In general, the tantalum films dire

In general, the tantalum films directly deposited on Si and SiO substrates in the pure Ar plasma are of high 2 resistivity metastable tetragonal phase (b-Ta) w3–8x.However, the Ta thin film with a phase is more desirable because its smaller resistivity (typically 30 mV cm),compared with that of b-Ta and Ta-based films (more
than 200 mV cm), and its compressive stress w8x.In the recent years, people have been searching harder for the In general, the tantalum films directly deposited on Si
and SiO substrates in the pure Ar plasma are of high 2 resistivity metastable tetragonal phase (b-Ta) w3–8x.However, the Ta thin film with a phase is more desirable
because its smaller resistivity (typically 30 mV cm),compared with that of b-Ta and Ta-based films (more than 200 mV cm), and its compressive stress w8x.In the recent years, people have been searching harder for the However, the Ta thin film with a phase is more desirable because its smaller resistivity (typically 30 mV cm),compared with that of b-Ta and Ta-based films (more than 200 mV cm), and its compressive stress w8x.In the
recent years, people have been searching harder for the

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ทั่วไป ฟิล์มแทนทาลัมฝากโดยตรงบนพื้นผิวสีและ SiO ในพลาสม่า Ar บริสุทธิ์เป็นของสูง 2 ความต้านทานระยะ tetragonal metastable (บีต้า) w3-8 xแต่ ฟิล์มบางตา ด้วยระยะเป็นต้องการมากขึ้นเนื่องจากความต้านทานที่มีขนาดเล็ก (ปกติ 30 mV ซม), เปรียบเทียบกับค่าของ b-ตาและฟิล์มที่ใช้ตา (เพิ่มเติม
กว่า 200 mV ซม), และความเครียด compressive w8xในปีที่ผ่านมา คนมีการหาหนักในทั่วไป ฟิล์มแทนทาลัมฝากโดยตรงบนซี
และ SiO ในพลาสม่า Ar บริสุทธิ์มีของสูง 2 ความต้านทานระยะ tetragonal metastable (บีต้า) w3 – 8 xอย่างไรก็ตาม ฟิล์มบางตา ด้วยระยะจะต้องการมากขึ้น
เนื่องจากความต้านทานที่มีขนาดเล็ก (ปกติ 30 mV ซม), เปรียบเทียบกับค่าของ b-ตาและใช้ตาฟิล์ม (มากกว่า 200 mV ซม), และความเครียด compressive w8xในปีล่าสุด คนมีการหาหนัก However ฟิล์มบางตา ด้วยระยะจะต้องการมากขึ้นเนื่องจากความต้านทานที่มีขนาดเล็ก (ปกติ 30 mV ซม), เทียบกับบีตาตามตาฟิล์ม (มากกว่า 200 mV ซม.), และ w8x ของความเครียด compressiveในการ
ปีล่าสุด คนที่มีการค้นหาหนักสำหรับการ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

โดยทั่วไป , แทนทาลัมภาพยนตร์โดยตรงฝากบนพื้นผิวซิลิกาในพลาสมาและซีอาร์บริสุทธิ์สูง 2 ความต้านทานเมตาสเตเบิลเฟสเตตระโกนอล ( b-ta ) W3 – 8x.however , ทาฟิล์มกับเฟสเป็นที่พึงปรารถนาเพราะมันเล็กลง ความต้านทาน ( ปกติ 30 MV ซม. ) เมื่อเทียบกับที่ของ b-ta TA ใช้ภาพยนตร์ ( และ เพิ่มเติมกว่า 200
MV ซม. ) และแรงอัด w8x ในปีล่าสุดคนได้รับการค้นหาหนักสำหรับทั่วไป แทนทาลัม ภาพยนตร์โดยตรงเงินศรี
และ SiO พื้นผิวในพลาสมา AR บริสุทธิ์สูง 2 ความต้านทานเมตาสเตเบิลเฟสเตตระโกนอล ( b-ta ) W3 – 8x.however , ทาฟิล์มกับเฟสเป็นที่พึงปรารถนา
เพราะมันเล็ก ความต้านทาน ( ปกติ 30 ซม. เทียบ MV ) กับที่ของ b-ta และ TA ใช้ภาพยนตร์ ( มากกว่า 200 เพลง ซม. )และแรงอัด w8x ในปีที่ผ่านมามีคนค้นหาหนักสำหรับอย่างไรก็ตาม ทาบางๆ ฟิล์มกับเฟสเป็นที่พึงปรารถนาเพราะมันเล็กลง ความต้านทาน ( ปกติ 30 MV ซม. ) เมื่อเทียบกับที่ของ b-ta และ TA ใช้ภาพยนตร์ ( มากกว่า 200 เพลงซม. ) และแรงอัด w8x . ใน
ปีล่าสุด มีคนค้นหาหนักสำหรับ