Semiconductor devices have been fab

Semiconductor devices have been fabricated from a large number of alloys of the groups 3 and 5 element, but the heaviest element in these groups, thallium and bismuth, have largely been neglected.
These element are difficult to incorporate into the lattice due to their large size and tendency to surface segregate.
This tendency to surface segregate has made bismuth a useful surfactant during the growth of other 3 / 5 semiconductor materials.

Incorporation of small amounts of bismuth produces a large reduction in the bandgap of GaAs.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำมีการประดิษฐ์จากโลหะผสมของธาตุกลุ่มที่ 3 และ 5 เป็นจำนวนมาก แต่องค์ประกอบหนักที่สุดในกลุ่มเหล่านี้ แทลเลียมและบิสมัท ส่วนใหญ่ได้รับอันตรายองค์ประกอบเหล่านี้ยากที่จะรวมเข้าไปในตาข่ายเนื่องจากการขนาดใหญ่ และแนวโน้มที่จะผิวแยกแนวโน้มนี้จะแยกพื้นผิวทำบิสมัทแรงตึงผิวมีประโยชน์ในระหว่างการเจริญเติบโตอื่น ๆ 3 / 5 วัสดุสารกึ่งตัวนำรวมตัวกันของของบิสมัทผลิต bandgap ลดขนาดใหญ่ของ GaAs

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

อุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ได้รับการประดิษฐ์จากจำนวนมากของโลหะผสมของกลุ่ม 3 และ 5 องค์ประกอบ แต่องค์ประกอบที่หนักที่สุดในกลุ่มเหล่านี้แทลเลียมและบิสมัทส่วนใหญ่ได้รับการละเลย.
องค์ประกอบเหล่านี้เป็นเรื่องยากที่จะรวมเข้าไปในตาข่ายเนื่องจากขนาดที่ใหญ่ของพวกเขา และมีแนวโน้มที่จะแยกพื้นผิว.
แนวโน้มนี้ไปยังพื้นผิวแยกได้ทำบิสมัทลดแรงตึงผิวที่มีประโยชน์ในช่วงการเจริญเติบโตของวัสดุ 3/5 เซมิคอนดักเตอร์อื่น ๆ .

รวมตัวกันของจำนวนเงินขนาดเล็กของบิสมัทผลิตลดลงขนาดใหญ่ใน bandgap ของ GaAs

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำได้รับการประดิษฐ์จากตัวเลขขนาดใหญ่ของโลหะผสมของกลุ่ม 3 และ 5 ธาตุ แต่ธาตุที่หนักที่สุดในกลุ่มเหล่านี้ แทลเลียมและ bismuth ได้ไปถูกละเลยไปองค์ประกอบเหล่านี้เป็นเรื่องยากที่จะรวมเป็นตาข่ายเนื่องจากขนาดใหญ่ของพวกเขาและมีแนวโน้มที่จะผิวแตก .แนวโน้มนี้พื้นผิวที่แยกได้เป็นสารบิสมัทเป็นประโยชน์ในระหว่างการเจริญเติบโตของอื่น ๆ 3 / 5 ) วัสดุการรวมตัวกันของจำนวนเงินขนาดเล็กของบิสมัทก่อให้เกิดการลดขนาดใหญ่ใน bandgap 6 .