The sample is placed in the reactio

The sample is placed in the reaction chamber and
the chamber is evacuated.
Process gas(es) are flowed into the chamber to
sustain pressures from 300 to 1500 mTorr.
The process gas is subjected to a MHz-range RF
electromagnetic field, creating plasma at near
ambient temperature.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ตัวอย่างจะอยู่ในห้องปฏิกิริยาและ
ห้องอพยพ.
ก๊าซกระบวนการ (e) จะไหลเข้ามาในห้องเพื่อรักษาแรงกดดัน
300-1500 mtorr.
ก๊าซกระบวนการอยู่ภายใต้การ RF-ช่วง MHz
แม่เหล็กไฟฟ้า สนามพลาสม่าในการสร้างที่อยู่ใกล้
อุณหภูมิ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ตัวอย่างอยู่ในห้องปฏิกิริยา และ
อพยพหอการค้า.
gas(es) กระบวนการเกิดขึ้นในหอการ
รักษาความดันจาก 300 ถึง 1500 mTorr.
ก๊าซกระบวนการขึ้นอยู่ RF MHz ช่วง
สนามแม่เหล็กฟิลด์ สร้างพลาสม่าที่ใกล้
อุณหภูมิ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ตัวอย่างที่อยู่ในช่องเก็บเศษหนวดปฏิกริยาที่ช่องเก็บเศษหนวดและ
ซึ่งจะช่วยอพยพทั้ง.ก๊าซ
กระบวนการ(สเปน)จะไหลเข้าไปในช่องที่จะ
ซึ่งจะช่วยรักษาแรงกดดันจาก 300 ถึง 1500 mtorr .
ก๊าซกระบวนการที่ต้องมีการเกิดสนามแม่เหล็กความถี่วิทยุ RF
MHz - ช่วงที่การสร้างพลาสม่าที่ อุณหภูมิ ใกล้กับ
แวดล้อม