The obtained LOD for Si was 0.1 ugg

The obtained LOD for Si was 0.1 ugg,100 times lower than that obtained by ICP-MS without electrothermal vaporization (ETV)

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ลอดได้รับสำหรับศรีเป็น 0.1 ugg, 100 เท่ากว่าที่รับ โดย ICP MS ไม่กลายเป็นไอ electrothermal (ETV)

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ได้รับ LOD สำหรับศรีเป็น 0.1 ugg, 100 ครั้งต่ำกว่าที่ได้รับจาก ICP-MS โดยไม่ต้องกลายเป็นไอ electrothermal (ETV)

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ค่า LOD ชิ 0.1 Ugg 100 ครั้งกว่าที่ได้จากการระเหย ( ICP-MS ไม่มีการศึกษาสถานีวิทยุโทรทัศน์เพื่อการศึกษา )