3.5. The optical properties
The transmittance of TNO thin films plotted in Fig. 6 and the optical band gap of the films illustrated in Fig. 7 show that the prepared TNO thin films can be classified in two groups. Group A with total metal concentration of 0.1 M containing samples S1, S3 and S5 with higher transparency and group B with total metal concentration of 0.4 M including samples S2, S4 and S6 with lower transparency. It is found that the average transparency of group A is about 60% and group B is about 50%. The wavy nature in transmission spectra is due to interference effect and a fast decrease in transmittance of S4 can be related to the excitonic transition [18]. The optical band gap determined between 3.4 (eV) to 3.6 (eV) for all samples shows that the group A has a wider band gap than group B, ranking as S1 > S3 > S5 in A and S4 > S2 > S6 in B. Doping with niobium caused the TiO2 optical band gap shift toward higher energies [19] from 3.2 (eV) to 3.6 (eV). Higher band gap of S1 in group A can be explained by increased carrier concentration of electrons in conduction band that is well known as Burstein–Moss effect [20] and also the higher band gap of S3 than S5 can be related to the presence of oxygen due to annealing process in S3. The higher band gap of S4 in group B is related to the oxygen presence caused by annealing process and comparison between S2 and S6 shows wider band gap in S2 because of Burstein–Moss effect. The B–M effect is useful for better conductivity and Oxygen can acts as a conductivity prohibition factor, so in another classification based on the four point surface resistivity meter that demonstrated the conductivity of just S1, S2 and S6 samples, it can be mentioned that the Burstein–Moss effect can be regarded as effective agent in better conductivity of S1, S2 and S6. Also in S3, S4 and S5 that the apparatus did not show any conductivity, the oxygen presence can be regarded as effective factor in optical band gap increasing.
3.5.คุณสมบัติแสงThe transmittance of TNO thin films plotted in Fig. 6 and the optical band gap of the films illustrated in Fig. 7 show that the prepared TNO thin films can be classified in two groups. Group A with total metal concentration of 0.1 M containing samples S1, S3 and S5 with higher transparency and group B with total metal concentration of 0.4 M including samples S2, S4 and S6 with lower transparency. It is found that the average transparency of group A is about 60% and group B is about 50%. The wavy nature in transmission spectra is due to interference effect and a fast decrease in transmittance of S4 can be related to the excitonic transition [18]. The optical band gap determined between 3.4 (eV) to 3.6 (eV) for all samples shows that the group A has a wider band gap than group B, ranking as S1 > S3 > S5 in A and S4 > S2 > S6 in B. Doping with niobium caused the TiO2 optical band gap shift toward higher energies [19] from 3.2 (eV) to 3.6 (eV). Higher band gap of S1 in group A can be explained by increased carrier concentration of electrons in conduction band that is well known as Burstein–Moss effect [20] and also the higher band gap of S3 than S5 can be related to the presence of oxygen due to annealing process in S3. The higher band gap of S4 in group B is related to the oxygen presence caused by annealing process and comparison between S2 and S6 shows wider band gap in S2 because of Burstein–Moss effect. The B–M effect is useful for better conductivity and Oxygen can acts as a conductivity prohibition factor, so in another classification based on the four point surface resistivity meter that demonstrated the conductivity of just S1, S2 and S6 samples, it can be mentioned that the Burstein–Moss effect can be regarded as effective agent in better conductivity of S1, S2 and S6. Also in S3, S4 and S5 that the apparatus did not show any conductivity, the oxygen presence can be regarded as effective factor in optical band gap increasing.
การแปล กรุณารอสักครู่..
![](//thimg.ilovetranslation.com/pic/loading_3.gif?v=b9814dd30c1d7c59_8619)
3.5 คุณสมบัติทางแสง
การส่งผ่านของ TNO ฟิล์มบางจุดในรูป 6 และช่องว่างแถบแสงของภาพยนตร์ที่แสดงในรูป 7 แสดงให้เห็นว่าเตรียม TNO ฟิล์มบางสามารถแบ่งได้เป็นสองกลุ่ม กลุ่มที่มีความเข้มข้นของโลหะรวม 0.1 M ที่มีตัวอย่าง S1, S3 และ S5 ด้วยความโปร่งใสสูงขึ้นและกลุ่ม B กับความเข้มข้นของโลหะรวมของ 0.4 M รวมทั้งตัวอย่าง S2, S4 และ S6 ด้วยความโปร่งใสต่ำ นอกจากนี้ยังพบว่าความโปร่งใสเฉลี่ยของกลุ่มอยู่ที่ประมาณ 60% และกลุ่ม B คือประมาณ 50% ลักษณะหยักในสเปกตรัมการส่งผ่านเป็นเพราะผลกระทบรบกวนและลดลงอย่างรวดเร็วในการส่งผ่านของ S4 อาจจะเกี่ยวข้องกับการเปลี่ยนแปลง excitonic [18] ช่องว่างแถบแสงกำหนดระหว่าง 3.4 (EV) ถึง 3.6 (EV) สำหรับกลุ่มตัวอย่างทั้งหมดแสดงให้เห็นว่ากลุ่มที่มีช่องว่างวงกว้างกว่ากลุ่ม B, การจัดอันดับเป็น S1> S3> S5 ในและ S4> S2> S6 ในบี ยาสลบกับไนโอเบียมเกิดช่องว่างแถบแสง TiO2 เปลี่ยนแปลงที่มีต่อพลังงานที่สูงขึ้น [19] จาก 3.2 (EV) ถึง 3.6 (EV) ช่องว่างแถบที่สูงขึ้นของ S1 ในกลุ่มสามารถอธิบายได้ด้วยความเข้มข้นของผู้ให้บริการที่เพิ่มขึ้นของอิเล็กตรอนในวงการนำที่เป็นที่รู้จักกันดีว่าเป็นผลกระทบ Burstein-มอส [20] และยังเป็นช่องว่างแถบที่สูงขึ้นของ S3 S5 กว่าอาจจะเกี่ยวข้องกับการปรากฏตัวของออกซิเจน เนื่องจากกระบวนการอบอ่อนใน S3 ช่องว่างแถบที่สูงขึ้นของ S4 ในกลุ่ม B เป็นเรื่องที่เกี่ยวข้องกับการปรากฏตัวของออกซิเจนที่เกิดจากกระบวนการหลอมและการเปรียบเทียบระหว่าง S2 และ S6 แสดงให้เห็นช่องว่างวงกว้างขึ้นใน S2 เพราะผล Burstein-มอสส์ B-M มีผลบังคับใช้จะเป็นประโยชน์สำหรับการนำที่ดีขึ้นและออกซิเจนสามารถทำหน้าที่เป็นปัจจัยข้อห้ามการนำดังนั้นในการจัดหมวดหมู่อื่นขึ้นอยู่กับความต้านทานพื้นผิวเมตรสี่จุดที่แสดงให้เห็นถึงการนำเพียง S1, S2 และตัวอย่าง S6 ก็สามารถที่จะกล่าวว่า ผล Burstein-มอสถือได้ว่าเป็นตัวแทนที่มีประสิทธิภาพในการนำที่ดีขึ้นของ S1, S2 และ S6 นอกจากนี้ใน S3, S4 และ S5 ว่าเครื่องไม่ได้แสดงการนำใด ๆ ปรากฏออกซิเจนสามารถถือเป็นปัจจัยที่มีประสิทธิภาพในช่องว่างแถบแสงที่เพิ่มขึ้น
การแปล กรุณารอสักครู่..
![](//thimg.ilovetranslation.com/pic/loading_3.gif?v=b9814dd30c1d7c59_8619)