The P–N junction characteristic can

The P–N junction characteristic can be demonstrated using the
electrical voltammetry. That is, for a P–N junction sample under
forward bias, the internal electric field facilitates the flow of current,
fering only minimum resistance. However, when it is undereversed bias, the junction becomes a barrier, offering high resistance
current to flow through. Zhang et al. have exerted this concept in
their non-uniform Mn doping in TiO
2

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

สามารถแสดงลักษณะการเชื่อมต่อ P – N โดยใช้การvoltammetry ไฟฟ้า นั่นคือ สำหรับตัวอย่างการเชื่อมต่อ P – N ภายใต้ความโน้มเอียงไปข้างหน้า field ไฟฟ้าภายในอำนวยความสะดวก flow ของปัจจุบันfering ความต้านทานต่ำสุดเท่านั้น อย่างไรก็ตาม มันเป็นความโน้มเอียง undereversed แยกเมื่อ อุปสรรค เสนอความต้านทานสูงปัจจุบันการ flow ผ่าน Al. et จางได้นั่นเองแนวคิดนี้ในMn ไม่สม่ำเสมอของโดปปิงค์ใน TiO2

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ลักษณะทางแยก P-N
สามารถแสดงให้เห็นถึงการใช้ศักย์ไฟฟ้า นั่นคือสำหรับตัวอย่างทางแยก P-N
ภายใต้ความลำเอียงไปข้างหน้าELD สายไฟฟ้าภายในอำนวยความสะดวกในฟลอริด้าของโอ๊ยปัจจุบัน
fering เพียงต้านทานต่ำสุด แต่เมื่อมันเป็นอคติ undereversed,
ทางแยกจะกลายเป็นอุปสรรคที่นำเสนอความต้านทานสูงปัจจุบันชั้นโอ๊ยผ่าน Zhang et al, ได้กระทำแนวคิดนี้ในการเติม Mn ไม่สม่ำเสมอใน TiO 2

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

P - N ลักษณะชุมทางที่สามารถแสดงให้เห็นถึงการใช้
แคทไอออนไฟฟ้า นั่นคือสำหรับ P และ N ชุมทางตัวอย่างภายใต้
ไปข้างหน้าอคติ , ELD ไฟฟ้าจึงอำนวยความสะดวกโอ๊ยflภายในของปัจจุบัน
fering เพียงขั้นต่ำต้านทาน อย่างไรก็ตาม เมื่อมีการ undereversed อคติแยกกลายเป็นอุปสรรคให้
ความต้านทานสูงปัจจุบันflโอ้วผ่าน Zhang et al . ได้ใช้แนวคิดนี้ใน
ของความไม่สม่ำเสมอของ MN ว่าติ๋ว
2