The structural and electrical chara

The structural and electrical characteristics of in-situ nitrogen-incorporated plasma enhanced atomic
layer deposition (PE-ALD) HfOxNy thin films using NH3 and N2 plasmas as reactants were
comparatively studied. The HfOxNy test structures prepared using NH3 and N2 plasmas were

* Corresponding author.
E-mail mail: [e-mail] (I. Yun)
1 These authors contributed equally to this work.Page 2 of 19
Accepted Manuscript
2
analyzed by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), X-ray diffraction (XRD), and high resolution
transmission electron microscopy (HR-TEM) to investigate the chemical composition, crystallinity,
and cross-sectional layers including the interfacial layer, respectively. By utilizing NH3 and N2
plasmas, the nitrogen-incorporated HfOxNy thin films fabricated by in-situ PE-ALD showed a high
dielectric constant and thermal stability, which suppresses the interfacial layer and increases the
crystallization temperature. The high leakage current densities of the HfOxNy thin film test structures
fabricated using NH3 and N2 plasmas caused by lowering the energy bandgap and band offset are
related to the Hf-N bond ratio and dielectric constant.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ลักษณะโครงสร้าง และไฟฟ้าของพลาสม่าในการวิเคราะห์รวมไนโตรเจนอะตอมเพิ่มขึ้นชั้นสะสม (PE-ALD) HfOxNy ฟิล์มบางโดยใช้ plasmas NH3 และ N2 เป็น reactants ได้เรียนดีอย่างหนึ่ง มีโครงสร้างทดสอบ HfOxNy ใช้ plasmas NH3 และ N2* ผู้สอดคล้องกันอีเมล์: [e-mail] (I. ยุ)1 ผู้เขียนนี้เท่า ๆ กันส่วนงานนี้ หน้า 2 ของ 19ฉบับที่ยอมรับ2วิเคราะห์ โดยเอกซเรย์ photoelectron ก (XPS), เอกซเรย์การเลี้ยวเบน (XRD), และความละเอียดสูงส่งอิเล็กตรอน microscopy (HR-ยการ) การตรวจสอบองค์ประกอบทางเคมี crystallinityและชั้นของเหลวรวมทั้งชั้น interfacial ตามลำดับ โดยใช้ NH3 และ N2plasmas ไนโตรเจนรวม HfOxNy บางภาพยนตร์หลังสร้าง โดยในซิ PE ALD พบราคาสูงdielectric คงเสถียรภาพความร้อน ที่ไม่ใส่ interfacial ที่ชั้น และเพิ่มการอุณหภูมิการตกผลึก แน่นกระแสรั่วไหลสูงของโครงสร้างทดสอบฟิล์มบาง HfOxNyหลังสร้างใช้ NH3 N2 plasmas เกิดจาก bandgap พลังงานลดลง และอยู่ตรงข้ามวงเกี่ยวข้องกับอัตราส่วนพันธะ Hf N และ dielectric ค่าคง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ลักษณะโครงสร้างและไฟฟ้าในแหล่งกำเนิดไนโตรเจนรวมอยู่พลาสม่าอะตอมเพิ่ม
การสะสมชั้น (PE-ALD) HfOxNy ฟิล์มบางโดยใช้ NH3 และพลาสมา N2 เป็นสารตั้งต้นมี
การศึกษาเปรียบเทียบ โครงสร้างการทดสอบ HfOxNy เตรียมใช้ NH3 และพลาสมา N2 มี* ผู้รับผิดชอบ. อีเมล E-mail: [e-mail] (I. Yun) 1 ต่อไปนี้ผู้เขียนมีส่วนร่วมอย่างเท่าเทียมกันเพื่อ work.Page นี้ 2 19 ได้รับการยอมรับต้นฉบับ2 วิเคราะห์โดย เอ็กซ์เรย์สเปคโทรโฟโตอิเล็กตรอน (XPS), X-ray diffraction (XRD) และความละเอียดสูงกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอน (HR-TEM) เพื่อตรวจสอบองค์ประกอบทางเคมีที่เป็นผลึก, และชั้นตัดรวมทั้งชั้น interfacial ตามลำดับ โดยใช้ NH3 N2 และพลาสม่า, ไนโตรเจนรวมอยู่ HfOxNy ฟิล์มบางประดิษฐ์โดยในแหล่งกำเนิด PE-มรกตแสดงให้เห็นว่าสูงอย่างต่อเนื่องและเป็นฉนวนความร้อนซึ่งยับยั้งชั้นสัมผัสและเพิ่มอุณหภูมิการตกผลึก ความหนาแน่นสูงในปัจจุบันการรั่วซึมของโครงสร้างการทดสอบฟิล์มบาง HfOxNy ประดิษฐ์โดยใช้ NH3 และพลาสมา N2 ที่เกิดจากการลด bandgap พลังงานและวงดนตรีที่ได้รับการชดเชยที่เกี่ยวข้องกับตราสารหนี้อัตราส่วน Hf-N และคงอิเล็กทริก

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

โครงสร้างและคุณลักษณะทางไฟฟ้าของไนโตรเจนรวมพลาสมาอะตอม
ควบคู่การสะสมชั้น ( pe-ald ) hfoxny ฟิล์มบางโดยใช้พลาสมาเป็นก๊าซมี nh3 และ N2
เปรียบเทียบศึกษา การ hfoxny ทดสอบโครงสร้างเตรียมไว้ใช้ nh3 และ N2 พลาสมาถูก

*
e - mail จดหมายที่เขียน [e-mail] ( ฉันยุน )
1 ผู้เขียนเหล่านี้ส่วนเท่า ๆ กัน งานนี้หน้า 2 จาก 19

2
รับต้นฉบับโดยใช้เครื่อง X-ray photoelectron spectroscopy ( XPS ) เครื่อง X-ray diffraction ( XRD ) และการใช้กล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนการส่งความละเอียดสูง ( hr-tem
) เพื่อศึกษาองค์ประกอบทางเคมีของผลึกและแบบรวมชั้น
, ชั้น , ( ตามลำดับ โดยการใช้พลาสมา nh3 และ N2
,ไนโตรเจนรวม hfoxny ฟิล์มประดิษฐ์โดยควบคู่ pe-ald มีสูง
อิเล็กทริกคงที่ความมั่นคงและระบายความร้อน ซึ่งทำให้ชั้นผิวหน้าและเพิ่ม
ตกผลึกที่อุณหภูมิ การรั่วไหลปัจจุบันสูงความหนาแน่นของ hfoxny บางทดสอบฟิล์มโครงสร้าง
ประดิษฐ์โดยใช้ nh3 และ N2 พลาสมาที่เกิดจากการลดพลังงาน bandgap ชดเชยเป็น
และวงดนตรีที่เกี่ยวข้องกับ hf-n และพันธบัตรอัตราคงที่ไดอิ .