Initial JV parameters for filtered m

Initial JV parameters for filtered mc-Si:H bottom cells (diamonds, primary axis) and a-Si:H/mc-Si:H tandem cells (squares, secondary axis) as a function of NCZnO filling layer thickness on a 1.8 mm thick base layer (B2H6/DEZ ¼ 4.2 Á 10 À 4). (a) open circuit voltage (Voc), (b) fill factor (FF), (c) short circuit current density (Jsc) and (d) conversion efficiency (η). All data points show average values obtained from 8 submodules per experiment.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เริ่มต้นพารามิเตอร์ JV สำหรับ filtered mc-Si:H เซลล์ด้านล่าง (เพชร แกนหลัก) และ -Si:H / mc-Si:H เซลล์ที่ตัวตามกันไป (สี่เหลี่ยม แกนทุติยภูมิ) เป็นฟังก์ชันของ NCZnO ที่บรรจุความหนาชั้นบนชั้นฐานหนา 1.8 มม. (B2H6 DEZ ¼ 4.2 ÁÀ 4 10) (ก) แรงดันไฟฟ้าของวงจรเปิด (Voc), (ข) เติมปัจจัย (FF), ความหนาแน่นปัจจุบัน (c) ไฟฟ้าลัดวงจร (Jsc) และแปลง (d) efficiency (η) จุดข้อมูลทั้งหมดแสดงค่าเฉลี่ยจาก 8 submodules ต่อการทดลอง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

พารามิเตอร์ร่วมทุนเริ่มต้นสำหรับสาย ltered MC-Si: H เซลล์ด้านล่าง (เพชรแกนหลัก) และ-Si: H / MC-Si: H เซลล์ตีคู่ (สี่เหลี่ยมแกนมัธยม) เป็นหน้าที่ของความหนาของชั้น NCZnO บรรจุใน 1.8 มม ชั้นหนาฐาน (B2H6 / DEZ ¼ 4.2 10 A 4) (ก) แรงดันไฟฟ้าวงจรเปิด (Voc), (ข) กรอกปัจจัย (ก), (ค) การลัดวงจรความหนาแน่นกระแส (Jsc) และ (ง) ประสิทธิภาพการแปลงไฟ (η) ทุกจุดข้อมูลที่แสดงค่าเฉลี่ยที่ได้รับจาก 8 submodules ต่อการทดลอง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

พารามิเตอร์เริ่มต้นสำหรับปีจึง ltered MC ศรี : H ด้านล่างเซลล์ ( เพชรหลักแกน ) และอะมอร์ฟัสซิลิคอน Si : H H / MC ตีคู่เซลล์ ( สี่เหลี่ยม แกนทุติยภูมิ ) เป็นฟังก์ชันของ nczno เติมความหนา 1.8 มิลลิเมตร หนาชั้นชั้นฐาน ( b2h6 / เดซ¼ 4.2 Á 10 À 4 ) ( 1 ) แรงดันไฟฟ้าวงจรเปิด ( VOC ) , ( B ) เติมปัจจัย ( FF ) , ( c ) ความหนาแน่นของกระแสลัดวงจร ( JSC ) และ ( d ) การถ่ายทอดประสิทธิภาพ EF ( η )ข้อมูลทุกจุดแสดงค่าเฉลี่ยที่ได้รับจาก 8 submodules ต่อการทดลอง