที่เข้มงวดน้อย." นักวิจัยยังเชื่อว่าความสามารถนี้จะทำให้อุปกรณ์เหล่านี้ใช้บังคับ จะเรียกว่าคอมพิวเตอร์ neuromorphic ปีก่อนหน้านี้นักวิจัยที่มหาวิทยาลัย Northwestern University ใช้โมลิบดีนัมวัสดุสองมิติซัลไฟด์ (MoS2) เพื่อสร้างขั้วที่สามสำหรับ memristor เพื่อจำลองเซลล์ประสาทของสมองมนุษย์. ในขณะที่ปัญญาประดิษฐ์เป็นหน่อที่น่าสนใจของงานวิจัยนี้สำเร็จหลัก . ได้รับการระบุผู้ให้บริการค่าใช้จ่ายไฟฟ้าและเข้าใจความสัมพันธ์ของพวกเขากับสามรัฐที่มั่นคงรัปป์กล่าวว่า"นี่คือความรู้ที่สำคัญอย่างยิ่งสำหรับวัสดุศาสตร์ซึ่งจะเป็นประโยชน์ในการปรับแต่งวิธีการจัดเก็บและการดำเนินงานในการปรับปรุงประสิทธิภาพในการใช้

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ใกล้ความตายของหน่วยความจำแฟลชที่มือบางเทคโนโลยีใหม่ของคนทะลึ่งได้ถูกทำนายไว้อย่างน้อยทศวรรษที่ผ่านมา การอ้างล่าสุดบัลลังก์เป็นเมมริ ตอร์เรียกว่า ( เรียกว่าตัวต้านทานราม reram หรือ rram ) แน่นอนถ้าคุณไม่ชอบคำว่า " เมมริ ตอร์ "หรือคุณสามารถเรียกมันว่า " สองขั้วไม่ระเหยขึ้นอยู่กับหน่วยความจำอุปกรณ์เปลี่ยนความต้านทาน "

ตอนนี้นักวิจัยที่ ETH Zurich ได้ออกแบบอุปกรณ์เมมริ ตอร์ของเพอรอฟสไกต์ 5 นาโนเมตรหนาที่มีสามรัฐตัวต้านทานคงที่ซึ่งหมายความว่ามันสามารถเข้ารหัสข้อมูลเป็น 0.1 และ 2 หรือ " ทริต " เป็นนอกคอก " บิต "

การวิจัยซึ่งได้รับการตีพิมพ์ในวารสาร ACS Nano , การพัฒนาอุปกรณ์แบบที่ 2 เป็นการแข่งขัน nonvolatile ตัวต้านทานเปลี่ยนกระบวนการ เหล่านี้สามารถถูกทริกเกอร์ โดยเปลี่ยนกระบวนการหรือมีประสิทธิภาพสลับแรงดันไฟฟ้า และเวลาที่ใช้กับอุปกรณ์

" ส่วนของเราจึงยังเป็นประโยชน์สำหรับชนิดใหม่ของไอที ( เทคโนโลยีสารสนเทศ ) ที่ไม่ยึดแบบตรรกะแต่ในตรรกะที่ให้ข้อมูลอยู่ระหว่าง 0 และ 1 ' ' เจนนิเฟอร์ รัป ศาสตราจารย์ในภาควิชาวัสดุที่ ซูริค ในงานแถลงข่าว " นี้ความหมายที่น่าสนใจสำหรับสิ่งที่เรียกว่าตรรกศาสตร์คลุมเครือซึ่งพยายามที่จะรวมรูปแบบของความไม่แน่นอนในการประมวลผลของข้อมูลดิจิตอล คุณสามารถอธิบายมันเป็นคอมพิวเตอร์ "

แข็งน้อยกว่านักวิจัยยังเชื่อว่า ความสามารถนี้จะทำให้อุปกรณ์เหล่านี้สามารถใช้ได้กับคอมพิวเตอร์ neuromorphic ที่เรียกว่า ปีก่อนหน้านี้ , นักวิจัยที่มหาวิทยาลัยทางทิศตะวันตกเฉียงเหนือ ใช้วัสดุ 2 มิติ โมลิบดีนัมไดซัลไฟด์ ( mos2 ) เพื่อสร้างอาคารที่สามสำหรับเมมริ ตอร์จำลองเซลล์ประสาทของสมองมนุษย์ .

ในขณะที่ปัญญาประดิษฐ์เป็นหน่อที่น่าสนใจของการวิจัยผลสัมฤทธิ์ทางการ เรียนวิชาหลักที่ได้รับการระบุตัวประจุไฟฟ้า และเข้าใจความสัมพันธ์ของพวกเขากับสามมีเสถียรภาพรัฐ

รัปเพิ่ม : " นี้คือความรู้ที่สำคัญมากสำหรับวัสดุวิทยาศาสตร์ ซึ่งจะเป็นประโยชน์ในการปรับวิธีการทำงาน และจัดเก็บในการปรับปรุงประสิทธิภาพของ