Adesto’s CBRAM memory is created by

Adesto’s CBRAM memory is created by applying fab-friendly, patented metallization and dielectric stack layers between standard CMOS interconnect metal layers (see Figures 1 and 3). The size of the memory cell is determined by the underlying access transistor. The result is a superior non-volatile memory (NVM) technology with long-term CMOS scalability. CBRAM technology can scale down with today’s CMOS technologies both physically as well as electrically.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

หน่วยความจำ CBRAM ของ Adesto ถูกสร้างขึ้น โดยใช้ metallization fab มิตร จดสิทธิบัตร และกองเป็นฉนวนชั้นระหว่าง CMOS มาตรฐานการเชื่อมต่อโลหะชั้น (ดูตัวเลข 1 และ 3) ขนาดของเซลล์หน่วยความจำจะถูกกำหนด โดยทรานซิสเตอร์เข้ากับต้นแบบ ผลคือ เทคโนโลยีหน่วยความจำไม่ลบดีกว่า (NVM) กับ CMOS ระยะยาวภาระ เทคโนโลยี CBRAM สามารถขนาดลง ด้วยในปัจจุบันเทคโนโลยีทั้งที่ CMOS เป็นทางกายภาพเช่นระบบไฟฟ้า

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

หน่วยความจำ CBRAM Adesto ถูกสร้างขึ้นโดยใช้ Fab มิตร metallization จดสิทธิบัตรและชั้นสแต็คอิเล็กทริกระหว่างมาตรฐานชั้นโลหะ CMOS เชื่อมต่อระหว่างกัน (ดูรูปที่ 1 และ 3) ขนาดของเซลล์หน่วยความจำจะถูกกำหนดโดยทรานซิสเตอร์พื้นฐานของการเข้าถึง ผลที่ได้คือเทคโนโลยีที่เหนือกว่าหน่วยความจำแบบไม่ลบเลือน (NVM) กับระยะยาว CMOS scalability เทคโนโลยี CBRAM สามารถปรับขนาดลงด้วยเทคโนโลยี CMOS วันนี้ทั้งทางร่างกายเช่นเดียวกับไฟฟ้า

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

adesto เป็น cbram หน่วยความจำจะถูกสร้างขึ้นโดยการใช้แฟ๊บ เป็นกันเอง , งานที่จดสิทธิบัตรและชั้นฉนวนระหว่าง CMOS ( กองมาตรฐานชั้นโลหะ ( เห็นตัวเลข 1 และ 3 ) ขนาดของหน่วยความจำที่เซลล์จะถูกกำหนดโดยพื้นฐาน ใช้ทรานซิสเตอร์ ผลที่ได้คือที่เหนือกว่าหน่วยความจำไม่ระเหย ( NVM ) เทคโนโลยีกับระบบ CMOS ในระยะยาว cbram เทคโนโลยีสามารถปรับลงวันนี้ CMOS เทคโนโลยีทั้งทางกายภาพ รวมทั้งไฟฟ้า