4. Results and discussionA very wel

4. Results and discussion
A very well controlled and understood Si-thermal SiO2 material system was chosen to test performance of the modified PCD method in the measurement of carrier lifetime at the semiconductor– oxide interface. For this purpose clean p-type, 150 mm Si wafers were quartered prior to thermal oxidation and then sections originating from the same wafer were oxidized for different times to the oxide thicknesses of 43 nm, 91 nm, and 280 nm. According to the laws of thermal oxidation of silicon the resulting depth of the Si–SiO2 interface was about 20 nm, 42 nm and 129 nm from the wafer surface respectively. Following thermal oxidation, photolithography and etching steps were employed to form contact windows in the SiO2 layer (Fig. 3a). As seen in Fig. 4, the near-surface recombination lifetime increases with oxidation time, i.e. as the Si–SiO2 interface penetrates deeper into silicon, well beyond its initial value of 14.6ls in the case of non-oxidized Si surface (trace A in Fig. 4). The effective carrier lifetime increase, manifesting itself in the increasing decay tail associated with surface recombination [2], reflects decreasing role of surface recombination mostly due to decreasing density of the recombination traps at the Si–SiO2 interface as it is moved deeper intoparts of the wafer unaffectedby surfaceprocessingduring wafer fabrication. A notable change in the shape of PCD curve can be seen when interface depth changes from 20nm (19.4ls, trace B in Fig. 4) to 42 nm (24.0ls, trace C in Fig. 4) indicating penetration of thermal SiO2 beyond the most damaged near-surface regions of Si wafer in the latter case. Thesameexperimentwasperformedusingp-typemulticrystalline (m-c) Si wafers, commonly used in solar cell fabrication, in which either front or back surfaces were polished. The results shown by trace A in Fig. 5 (seff = 4.8ls) indicate heavily damaged by sawing Si surface affecting the minority carrier lifetime

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

4. ผล และการสนทนาA very well controlled and understood Si-thermal SiO2 material system was chosen to test performance of the modified PCD method in the measurement of carrier lifetime at the semiconductor– oxide interface. For this purpose clean p-type, 150 mm Si wafers were quartered prior to thermal oxidation and then sections originating from the same wafer were oxidized for different times to the oxide thicknesses of 43 nm, 91 nm, and 280 nm. According to the laws of thermal oxidation of silicon the resulting depth of the Si–SiO2 interface was about 20 nm, 42 nm and 129 nm from the wafer surface respectively. Following thermal oxidation, photolithography and etching steps were employed to form contact windows in the SiO2 layer (Fig. 3a). As seen in Fig. 4, the near-surface recombination lifetime increases with oxidation time, i.e. as the Si–SiO2 interface penetrates deeper into silicon, well beyond its initial value of 14.6ls in the case of non-oxidized Si surface (trace A in Fig. 4). The effective carrier lifetime increase, manifesting itself in the increasing decay tail associated with surface recombination [2], reflects decreasing role of surface recombination mostly due to decreasing density of the recombination traps at the Si–SiO2 interface as it is moved deeper intoparts of the wafer unaffectedby surfaceprocessingduring wafer fabrication. A notable change in the shape of PCD curve can be seen when interface depth changes from 20nm (19.4ls, trace B in Fig. 4) to 42 nm (24.0ls, trace C in Fig. 4) indicating penetration of thermal SiO2 beyond the most damaged near-surface regions of Si wafer in the latter case. Thesameexperimentwasperformedusingp-typemulticrystalline (m-c) Si wafers, commonly used in solar cell fabrication, in which either front or back surfaces were polished. The results shown by trace A in Fig. 5 (seff = 4.8ls) indicate heavily damaged by sawing Si surface affecting the minority carrier lifetime

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

4.
ผลและการอภิปรายที่ควบคุมได้เป็นอย่างดีและเข้าใจSi-ระบบระบายความร้อนของวัสดุ SiO2 ได้รับการคัดเลือกในการทดสอบประสิทธิภาพการทำงานของไฟ Modi เอ็ดวิธีการที่กรมควบคุมมลพิษในการวัดอายุการใช้งานของผู้ให้บริการที่อินเตอร์เฟซออกไซด์ semiconductor- เพื่อประโยชน์ในการทำความสะอาดชนิดพีนี้ 150 มิลลิเมตรศรีเวเฟอร์ถูกเยอรมันก่อนที่จะมีความร้อนและการเกิดออกซิเดชันแล้วส่วนที่มาจากเวเฟอร์เดียวกันถูกออกซิไดซ์สำหรับเวลาที่แตกต่างกันกับความหนาออกไซด์ 43 นาโนเมตร 91 นาโนเมตรและ 280 นาโนเมตร ตามกฎหมายของการเกิดออกซิเดชันความร้อนของซิลิกอนที่ระดับความลึกที่เกิดจากศรี-SiO2 อินเตอร์เฟซที่เป็นประมาณ 20 นาโนเมตร 42 นาโนเมตรและ 129 นาโนเมตรจากพื้นผิวเวเฟอร์ตามลำดับ ต่อไปนี้การเกิดออกซิเดชันความร้อน photolithography และขั้นตอนการแกะสลักเป็นลูกจ้างในรูปแบบหน้าต่างติดต่อในชั้น SiO2 (รูป. 3a) เท่าที่เห็นในรูป 4 รวมตัวกันอีกที่อยู่ใกล้พื้นผิวการเพิ่มขึ้นของอายุการใช้งานที่มีเวลาการเกิดออกซิเดชันเช่นเป็นอินเตอร์เฟซ Si-SiO2 แทรกซึมลึกเข้าไปในซิลิกอนดีกว่าค่าเริ่มต้นของ 14.6ls ในกรณีของพื้นผิวสีที่ไม่ได้ออกซิไดซ์ (ร่องรอยในรูปที่. 4) . การเพิ่มขึ้นของอายุการใช้งานของผู้ให้บริการที่มีประสิทธิภาพการเผยแสดงตัวเองในหางสลายตัวเพิ่มขึ้นที่เกี่ยวข้องกับการรวมตัวกันอีกพื้นผิว [2] อีกครั้ง ECTS ชั้นลดลงบทบาทของการรวมตัวกันอีกพื้นผิวส่วนใหญ่เกิดจากการลดลงของความหนาแน่นของกับดักการรวมตัวกันที่อินเตอร์เฟซ Si-SiO2 ในขณะที่มันจะถูกย้าย intoparts ลึกของ เวเฟอร์ unaffectedby ผลิตเวเฟอร์ surfaceprocessingduring การเปลี่ยนแปลงที่โดดเด่นในรูปร่างของเส้นโค้งที่กรมควบคุมมลพิษสามารถมองเห็นได้เมื่อมีการเปลี่ยนแปลงอินเตอร์เฟซที่ความลึกจาก 20nm (19.4ls ร่องรอย B ในรูปที่. 4) 42 นาโนเมตร (24.0ls ร่องรอยซีในรูปที่. 4) แสดงให้เห็นการรุกของ SiO2 ความร้อนเกิน ได้รับความเสียหายมากที่สุดในภูมิภาคที่อยู่ใกล้พื้นผิวของแผ่นเวเฟอร์ศรีในกรณีหลังนี้ Thesameexperimentwasperformedusingp-typemulticrystalline (MC) เวเฟอร์ศรีที่ใช้กันทั่วไปในการผลิตเซลล์แสงอาทิตย์ซึ่งในทั้งด้านหน้าหรือด้านหลังเป็นพื้นผิวขัด ผลแสดงให้เห็นร่องรอยในรูป 5 (seff = 4.8ls) ระบุว่าได้รับความเสียหายอย่างหนักจากพื้นผิวเลื่อยศรีอายุการใช้งานของผู้ให้บริการที่มีผลต่อชนกลุ่มน้อย

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

4 . ผลและการอภิปราย
มาก ควบคุมได้ดี และเข้าใจระบบความร้อนวัสดุ SiO2 ศรีถูกเลือกเพื่อทดสอบประสิทธิภาพของโมไดจึงเอ็ด PCD วิธีในการวัดพาหะชีวิตที่สารกึ่งตัวนำออกไซด์และอินเตอร์เฟซ สำหรับจุดประสงค์นี้พีสะอาด ,150 มม. ศรีเวเฟอร์เป็นเสี้ยว ก่อนความร้อนออกซิเดชันและส่วนที่มาจากเวเฟอร์เดียวกันถูกจากเพื่อเวลาที่ต่างกันที่ความหนาของออกไซด์ 43 nm , 91 nm และ 280 nm . ตามกฎของการระบายความร้อนของซิลิคอนที่มีความลึกของจังหวัด ( SiO2 อินเตอร์เฟสประมาณ 20 nm , 42 nm และ 129 nm จากพื้นผิวเวเฟอร์ ) ตามสภาวะออกซิเดชัน43 การก้าวและใช้แบบฟอร์ม Windows ที่ติดต่อในชั้นซิลิกอนไดออกไซด์ ( รูปที่ 3 ) ตามที่เห็นในรูปที่ 4 , ใกล้พื้นผิวการอายุการใช้งานเพิ่มขึ้นกับเวลาเกิด เช่น เป็นศรี และ penetrates ลึกเข้าไปในอินเตอร์เฟซ SiO2 ซิลิโคนอย่างดีเกินของค่าเริ่มต้นของ 14.6ls ในกรณีที่ไม่มีออกซิเจนผิวศรี ( ติดตามในรูปที่ 4 ) ผู้ให้บริการที่มีประสิทธิภาพอายุการใช้งานเพิ่มขึ้นจัดเรียงตัวเองในการเกี่ยวข้องกับการสลายหางพื้นผิว [ 2 ] Re flผลการลดบทบาทของพื้นผิวส่วนใหญ่เนื่องจากการลดความหนาแน่นของกับดักที่ศรี ( SiO2 อินเตอร์เฟซเป็นย้าย intoparts ลึกของเวเฟอร์ unaffectedby surfaceprocessingduring ผลิตเวเฟอร์การเปลี่ยนแปลงที่โดดเด่นในรูปร่างของกรมควบคุมมลพิษ โค้ง สามารถเห็นได้เมื่อติดต่อความลึกการเปลี่ยนแปลงจาก 20nm ( 19.4ls ติดตาม B ในรูปที่ 4 ) 42 nm ( 24.0ls ติดตาม C ในรูปที่ 4 ) แสดงการเจาะของ SiO2 ความร้อนเกินที่เสียหายมากที่สุด ใกล้พื้นผิวภูมิภาคของเวเฟอร์ ซี ในกรณีหลัง thesameexperimentwasperformedusingp typemulticrystalline ( m-c ) ศรีเวเฟอร์ , มักใช้ในการผลิตเซลล์แสงอาทิตย์ที่ไม่ว่าจะหน้าหรือหลังพื้นผิวถูกขัด ผลลัพธ์ที่แสดงในรูปที่ 5 ( โดยติดตามเซฟฟ = 4.8ls ) พบเสียหายหนักโดยเลื่อยผิวศรีมีผลต่อพาหะชีวิต