To learn more about the defect form

To learn more about the defect formation in the growth process, we have performed the EDX measurement for the samples grown under different percentages of In inclusion. Fig. 4 shows the variation of the composition of Zn and O contained in ZnO nanostructures with the percentage of In inclusion. Initially, the composition of zinc is less than that of oxygen. After indium inclusion, the zinc composition increases. The result is similar to the previous work for the inclusion of Se in the growth of GaN, in which the composition of gallium is reduced [14]. Since the composition of zinc is less than oxygen in the sample grown without In inclusion, the origin of defect emission may be attributed to Zn vacancies or O antisites. However, the energy level of Zn vacancy is too large (3.06 eV), so O antisite may be the most probable candidate. Many previous reports have also shown that O antisites may be responsible for the origin of defect emission in high oxygen content surroundings for ZnO materials [15]. With In inclusion, the composition ratio between oxygen and zinc decreases, and the number of O antisites will be reduced. The defect emission is therefore suppressed. This behavior may be understood as follows. Due to the weaker In–O bond than Zn–O bond, the migration velocity of indium is faster than zinc and oxygen atoms on the surface of ZnO crystal. Indium atoms can have more chance to reach Zn lattice site earlier than oxygen atoms during the growth, and O antisites would be reduced and the crystalline quality of zinc oxide would become more perfect. It thus leads to the changes in the morphology, crystallinity, defect density, as well as optical properties of the grown ZnO nanostructures.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เพิ่มเติมเกี่ยวกับการก่อตัวของความบกพร่องในกระบวนการเจริญเติบโต เราได้ทำการประเมินเรื่องตัวอย่างการปลูกภายใต้เปอร์เซ็นต์แตกต่างกันของในรวม Fig. 4 แสดงรูปแบบขององค์ประกอบของ Zn และ O ใน ZnO nanostructures มีเปอร์เซ็นต์ในการรวม เริ่มต้น ส่วนประกอบของสังกะสีได้น้อยกว่าของออกซิเจน หลังจากที่รวมอินเดียม ส่วนประกอบสังกะสีเพิ่ม ผลจะคล้ายกับการทำงานก่อนหน้านี้สำหรับการรวมของ Se ในการเติบโตของย่าน ซึ่งองค์ประกอบของแกลเลียมเป็นลดลง [14] เนื่องจากส่วนประกอบของสังกะสีน้อยกว่าออกซิเจนในตัวอย่างปลูกโดยรวม มาของมลพิษความบกพร่องอาจเกิดจากตำแหน่ง Zn หรือ O antisites อย่างไรก็ตาม ระดับพลังงานของตำแหน่งว่าง Zn จะใหญ่เกินไป (3.06 eV) , เพื่อ O antisite อาจมีผู้สมัครมากที่สุดน่าเป็น รายงานก่อนหน้านี้หลายฉบับได้ยังแสดงว่า O antisites อาจชอบต้นกำเนิดของความบกพร่องปล่อยก๊าซออกซิเจนสูงล้อมรอบเนื้อหาวัสดุ ZnO [15] มีในรวม อัตราส่วนองค์ประกอบ ระหว่างออกซิเจน และสังกะสีลดลง จำนวนโอ antisites จะลดลง มลพิษความบกพร่องจึงปราบพยศ พฤติกรรมนี้อาจเข้าใจได้ดังนี้ เนื่องจากพันธะ – O แกร่งกว่าพันธบัตร Zn – O ความเร็วโยกย้ายของอินเดียมเป็นเร็วกว่าสังกะสีและออกซิเจนอะตอมบนพื้นผิวของผลึก ZnO อะตอมของอินเดียมสามารถมีโอกาสขึ้นไปถึงไซต์โครงตาข่ายประกอบ Zn ก่อนหน้าอะตอมออกซิเจนในระหว่างการเจริญเติบโต และ O antisites จะลดลง และคุณภาพผลึกของสังกะสีออกไซด์จะกลายเป็นสมบูรณ์แบบมากขึ้น มันจึงนำไปสู่การเปลี่ยนแปลงในการสัณฐานวิทยา crystallinity ความหนาแน่นความบกพร่อง ตลอดจนคุณสมบัติแสงของการปลูก ZnO nanostructures

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เพื่อเรียนรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับการก่อความบกพร่องในกระบวนการเจริญเติบโตที่เราได้ดำเนินการวัด EDX สำหรับตัวอย่างที่ปลูกภายใต้ร้อยละที่แตกต่างกันในการรวม มะเดื่อ. 4 แสดงให้เห็นการเปลี่ยนแปลงขององค์ประกอบของธาตุสังกะสีและโอที่มีอยู่ในโครงสร้างนาโนซิงค์ออกไซด์ที่มีร้อยละของในการรวม ในขั้นต้นองค์ประกอบของสังกะสีมีค่าน้อยกว่าที่ของออกซิเจน หลังจากที่รวมอินเดียมที่เพิ่มขึ้นขององค์ประกอบสังกะสี ผลที่ได้คือคล้ายกับการทำงานก่อนหน้านี้สำหรับการรวมของ Se ในการเจริญเติบโตของกานซึ่งในองค์ประกอบของแกลเลียมจะลดลง [14] เนื่องจากองค์ประกอบของสังกะสีน้อยกว่าออกซิเจนในตัวอย่างปลูกโดยไม่ต้องในการรวมการปล่อยก๊าซเรือนกระจกที่มาของข้อบกพร่องที่อาจนำมาประกอบกับ Zn ตำแหน่งงานว่างหรือ O antisites อย่างไรก็ตามระดับพลังงานที่มีตำแหน่งว่างสังกะสีมีขนาดใหญ่เกินไป (3.06 eV) ดังนั้น O antisite อาจจะเป็นผู้สมัครที่น่าจะเป็นที่สุด รายงานก่อนหน้านี้หลายคนยังแสดงให้เห็นว่าโอ antisites อาจจะเป็นผู้รับผิดชอบในการปล่อยก๊าซเรือนกระจกที่มาของข้อบกพร่องในสภาพแวดล้อมที่ปริมาณออกซิเจนสูงสำหรับวัสดุซิงค์ออกไซด์ [15] ด้วยในการรวมองค์ประกอบอัตราส่วนระหว่างออกซิเจนและสังกะสีลดลงและจำนวนของ O antisites จะลดลง การปล่อยข้อบกพร่องจึงถูกระงับ ลักษณะการทำงานนี้อาจจะเข้าใจดังต่อไปนี้ เนื่องจากการปรับตัวลดลงใน-O พันธบัตรกว่าพันธบัตร Zn-O ความเร็วการย้ายถิ่นของอินเดียมได้เร็วขึ้นกว่าสังกะสีและอะตอมออกซิเจนบนพื้นผิวของผลึกซิงค์ออกไซด์ อะตอมอินเดียมสามารถมีโอกาสมากขึ้นในการเข้าถึงเว็บไซต์ตาข่ายสังกะสีก่อนหน้านี้กว่าอะตอมออกซิเจนระหว่างการเจริญเติบโตและ O antisites จะลดลงและคุณภาพของผลึกของสังกะสีออกไซด์จะกลายเป็นสมบูรณ์แบบมากขึ้น มันจึงนำไปสู่​​การเปลี่ยนแปลงในลักษณะทางสัณฐานวิทยาที่เป็นผลึกความหนาแน่นของข้อบกพร่องเช่นเดียวกับคุณสมบัติทางแสงของโครงสร้างนาโนซิงค์ออกไซด์ที่ปลูก

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เรียนรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับการเกิดข้อบกพร่องในกระบวนการเจริญเติบโต เราได้ปฏิบัติการวัดการวัดตัวอย่างที่ปลูกร้อยละที่แตกต่างกันของในรวม รูปที่ 4 แสดงการเปลี่ยนแปลงขององค์ประกอบของสังกะสีและ O อยู่ในซิงค์ออกไซด์นาโน มีเปอร์เซ็นต์ในการรวม . เริ่มแรก , องค์ประกอบของสังกะสีจะน้อยกว่าของออกซิเจน หลังจากที่อินเดียมรวม ,สังกะสีส่วนประกอบเพิ่มขึ้น ผลคล้ายกับงานก่อนหน้านี้สำหรับการรวมของความเร็วในการเจริญเติบโตของกันซึ่งในองค์ประกอบของแกลเลียมจะลดลง [ 14 ] เนื่องจากองค์ประกอบของสังกะสีไม่น้อยกว่าออกซิเจนในตัวอย่างที่ปลูกโดยไม่ในการแหล่งที่มาของมลพิษของเสียอาจจะเกิดจากธาตุว่าง หรือ โอ antisites . อย่างไรก็ตามระดับพลังงานของสังกะสี ที่ว่างมีขนาดใหญ่เกินไป ( 3.06 EV ) ดังนั้น O antisite อาจเป็นผู้สมัครที่น่าจะเป็นมากที่สุด รายงานก่อนหน้านี้หลายคนได้แสดงให้เห็นว่า โอ antisites อาจต้องรับผิดชอบสำหรับที่มาของข้อบกพร่องต่อออกซิเจนสูงสภาพแวดล้อมวัสดุสังกะสี [ 15 ] ในการจัดองค์ประกอบสัดส่วนระหว่างออกซิเจนและสังกะสีลดลง และจำนวนของ O antisites จะลดลงข้อบกพร่องและการปราบปราม พฤติกรรมนี้อาจจะเข้าใจได้ดังนี้ เนื่องจากการลดลงใน– O – O พันธบัตรพันธบัตรกว่าสังกะสี การย้ายถิ่นของอินเดียมความเร็วจะเร็วกว่าสังกะสีและอะตอมออกซิเจนบนพื้นผิวของผลึกซิงค์ออกไซด์ อินเดียมอะตอมสามารถมีโอกาสเข้าถึงสังกะสีตาข่ายเว็บไซต์ก่อนหน้านี้กว่าอะตอมออกซิเจนในการเจริญเติบโตและ O antisites จะลดลงและคุณภาพของผลึกของสังกะสีออกไซด์จะกลายเป็นที่สมบูรณ์แบบมากขึ้น มันจึงนำไปสู่การเปลี่ยนแปลงในลักษณะผลึกความหนาแน่นของข้อบกพร่อง รวมทั้งสมบัติเชิงแสงของซิงค์ออกไซด์นาโนโต .