In this device, the layout design i

In this device, the layout design is as important as the circuit
design. Fig. 4 is a chip photograph of a prototype device.
While on-chip dissipation is not a major problem, the critical
temperature sensing transistors Q9, QI ~, and QI ~ are located
at the opposite end of the chip from the main power consuming
components Q1, Qz, Q3, Q4, Q,, and Q8. Note that Qg
has eight large rectangular emitters with interdigitated base
stripes. QI ~ is made in the same way with one identical
emitter. (The two unconnected emitters were included for
experimentation with other emitter ratios and current densities.)
Note that the base box and isolation pocket of QI ~ are
identical to those of Q9. This provides first-order cancellation
of leakage currents through these junctions at high
temperatures.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ในอุปกรณ์นี้ การออกแบบโครงร่างสำคัญเป็นวงจรการออกแบบ รูป 4 เป็นภาพถ่ายของอุปกรณ์ต้นแบบชิปในขณะที่กระจายบนชิพไม่ใช่ปัญหาสำคัญ สำคัญอุณหภูมิที่ตรวจวัดทรานซิสเตอร์ Q9 ฉี ~, และฉี ~ อยู่ปลายตรงข้ามของชิปจากหลักใช้องค์ประกอบ Q1, Qz, Q3, Q4, Q,, และ Q8 หมายเหตุที่ศาลาแดงมี emitters แปดสี่เหลี่ยมขนาดใหญ่พร้อมฐาน interdigitatedลาย ชิ ~ ทำในลักษณะเดียวกับหนึ่งเหมือนกันยิง (Emitters กับสองตัวถูกรวมสำหรับทดลอง มีอัตราการยิงและความหนาแน่นของกระแสอื่น ๆ)หมายเหตุที่กระเป๋ากล่องและแยกฐานของ QI ~ มีเหมือนกับคำถาม 9 ให้ยกเลิกการสั่งซื้อครั้งแรกของกระแสรั่วไหลผ่านทางแยกเหล่านี้สูงอุณหภูมิ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ในอุปกรณ์นี้ออกแบบรูปแบบมีความสำคัญเป็นวงจร
การออกแบบ มะเดื่อ. 4 เป็นภาพชิปของอุปกรณ์ต้นแบบ.
ในขณะที่บนชิปกระจายไม่ได้เป็นปัญหาใหญ่ที่สำคัญ
ตรวจวัดอุณหภูมิทรานซิสเตอร์ Q9 ฉี ~ และ QI ~ ตั้งอยู่
ที่ปลายตรงข้ามของชิปจากไฟหลักนาน
ส่วนประกอบ Q1 , Qz, ไตรมาสที่ 3 ไตรมาสที่ 4 Q ,, และ Q8 โปรดทราบว่า Qg
มีแปด emitters สี่เหลี่ยมขนาดใหญ่ที่มีฐาน interdigitated
ลาย QI ~ ทำในลักษณะเดียวกันกับที่เหมือนหนึ่ง
อีซีแอล (ทั้งสอง emitters ไม่เกี่ยวเนื่องกันได้รวมสำหรับ
การทดลองกับอัตราส่วนอีซีแอลอื่น ๆ และมีความหนาแน่นในปัจจุบัน.)
โปรดทราบว่ากล่องฐานและกระเป๋าแยกของชิ ~ เป็น
เหมือนกันกับที่ของ Q9 นี้จะให้ลำดับแรกยกเลิก
การรั่วไหลของกระแสผ่านทางแยกเหล่านี้สูง
อุณหภูมิ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ในอุปกรณ์นี้ รูปแบบการออกแบบเป็นสิ่งสำคัญ เป็นวงจรการออกแบบ รูปที่ 4 เป็นรูปของชิปอุปกรณ์ต้นแบบในขณะที่บนความร้อนไม่ใช่ปัญหาหลัก อย่างมีวิจารณญาณทรานซิสเตอร์ q9 ฉี ~ ตรวจวัดอุณหภูมิ และฉี ~ ตั้งอยู่ปลายตรงข้ามของชิปจากการบริโภคพลังงานหลักส่วนประกอบ qz Q1 Q3 Q4 Q , , , , , และ Q8 . ทราบว่า qgได้แปดใหญ่ emitters ที่มีฐานสี่เหลี่ยมไหลของแก๊สลาย ชิ ~ ก็ทำในลักษณะเดียวกันกับหนึ่งเหมือนกันอีซี . ( สองวุ่นวาย emitters รวมสำหรับการทดลองกับอัตราส่วนอิมิตเตอร์อื่น ๆและความหนาแน่นในปัจจุบัน )หมายเหตุ ฐานกล่องแยกกระเป๋าของชิ ~ คือเหมือนพวก q9 . นี้มีการยกเลิก - ลำดับแรกของการรั่วไหลของกระแสไฟฟ้าผ่านทางแยกเหล่านี้สูงอุณหภูมิ