Ion beambiotechnology has recently

Ion beambiotechnology has recently been rapidly developed [1]. The
technology utilizes ion beams normally at energy as low as an order of
10 keV to irradiate biological organisms to induce mutation and gene
transformation for applications in biology and agriculture [1–3]. In contrast
to plentiful and significant successes in applications, many fundamentals
remain unclear in this subject. For ion beam induction of
mutation, general questions include how DNA inside the cell nucleus is
interacted by the low-energy ions and howDNA is changed by the interaction.
It has been proposed that both direct and indirect effects from ion
beam irradiation are involved in the ion interaction with DNA [1]. Thedirect
effect refers to direct interaction between incident ions and DNA in
terms of atomic collisions and the indirect effects refer to productions
of ion beam induced secondary electrons, X-ray, heat and free radicals,
all ofwhich are potential agents to interactwith DNA to cause certain degree
change in DNA.Wehave focused our interest in the direct effect. Experiments
have observed and investigated abnormal great range and
sputtering of the low-energy ions in biologicalmaterials [1,4], predicting
a small number of incident ions able to penetrate through the materials
that cover the cell nucleus to interact with DNA. In this case, the energy
of the ions must be fairly low. Moreover, energy deposition from
implanted ions, no matter with what energy, dominantly occurs around
the Bragg peak which is immediately before the ion comes to the rest,
and implanting ions recoiled atoms can also interact with DNA. In both
cases, the energy of the interacting ion is low. In order to study the direct
low-energy ion bombardment effect on DNA, we have introduced lowenergy
ion beams or plasma ions to bombard naked plasmid DNA to investigate
relevant effects on DNA conformation change and subsequent
mutation in bacteria [5,6]. The ion energy as low as an order of keV has
been found to be able to induce DNA conformation change from natural
supercoils to relaxed and linear forms and mutation of the DNA transformed
bacteria. In this study we further investigated details of plasma
low-energy ions bombarded extracellular DNA of a smaller plasmid
than that used before with a higher sensitivity to the ion irradiation
and induced mutation of the DNA transformed bacteria. The details included
the relationships between the mutation frequency and the deposited
ion energy, identification of the location of the DNA damage which
should be responsible for the mutation induction and DNA lesion
characteristics.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

Beambiotechnology ไอออนเมื่อเร็ว ๆ นี้ได้พัฒนาอย่างรวดเร็ว [1] ที่เทคโนโลยีใช้คานไอออนปกติที่พลังงานต่ำสุดที่ใบสั่ง10 keV แผ่รังสีสิ่งมีชีวิตชีวภาพเพื่อก่อให้เกิดการกลายพันธุ์และยีนแปลงสำหรับโปรแกรมประยุกต์ในวิชาชีววิทยาและการเกษตร [1-3] ในทางตรงข้ามเพื่อความสำเร็จมากมาย และที่สำคัญในการใช้งาน พื้นฐานหลายยังไม่ชัดเจนในเรื่องนี้ การเหนี่ยวนำคานไอออนของการกลายพันธุ์ รวมคำถามทั่วไปว่าของ DNA ภายในนิวเคลียสเซลล์อาจ โดยการประจุพลังงานต่ำ และมีเปลี่ยน howDNA โดยการโต้ตอบมันได้รับการเสนอชื่อนั้นทั้งทางตรง และทางอ้อมผลกระทบจากไอออนวิธีการฉายรังสีของแสงเกี่ยวข้องในการโต้ตอบของไอออนกับดีเอ็นเอ [1] Thedirectผลหมายถึงการปฏิสัมพันธ์โดยตรงระหว่างกันเหตุการณ์และดีเอ็นเอในเงื่อนไขของอะตอมตามและผลกระทบทางอ้อมหมายถึงการผลิตของไอออน บีมเกิดอิเล็กตรอนรอง เอ็กซ์เรย์ ความร้อน และ อนุมูลอิสระofwhich ทั้งหมดจะเป็นตัวแทน interactwith ดีเอ็นเอทำระดับการเปลี่ยนแปลงในดีเอ็นเอ Wehave เน้นสนใจในผลกระทบโดยตรงของเรา ทดลองมีสังเกต และตรวจสอบช่วงปกติดี และพ่นของประจุพลังงานต่ำ biologicalmaterials [1,4], คาดการณ์จำนวนเหตุการณ์ประจุสามารถทะลุวัสดุขนาดเล็กที่ครอบคลุมนิวเคลียสเซลล์เพื่อโต้ตอบกับดีเอ็นเอ ในกรณีนี้ พลังงานของประจุต้องได้ค่อนข้างน้อย นอกจากนี้ สะสมพลังงานจากตั้งเกิดประจุลิฟต์ สสารไม่ มีพลังงานใด สถานพีค Bragg ที่ทันทีก่อนไอออนมาถึงส่วนเหลือและยังสามารถติดต่อ implanting อะตอม recoiled กันกับดีเอ็นเอ ในทั้งสองกรณี พลังงานของไอออน interacting มีน้อย การศึกษาตรงผลระดมยิงไอออนพลังงานต่ำกับดีเอ็นเอ เรามีแนะนำ lowenergyคานไอออนหรือพลาสมาประจุการ bombard เปลือย plasmid DNA เพื่อตรวจสอบผลกระทบที่เกี่ยวข้อง บนดีเอ็นเอเปลี่ยนแปลง conformation และต่อมาการกลายพันธุ์ในแบคทีเรีย [5,6] พลังงานไอออนต่ำเป็น keV ใบสั่งได้พบว่าสามารถก่อให้เกิดการเปลี่ยนแปลง conformation ของดีเอ็นเอจากธรรมชาติsupercoils จะผ่อนคลาย และเชิงเส้นและการกลายพันธุ์ของดีเอ็นเอเปลี่ยนแบคทีเรีย ในการศึกษานี้ เราเพิ่มเติมตรวจสอบรายละเอียดของพลาสม่าextracellular DNA ของ plasmid ขนาดเล็กระดมยิงประจุพลังงานต่ำกว่าที่ มีความไวสูงเพื่อวิธีการฉายรังสีไอออนและเหนี่ยวนำให้กลายพันธุ์ของดีเอ็นเอที่แปลงแบคทีเรีย รายละเอียดที่อยู่ความสัมพันธ์ระหว่างความถี่ของการกลายพันธุ์และการนำฝากพลังงานไอออน รหัสสถานที่ของดีเอ็นเอเสียหายซึ่งควรจะรับผิดชอบสำหรับการเหนี่ยวนำการกลายพันธุ์และแผลดีเอ็นเอลักษณะการ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ไอออน beambiotechnology เพิ่งได้รับการพัฒนาอย่างรวดเร็ว [1]
เทคโนโลยีใช้ลำแสงไอออนปกติที่ใช้พลังงานต่ำเป็นคำสั่งของ
10 เคฟที่จะฉายรังสีชีวิตทางชีววิทยาที่จะทำให้เกิดการกลายพันธุ์ของยีนและ
การเปลี่ยนแปลงสำหรับการใช้งานในทางชีววิทยาและการเกษตร [1-3] ในทางตรงกันข้าม
การที่ประสบความสำเร็จมากมายและมีความสำคัญในการใช้งานพื้นฐานจำนวนมาก
ยังคงไม่มีความชัดเจนในเรื่องนี้ สำหรับการเหนี่ยวนำลำแสงไอออนของ
การกลายพันธุ์คำถามทั่วไปรวมถึงวิธีดีเอ็นเอภายในนิวเคลียสของเซลล์ที่มี
ความสัมพันธ์โดยไอออนพลังงานต่ำและ howDNA มีการเปลี่ยนแปลงโดยการทำงานร่วมกัน.
จะได้รับการเสนอว่าผลกระทบทั้งทางตรงและทางอ้อมจากไอออน
ฉายลำแสงมีส่วนร่วมใน ปฏิสัมพันธ์กับไอออนดีเอ็นเอ [1] Thedirect
ผลหมายถึงการมีปฏิสัมพันธ์โดยตรงระหว่างไอออนเหตุการณ์ที่เกิดขึ้นและ DNA ใน
แง่ของการชนกันของอะตอมและผลกระทบทางอ้อมอ้างถึงโปรดักชั่น
ของการเหนี่ยวนำให้เกิดลำแสงไอออนอิเล็กตรอนรองเอ็กซ์เรย์ความร้อนและอนุมูลอิสระ
ทุก ofwhich เป็นตัวแทนที่มีศักยภาพเพื่อ interactwith ดีเอ็นเอบางอย่างที่จะทำให้เกิด ระดับ
การเปลี่ยนแปลงใน DNA.Wehave มุ่งเน้นความสนใจของเราในผลกระทบโดยตรง การทดลอง
ได้สังเกตและตรวจสอบช่วงที่ดีผิดปกติและ
สปัตเตอร์ของไอออนพลังงานต่ำใน biologicalmaterials [1,4] ทำนาย
จำนวนเล็ก ๆ ของไอออนเหตุการณ์ที่เกิดขึ้นสามารถที่จะเจาะผ่านวัสดุ
ที่ครอบคลุมนิวเคลียสของเซลล์ในการโต้ตอบกับดีเอ็นเอ ในกรณีนี้การใช้พลังงาน
ของไอออนจะต้องค่อนข้างต่ำ นอกจากนี้ยังมีการสะสมพลังงาน
ไอออนปลูกฝังเรื่องพลังงานกับสิ่งที่ไม่เกิดขึ้นรอบตระหง่าน
ยอดแบร็กซึ่งเป็นไอออนทันทีก่อนที่จะมาถึงส่วนที่เหลือ
และไอออนปลูกฝัง recoiled อะตอมยังสามารถโต้ตอบกับดีเอ็นเอ ในทั้งสอง
กรณีการใช้พลังงานของไอออนมีปฏิสัมพันธ์อยู่ในระดับต่ำ เพื่อการศึกษาโดยตรง
พลังงานต่ำมีผลบังคับใช้ในการโจมตีไอออนดีเอ็นเอเราได้แนะนำ lowenergy
คานไอออนไอออนหรือพลาสม่าถล่มพลาสมิดดีเอ็นเอเปลือยกายในการตรวจสอบ
ผลกระทบที่เกี่ยวข้องกับการเปลี่ยนแปลงโครงสร้างดีเอ็นเอและต่อมา
กลายพันธุ์ในเชื้อแบคทีเรีย [5,6] ไอออนพลังงานต่ำเป็นคำสั่งของเคฟได้
รับพบว่ามีความสามารถที่จะทำให้เกิดการเปลี่ยนแปลงโครงสร้างดีเอ็นเอจากธรรมชาติ
supercoils รูปแบบที่ผ่อนคลายและเป็นเชิงเส้นและการกลายพันธุ์ของดีเอ็นเอเปลี่ยน
แบคทีเรีย ในการศึกษานี้เรายังตรวจสอบรายละเอียดของพลาสม่า
ไอออนพลังงานต่ำถล่มดีเอ็นเอของสารพลาสมิดที่มีขนาดเล็ก
กว่าที่ใช้มาก่อนด้วยความไวแสงที่สูงขึ้นเพื่อฉายรังสีไอออน
และเหนี่ยวนำให้เกิดการกลายพันธุ์ของเชื้อแบคทีเรียที่เปลี่ยนดีเอ็นเอ รายละเอียดรวมถึง
ความสัมพันธ์ระหว่างความถี่การกลายพันธุ์และฝาก
พลังงานไอออนบัตรประจำตัวของสถานที่ตั้งของความเสียหายของดีเอ็นเอที่
ควรจะรับผิดชอบในการชักนำการกลายพันธุ์และดีเอ็นเอแผล
ลักษณะ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

รายละเอียด beambiotechnology เมื่อเร็ว ๆ นี้ได้รับการพัฒนาอย่างรวดเร็ว [ 1 ]
เทคโนโลยีไอออนปกติที่ใช้คานพลังงานน้อยเป็นลำดับ
10 เคฟเพื่อการฉายรังสีเพื่อก่อให้เกิดการกลายพันธุ์ของยีนของสิ่งมีชีวิตทางชีวภาพและการเปลี่ยนแปลงสำหรับการใช้งาน
ในชีววิทยาและการเกษตร [ 1 - 1 ] ในทางตรงกันข้าม
จะอุดมสมบูรณ์และความสำเร็จที่สำคัญการใช้งานหลายพื้นฐาน
ยังคงไม่ชัดเจนในเรื่องนี้การชักนำให้เกิดการกลายพันธุ์ในลำแสงไอออน
คำถามทั่วไปรวมถึงวิธี DNA ภายในเซลล์นิวเคลียส
ตอบโต้โดยประหยัดพลังงานไอออน และ howdna ถูกเปลี่ยนโดยการปฏิสัมพันธ์ .
ก็มีการเสนอว่า ทั้งทางตรงและทางอ้อมจากการฉายรังสีไอออนไอออน
มีส่วนร่วมในการมีปฏิสัมพันธ์กับดีเอ็นเอ [ 1 ] ผลโดยตรง Direct หมายถึง ปฏิสัมพันธ์ระหว่างไอออนและดีเอ็นเอใน
เหตุการณ์แง่ของการชนกันของอะตอมและผลกระทบทางอ้อม หมายถึงการผลิต
ของลำแสงไอออนเกิดอิเล็กตรอนทุติยภูมิรังสี ความร้อน และสารอนุมูลอิสระ ซึ่งเป็นศักยภาพของตัวแทนทั้งหมด

interactwith ดีเอ็นเอเพื่อทำให้เกิดการเปลี่ยนแปลงบางอย่างในระดับดีเอ็นเอ เรามุ่งเน้นความสนใจของเราในผลโดยตรง การทดลอง
สังเกตและตรวจสอบช่วงที่ดีผิดปกติและ
สปัตเตอร์อิเลิน biologicalmaterials [ 1 , 4 ] ทำนาย
จำนวนน้อยของไอออนนั้นสามารถทะลุผ่านวัสดุ
ที่ครอบคลุมพรึบพรับปฏิสัมพันธ์กับดีเอ็นเอ ในกรณีนี้ พลังงาน
ของไอออนต้องต่ำอย่างเป็นธรรม นอกจากนี้ พลังงานสะสมจาก
ฝังไอออน ไม่ว่าพลังงานอะไร โดยเกิดขึ้นรอบ
การเบรกสูงสุดซึ่งทันทีก่อนที่ไอออนมาพักผ่อนและความหนาอะตอม
การปลูกฝังไอออนจะสามารถโต้ตอบกับดีเอ็นเอ ทั้ง
กรณี ของการโต้ตอบไอออนพลังงานต่ำ เพื่อศึกษาโดยตรง
ไอออนพลังงานต่ำ - โจมตีมีผลต่อดีเอ็นเอ ก็แนะนำ lowenergy
ไอออนพลาสมาไอออนเพื่อระดมยิงคานหรือพลาสมิดดีเอ็นเอตรวจสอบ
เปลือยผลกระทบที่เกี่ยวข้องในการเปลี่ยนแปลงโครงสร้างดีเอ็นเอและต่อมา
การกลายพันธุ์ในแบคทีเรีย [ 5 , 6 ] พลังงานไอออนเป็นต่ำเป็นคำสั่งของเคฟได้
ได้รับพบว่าสามารถชักนำให้เปลี่ยนแปลงโครงสร้างดีเอ็นเอจากธรรมชาติ
supercoils เพื่อผ่อนคลายและเส้นและรูปแบบการกลายพันธุ์ของดีเอ็นเอเปลี่ยน
แบคทีเรีย ในการศึกษานี้ได้ศึกษารายละเอียดของพลาสมา
เราเพิ่มเติมไอออนพลังงานต่ำระดมยิง และ DNA ของพลาสมิดที่มีขนาดเล็กกว่าที่เคยใช้มาก่อนด้วย

ความไวสูงกว่ารังสีไอออน และการชักนำให้เกิดการกลายพันธุ์ของดีเอ็นเอเปลี่ยนแบคทีเรีย รายละเอียด รวม
ความสัมพันธ์ระหว่างการกลายพันธุ์ความถี่และฝาก
ไอออนพลังงาน การกำหนดสถานที่ตั้งของความเสียหายของดีเอ็นเอซึ่ง
ควรรับผิดชอบในการชักนำการกลายพันธุ์และลักษณะแผล
ดีเอ็นเอ