It has been recognized that self-he

It has been recognized that self-heating substantially
raises SOI device temperature, leading to degradation of
electronic characteristics and reliability. High device
temperature increases the interconnect temperature,
failure rate, delay time, joule heating and power
consumption. These issues need to be considered in SOI
chip design at device and circuit levels.
Because of the thin island and low thermal conductive
BOX, temperature gradients in the islands [1,2] are high,
and cannot be ignored. However, most studies of
self-heating effects in SOI devices/circuits [3,4] have
been based on the isothermal assumption in the device
channel or thin island. In this study, thermal models for
SOI device and interconnect structures [2,5,6] are
applied to perform electrothermal simulation of basic
current mirror and CMOS amplifier structures,
accounting for temperature gradients in silicon islands.
To accurately describe the electrothermal behavior, the
thermal models are coupled with the BSIMSOI electrical
model in Spice. This approach gives more realistic
temperature distributions and heat flow to interconnects
than the single-node BSIMSOI thermal circuit [7]. In
addition, in multi-device structure on a single island of
SOI circuit structure, the proposed approach is able to
reasonably provide heat flow to various terminals and
the temperature distribution in the silicon island.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

จะได้รับเครื่องทำความร้อนด้วยตนเองที่มากอุณหภูมิอุปกรณ์ซอยยก นำไปสู่การสลายตัวของลักษณะอิเล็กทรอนิกส์และความน่าเชื่อถือ อุปกรณ์ที่สูงอุณหภูมิเพิ่มอุณหภูมิ interconnectอัตราความล้มเหลว หน่วงเวลา joule เครื่องทำความร้อน และพลังงานปริมาณการใช้ ปัญหาเหล่านี้จำเป็นต้องพิจารณาในซอยออกแบบชิประดับอุปกรณ์และวงจรบางเกาะและไฟฟ้าความร้อนต่ำกล่อง ไล่ระดับสีอุณหภูมิในเกาะ [1, 2] สูงและไม่สามารถละเว้น อย่างไรก็ตาม ส่วนใหญ่ศึกษามีลักษณะพิเศษของเครื่องทำความร้อนด้วยตนเองในซอยอุปกรณ์/วงจร [3, 4]รับตามสมมติฐาน isothermal อุปกรณ์ช่องหรือบางเกาะ ในการศึกษานี้ รุ่นระบายความร้อนสำหรับซอยอุปกรณ์ และเชื่อมโครงสร้าง [2,5,6] เป็นใช้ทำการจำลองขั้นพื้นฐาน electrothermalปัจจุบันกระจกและ CMOS ขยายโครงสร้างบัญชีสำหรับอุณหภูมิไล่ระดับสีในเกาะซิลิกอนบอกอธิบาย electrothermal ลักษณะการทำงาน การความร้อนรุ่นควบคู่กับ BSIMSOI ไฟฟ้าแบบจำลองในเครื่องเทศ วิธีการนี้ให้สมจริงมากขึ้นการกระจายอุณหภูมิและความร้อนกระแสการเชื่อมโยงกว่าโหนเดียว BSIMSOI ความร้อนวงจร [7] ในนอกจากนี้ ในโครงสร้างอุปกรณ์หลายบนเกาะเดียวของโครงสร้างวงจรซอย วิธีการนำเสนอไม่ได้สมเหตุสมผลให้กระแสความร้อนการเทอร์มินัลต่าง ๆ และการกระจายอุณหภูมิในเกาะซิลิกอน

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

มันได้รับการยอมรับว่าตัวเองร้อนอย่างมีนัยสำคัญเพิ่มอุณหภูมิซอยอุปกรณ์ที่นำไปสู่การสลายตัวของลักษณะอิเล็กทรอนิกส์และความน่าเชื่อถือ อุปกรณ์สูงอุณหภูมิเพิ่มอุณหภูมิเชื่อมต่อระหว่างกันที่อัตราความล้มเหลว, การหน่วงเวลา, ความร้อนจูลและอำนาจการบริโภค ปัญหาเหล่านี้จะต้องมีการพิจารณาในซอยออกแบบชิปในระดับของอุปกรณ์และวงจร. เพราะของเกาะบางและความร้อนต่ำเป็นสื่อกระแสไฟฟ้าBOX การไล่ระดับสีอุณหภูมิในเกาะ [1,2] สูงและไม่สามารถปฏิเสธ อย่างไรก็ตามการศึกษาส่วนใหญ่ของผลกระทบที่ตัวเองให้ความร้อนในอุปกรณ์ซอย / วงจร [3,4] ได้อยู่บนพื้นฐานของสมมติฐานisothermal ในเครื่องช่องทางหรือเกาะบาง ในการศึกษานี้รุ่นความร้อนสำหรับอุปกรณ์ซอยและโครงสร้างการเชื่อมต่อ [2,5,6] จะถูกนำไปใช้ในการดำเนินการจำลองelectrothermal พื้นฐานกระจกในปัจจุบันและโครงสร้างเครื่องขยายเสียงแบบCMOS, การบัญชีสำหรับการไล่ระดับสีอุณหภูมิบนเกาะซิลิกอน. เพื่อให้ถูกต้องอธิบายพฤติกรรม electrothermal ที่รุ่นความร้อนควบคู่ไปกับการไฟฟ้า BSIMSOI รูปแบบในเครื่องเทศ วิธีการนี้จะช่วยให้สมจริงมากขึ้นการกระจายอุณหภูมิและการไหลของความร้อนที่จะเชื่อมต่อกว่าโหนดเดียวBSIMSOI วงจรความร้อน [7] ในนอกจากนี้ในโครงสร้างหลายอุปกรณ์บนเกาะเดียวของโครงสร้างวงจรซอยวิธีการที่นำเสนอสามารถที่จะมีเหตุผลให้ไหลของความร้อนไปยังอาคารผู้โดยสารที่หลากหลายและกระจายตัวของอุณหภูมิในเกาะซิลิกอน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

มันได้รับการยอมรับว่าตนเองอย่างมาก
เพิ่มอุณหภูมิความร้อนอุปกรณ์ซอยที่นำไปสู่การสลายตัวของ
ลักษณะอิเล็กทรอนิกส์และความน่าเชื่อถือ อุณหภูมิสูงอุปกรณ์
3
เพิ่มอุณหภูมิ อัตราการหน่วงเวลาล้มเหลว , ความร้อนจูลและการบริโภคพลังงาน

ปัญหาเหล่านี้ต้องได้รับการพิจารณาในการออกแบบอุปกรณ์และชิปที่ซอย

วงจรระดับเพราะเกาะบางและการนำความร้อนต่ำ LUX
กล่อง อุณหภูมิในเกาะ [ 1 , 2 ] สูง
และไม่สามารถละเว้น อย่างไรก็ตาม การศึกษาส่วนใหญ่ของตนเองความร้อน ผลในอุปกรณ์ /
[ ]
) ซอย 4 มาตั้งสมมุติฐาน อุณหภูมิในเครื่อง
ช่องทาง หรือเกาะบาง การศึกษารูปแบบความร้อนสำหรับอุปกรณ์และเชื่อมโครงสร้างซอย
[ ]
2,5,6ใช้เพื่อแสดงการศึกษาการจำลองพื้นฐาน
ปัจจุบันกระจกและโครงสร้าง CMOS เครื่องขยายเสียง
บัญชีสำหรับอุณหภูมิในเกาะซิลิคอน .
อย่างถูกต้องอธิบายพฤติกรรม electrothermal ,
แบบร้อน จะคู่กับ bsimsoi ไฟฟ้า
รูปแบบในเครื่องเทศ วิธีการนี้จะช่วยให้ข้อมูลเพิ่มเติม และการไหลของความร้อนอุณหภูมิมีเหตุผล

เพื่อเชื่อมกว่าโหนดเดียว bsimsoi ความร้อนวงจร [ 7 ] ใน
นอกจากนี้ในโครงสร้างอุปกรณ์หลายบนเกาะเดียวของ
โครงสร้างวงจรซอย , วิธีการที่เสนอสามารถให้การไหลของความร้อนให้เหมาะสม

การกระจายอุณหภูมิและขั้วต่างๆในซิลิคอนเกาะ