Another important factor which can

Another important factor which can increase the response of 3He detector is the higher probability of photons produced by ionization–excitation processes by electrons, which have passed through the metal cover, to interact with the gas mixture in the 3He detector with its high Kr (Z ¼ 36) content. The absolute dead time in both detectors is smaller when the beta ray source is placed on the base of the detector (parallel irradiation). In this case a fraction of the electrons and/or electrons kinetic energy is absorbed in the dead layer of the gas as they pass through it, before entering the effective volume of the detector. For example, electrons with residual kinetic energy (after penetrating the base) less than 60–70 keV would be totally absorbed in this layer (csda). In addition, photons produced on the cylindrical side of the counter (perpendicular irradiation) have about 1.5 times larger probability of interaction with the gas or the metal cover than the ones produced on the base due to the different geometry factor. Finally, the dead time growth rate, or equivalently the count rate growth, in case of the irradiation performed perpendicularly to the 3He detector axis, is much more rapid, indicating that in this case there is relatively larger number of smaller pulses than in the case of the parallel irradiation, in accordance with the above justification.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

อีกหนึ่งปัจจัยสำคัญที่สามารถเพิ่มการตอบสนองของเครื่องตรวจจับ 3He เป็นโอกาสของโฟตอนที่ผลิต ด้วยกระบวนการไอออไนซ์ – กระตุ้น โดยอิเล็กตรอน ซึ่งได้ผ่านผ่านฝาครอบโลหะ การโต้ตอบกับส่วนผสมของก๊าซในจับ 3He เนื้อหา Kr (Z ¼ 36) สูง เวลาตายแน่นอนในเครื่องตรวจจับทั้งสองมีขนาดเล็กเมื่อแหล่งรังสีเบตาอยู่บนฐานของอุปกรณ์ตรวจจับ (ฉายรังสีขนาน) ในกรณีนี้ ส่วนของอิเล็กตรอนและพลังงานจลน์ของอิเล็กตรอนถูกดูดซึมในชั้นตายของก๊าซพวกเขาผ่านมัน ก่อนเข้าเครื่องตรวจจับระดับประสิทธิภาพ ตัวอย่างเช่น อิเล็กตรอน มีพลังงานจลน์ที่เหลือ (หลังจากเจาะฐาน) น้อยกว่า 60-70 keV จะดูดซึมทั้งหมดในชั้นนี้ (csda) นอกจากนี้ ผลิตด้านทรงกระบอกของตัวนับ (ฉากฉายรังสี) โฟตอนมีเกี่ยวกับ 1.5 เท่าขนาดใหญ่น่าเป็นของการโต้ตอบกับก๊าซหรือฝาครอบโลหะกว่าคนผลิตบนฐานเนื่องจากสัดส่วนเรขาคณิตที่แตกต่างกัน ในที่สุด อัตราการเติบโตของเวลาตาย หรือ equivalently จำนวนอัตราการเจริญเติบโต ในกรณีของการฉายรังสีทำให้ตรวจจับแกน 3He อันเป็นอย่างรวดเร็วมากขึ้น แสดงให้เห็นว่า ในกรณีนี้มีจำนวนค่อนข้างใหญ่ของพัลส์น้อยกว่าในกรณีของการฉายรังสีขนาน ตามเหตุผลข้างต้น

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

อีกหนึ่งปัจจัยสำคัญที่สามารถเพิ่มการตอบสนองของเครื่องตรวจจับ 3HE คือความน่าจะเป็นที่สูงขึ้นของโฟตอนที่ผลิตโดยกระบวนการไอออนไนซ์-กระตุ้นอิเล็กตรอนซึ่งได้ผ่านฝาโลหะที่จะมีปฏิสัมพันธ์กับก๊าซผสมในเครื่องตรวจจับ 3HE มีสูง Kr (Z ¼ 36) เนื้อหา เวลาตายแน่นอนในการตรวจจับทั้งสองมีขนาดเล็กเมื่อแหล่ง ray เบต้าที่วางอยู่บนฐานของเครื่องตรวจจับ (การฉายรังสีขนาน) เดอะ ในกรณีนี้ส่วนของอิเล็กตรอนและ / หรืออิเล็กตรอนพลังงานจลน์ถูกดูดซึมในชั้นตายของก๊าซที่พวกเขาผ่านมันก่อนที่จะป้อนปริมาณที่มีประสิทธิภาพของเครื่องตรวจจับ ยกตัวอย่างเช่นอิเล็กตรอนกับพลังงานจลน์ที่เหลือ (หลังจากการเจาะฐาน) น้อยกว่า 60-70 เคฟจะถูกดูดซึมทั้งหมดในชั้นนี้ (csda) นอกจากนี้โฟตอนการผลิตในด้านรูปทรงกระบอกของเคาน์เตอร์ (ตั้งฉากฉายรังสี) มีประมาณ 1.5 ครั้งใหญ่น่าจะเป็นของการมีปฏิสัมพันธ์กับก๊าซหรือฝาครอบโลหะกว่าคนที่ผลิตบนฐานเนื่องจากปัจจัยรูปทรงเรขาคณิตที่แตกต่างกัน ในที่สุดก็มีอัตราการเติบโตเวลาตายหรือค่าเท่าอัตราการเจริญเติบโตนับในกรณีของการฉายรังสีดำเนินการตั้งฉากกับแกนตรวจจับ 3HE เป็นอย่างรวดเร็วมากขึ้นแสดงให้เห็นว่าในกรณีนี้มีจำนวนค่อนข้างใหญ่ของพัลส์มีขนาดเล็กกว่าในกรณีที่ ของการฉายรังสีขนานสอดคล้องกับเหตุผลดังกล่าวข้างต้น

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

อีกปัจจัยที่สำคัญที่สามารถเพิ่มการตอบสนองของเครื่องตรวจจับ 3he มีความน่าจะเป็นสูงของโฟตอนที่ผลิตโดยกระบวนการกระตุ้นโดยอิเล็กตรอนอิสระ ) ซึ่งได้ผ่านฝาครอบโลหะ เพื่อโต้ตอบกับแก๊สผสมใน 3he ตรวจจับกับ KR สูง ( Z ¼ 36 ) เนื้อหา ซึ่งเวลาที่แน่นอน ทั้งสองตัวมีขนาดเล็กลง เมื่อเบต้าเรย์ที่มาวางอยู่บนฐานของเครื่อง ( รังสีขนาน ) ในกรณีนี้ส่วนของอิเล็กตรอนและ / หรืออิเล็กตรอนพลังงานจลน์ถูกดูดซึมในชั้นตายของก๊าซที่พวกเขาผ่านมันก่อนที่จะป้อนปริมาณที่มีประสิทธิภาพของเครื่องตรวจจับ ตัวอย่างเช่น อิเล็กตรอนที่มีพลังงานจลน์ ( หลังจากเหลือเจาะฐาน ) น้อยกว่า 60 – 70 เคฟก็จะถูกดูดซึมในชั้นนี้ ( CSDA ) นอกจากนี้ โฟตอนผลิตข้างทรงกระบอก เคาน์เตอร์ ( ตั้งฉากกับการฉายรังสี ) มีประมาณ 1.5 เท่า ความน่าจะเป็นของการปฏิสัมพันธ์กับก๊าซหรือโลหะครอบคลุมกว่าคนที่ผลิตบนฐานเนื่องจากปัจจัยทางเรขาคณิตที่แตกต่างกัน สุดท้าย ตายเวลาอัตราการเจริญเติบโตหรือก้องนับอัตราการเจริญเติบโต ในกรณีของการฉายรังสีการยืนอยู่กับ 3he ตรวจจับแกนมากอย่างรวดเร็วมากขึ้น ระบุว่า ในคดีนี้มีจำนวนที่ค่อนข้างใหญ่ของถั่วที่มีขนาดเล็กกว่าในกรณีของการฉายรังสีขนานสอดคล้องกับเหตุผลข้างต้น