The oxynitride formation was observ

The oxynitride formation was observed in InN film deposited by dc reactive magnetron sputtering by post-treatment of these films in N2 [12], and a series of films were obtained with compositions gradually going from as prepared InN (1 0 1) into fully oxidized In2O3 (2 2 2).

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ก่อ oxynitride ถูกสังเกตในฟิล์มอินน์ฝาก โดย dc magnetron ปฏิกิริยาพ่น โดยรักษาหลังของภาพยนตร์เหล่านี้ใน N2 [12], และชุดของภาพยนตร์ได้รับกับองค์ค่อย ๆ ไปจากเป็นอินน์เตรียม (1 0 1) เป็น In2O3 ตกแต่งครบครัน (2 2 2)

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

การก่อ oxynitride พบว่าในภาพยนตร์เรื่อง Inn ฝาก dc ปฏิกิริยาสปัตเตอร์แมกโดยหลังการรักษาของภาพยนตร์เหล่านี้ใน N2 [12] และชุดของภาพยนตร์ที่ได้รับมีองค์ประกอบค่อยๆไปจากที่เตรียม Inn (1 0 1) เป็นออกซิไดซ์อย่างเต็มที่ In2O3 (2 2 2)

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การ oxynitride การพัฒนาพบว่า อินน์ ฟิล์มฝากโดยปฏิกิริยาตรอนสปัตเตอร์ DC โดยการของภาพยนตร์เหล่านี้ใน N2 [ 12 ] และชุดของภาพยนตร์ได้ค่อยๆไปจากองค์ประกอบตามที่เตรียมไว้ อินน์ ( 1 0 1 ) สลายตัวไปแล้ว In2O3 ( 2 2 2 )