Quantum Dot Sensitized Solar Cells

Quantum Dot Sensitized Solar Cells are emerging as a new type of photovoltaic device. In this context, ZnO
nanoporous films have been sensitized to the visible by depositing CdSe quantum dots (QDs) by the socalled
Successive Ionic Layer Adsorption and Reaction (SILAR) method. Experiments using a ZnO(0001)
single crystal reveal that the surface is nearly fully covered with CdSe QDs even after only 2 SILAR cycles.
In agreement, Transmission Electron Microscopy images of the nanoporous electrodes show the initial
generation of small nanoparticles, which finally leads to the formation of large aggregates. In the absence
of an electron scavenger in solution, the CdSe-sensitized ZnO electrodes show an Incident Photon to
Current Efficiency as high as 70%, similar to previously reported values for TiO2 electrodes. In addition,
zinc oxide photoanodes prepared by SILAR are also more efficient than those sensitized with colloidal
CdSe QDs attached to the oxide through molecular linkers. The prospects of preparing complete quantum
dot solar cells based on ZnO as electron conducting phase are briefly discussed.

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ควอนตัมดอท Sensitized เซลล์แสงอาทิตย์จะเกิดขึ้นเป็นรูปแบบใหม่ของอุปกรณ์ไฟฟ้าโซลาร์เซลล์ ในบริบทนี้ ZnO
ภาพยนตร์ nanoporous ได้รับไวแสงที่จะสามารถมองเห็นได้โดยการฝากจุดควอนตัม CdSe (QDS) โดย socalled
เนื่องดูดซับชั้นอิออนและปฏิกิริยา (SILAR) วิธีการ การทดลองใช้ซิงค์ออกไซด์ (0001)
ผลึกเดี่ยวเผยให้เห็นว่าพื้นผิวที่ปกคลุมเกือบเต็มที่กับ QDS CdSe แม้หลังจากเพียง 2 รอบ SILAR.
ในข้อตกลงการส่งภาพกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนของขั้วไฟฟ้า nanoporous แสดงเริ่มต้น
การสร้างอนุภาคนาโนขนาดเล็กซึ่งในที่สุดก็จะนำไปสู่ การก่อตัวของมวลขนาดใหญ่ ในกรณีที่ไม่มี
ของกินของเน่าอิเล็กตรอนในการแก้ปัญหาที่ CdSe ไวขั้วซิงค์ออกไซด์แสดง Photon เหตุการณ์ที่จะ
มีประสิทธิภาพปัจจุบันสูงถึง 70% ใกล้เคียงกับค่าที่รายงานก่อนหน้านี้สำหรับขั้วไฟฟ้า TiO2 นอกจากนี้
photoanodes ซิงค์ออกไซด์ที่เตรียมโดย SILAR ยังมีประสิทธิภาพมากขึ้นกว่าผู้ที่มีความไวแสงคอลลอยด์
QDS CdSe ที่แนบมากับออกไซด์ผ่าน Linkers โมเลกุล แนวโน้มของการเตรียมความพร้อมที่สมบูรณ์แบบควอนตัม
จุดเซลล์แสงอาทิตย์บนพื้นฐานของซิงค์ออกไซด์เป็นอิเล็กตรอนการดำเนินการขั้นตอนที่จะกล่าวถึงในเวลาสั้น ๆ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ควอนตัมดอท sensitized เซลล์แสงอาทิตย์จะเกิดใหม่เป็นชนิดใหม่ของอุปกรณ์เซลล์แสงอาทิตย์ ในบริบทนี้เช่นกัน
nanoporous ภาพยนตร์ได้รับชนิดที่มองเห็นได้โดยการฝาก cdse จุดควอนตัม ( QDS ) โดยการดูดซับไอออนชั้นลากข้าง
ต่อเนื่องและปฏิกิริยา ( silar ) วิธี การทดลองใช้ ZnO ( 0001 )
ผลึกเดี่ยวพบว่าพื้นผิวเกือบครอบคลุมทั้งหมดกับ cdse ควอนตัมด็อตแม้เพียง 2 silar รอบ
ตกลง ส่งภาพจากกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนขั้วไฟฟ้า nanoporous แสดงรุ่นแรก
อนุภาคขนาดเล็กซึ่งในที่สุดจะนำไปสู่การก่อตัวของกลุ่มใหญ่ ในการขาดของอิเล็กตรอนในสารละลาย
กินของเน่า ,การ cdse ZnO และขั้วไฟฟ้าที่แสดงเหตุการณ์

) ประสิทธิภาพสูงเท่าที่ 70% ปัจจุบัน คล้ายกับก่อนหน้านี้รายงานค่าสำหรับ TiO2 ขั้วไฟฟ้า นอกจากนี้สังกะสีออกไซด์ที่เตรียมโดย silar
photoanodes ยังมีประสิทธิภาพสูงกว่าและคอลลอยด์
cdse ควอนตัมด็อตโมเลกุลติดไซด์ผ่าน linkers . แนวโน้มของการเตรียม
ควอนตัมที่สมบูรณ์จุดยึดซิงค์ออกไซด์เซลล์แสงอาทิตย์เป็นอิเล็กตรอนตัวนำระยะจะสั้น ๆที่กล่าวถึง