The first model of the ZnO conducti

The first model of the ZnO conduction mechanism was based on space charge
limited current (SCLC) [55]. Although yielding high coefficients of non-linearity
α [56], this model is inappropriate to ZnO varistors because of the passive role of
the intergranular layer in determining the breakdown voltage [39, 53]. Subsequently,
a simple tunnelling process [39, 47] and a two-step transport mechanism [52] that
consisted of steps of electron hopping [57] and electron tunnelling were suggested.
None of these models could account for the high α observed in ZnO varistors.
Most of the accepted models assume a common description of the band structure in
the vicinity of the intergranular layer region. The potential barrier is assimilated to an
assembly of two back-to-back Schottky junctions. The Schottky emission model [27]
was extended to include thin intergranular layers, electron traps in the intergranular
layer [41] and to consider the depletion regions formed in the ZnO grains [58, 59]. The
parallel currents in the bismuth rich intergranular layer are important when the varistor

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

รุ่นแรกของกลไก ZnO การนำขึ้นอยู่กับค่าใช้จ่ายที่ จำกัด พื้นที่
ปัจจุบัน (SCLC) [55] แม้ว่าผลผลิตสูงค่าสัมประสิทธิ์ของการไม่เชิงเส้นα-
[56] รูปแบบนี้ไม่เหมาะสมที่จะวาริสเตอร์ ZnO เพราะบทบาทของ
ชั้นขอบเกรนในการกำหนดแรงดันไฟฟ้าเสีย [39, 53] ต่อมา
ขั้นตอนการขุดอุโมงค์ง่าย [39,47] และกลไกการขนส่งมีสองขั้นตอน [52] ที่
ประกอบด้วยขั้นตอนของอิเล็กตรอนกระโดด [57] และการขุดอุโมงค์อิเล็กตรอนถูกแนะนำ.
ไม่มีรูปแบบเหล่านี้สามารถบัญชีสำหรับαสูงพบในวาริสเตอร์ ZnO.
ที่สุดของการได้รับการยอมรับ รุ่นที่ถือว่าเป็นคำอธิบายทั่วไปของโครงสร้างวงใน
บริเวณใกล้เคียงของพื้นที่ชั้นตามขอบเกรน อุปสรรคที่อาจเกิดขึ้นคือการหลอมรวมกับ
การชุมนุมของทั้งสองกลับไปกลับแยก Schottky รูปแบบการปล่อย Schottky [27] ​​
ยื่นให้ประกอบด้วยชั้นบาง ๆ ตามขอบเกรนกับดักอิเล็กตรอนในขอบเกรน
ชั้น [41] และภูมิภาคท​​ี่จะต้องพิจารณาการสูญเสียเกิดขึ้นในเมล็ด ZnO [58, 59]
กระแสขนานในชั้นบิสมัทขอบเกรนอุดมไปด้วยมีความสำคัญเมื่อวาริสเตอร์

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

รุ่นแรกของกลไก ZnO จึงเป็นไปตามธรรมเนียมพื้นที่
ปัจจุบันจำกัด (SCLC) [55] แม้ว่าผลผลิตสูงสัมประสิทธิ์ไม่แบบดอกไม้
[56] α รุ่นนี้เหมาะสมกับ ZnO varistors เนื่องจากบทบาทแฝง
ชั้น intergranular ในการกำหนดแรงดันไฟฟ้าชำรุด [39, 53] ในเวลาต่อมา,
ง่าย tunnelling ประมวลผล [39 47] และระบบการส่งข้อมูลสองขั้นตอน [52] ที่
ประกอบด้วยขั้นตอนของอิเล็กตรอนกระโดด [57] และอิเล็กตรอน tunnelling ได้แนะนำได้
โมเดลเหล่านี้ไม่ได้บัญชีสำหรับαสูงสังเกตใน ZnO varistors
ส่วนใหญ่รุ่นยอมรับสมมติคำอธิบายทั่วไปของโครงสร้างวงดนตรีใน
ปริมณฑลภาค intergranular ชั้น อุปสรรคอาจมีขนบธรรมเนียมประเพณีเพื่อการ
แอสเซมบลี junctions Schottky กลับไปกลับสอง แบบจำลองมลพิษ Schottky [27]
ถูกขยายเพื่อรวมบางชั้น intergranular ดักอิเล็กตรอนในการ intergranular
ชั้น [41] และพิจารณาภูมิภาคจนหมดที่เกิดขึ้นในธัญพืช ZnO [58, 59] ใน
ขนานกระแสในชั้น intergranular รวยบิสมัทสำคัญเมื่อวาริสเตอร์

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

รุ่นแรกของกลไกการนำ zno ที่ใช้ในพื้นที่
จำกัด(มหาชน)ในปัจจุบัน( sclc )[ 55 ] แม้ว่าผล coefficients สูงไม่มีความต่อเนื่องเป็นแนวนอน,
กล้อง[ 56 ]รุ่นนี้ไม่เหมาะสมกับตัวต้านทานปรับค่าได้แบบ Metal oxide zno เพราะมีบทบาทสำคัญต่อแบบไม่มีพัดลมของชั้นดี
ซึ่งจะช่วยในการกำหนดรายละเอียดแรงดันไฟฟ้า[ 3953 ] ต่อมา
เรียบง่าย tunnelling กระบวนการ[ 39 ที่47 ]และแบบสองขั้นตอนการขนส่งกลไก[ 52 ]ที่ประกอบด้วย
ซึ่งจะช่วยในขั้นตอนของอิเลคตรอนแบบตื่นตาตื่นใจ[ 57 ]และอิเลคตรอน tunnelling เป็นที่แนะนำ.
ไม่มีของเหล่านี้บางรุ่นไม่สามารถแอคเคาท์สำหรับที่สูงจากโซสังเกตเห็นใน zno ตัวต้านทานปรับค่าได้แบบ Metal oxide .
ส่วนใหญ่ของรุ่นที่ได้รับการยอมรับทั่วไปที่จะต้องเป็นผู้รับผิดชอบรายละเอียดของโครงสร้างที่คลื่นความถี่ใน
ซึ่งจะช่วยให้พื้นที่ใกล้เคียงกับของที่ชั้นดีพื้นที่. สิ่งกีดขวางที่อาจเกิดขึ้นได้คือองค์การสันติบาตที่
ตามมาตรฐานชุดของสองทางแยกกลับไป - กลับ schottky . รุ่นการปล่อยคลื่น schottky [ 27 ]
ก็ขยายไปสู่รวมถึงดักจับอิเลคตรอนชั้นดีในบางดี
ชั้น[ 41 ]และการพิจารณาบางพื้นที่ทำให้หมดสิ้นลงได้ในเมล็ดข้าว zno [ 5859 ]
ซึ่งจะช่วยให้กระแสไฟแบบคู่ขนานในชั้นดีที่หลากหลาย Bismuth ที่มีความสำคัญเมื่อ varistor ได้