In order to further explain the P-i

In order to further explain the P-i-N diode reverse
recovery process, in Fig.2 DM is the tested device, Vdc is the
bus voltage, vd is the diode voltage, id is the diode current, IL
is the load current, and vce is the collector-emitter voltage of
SM. SM is turned on and off to form the dynamic switching
test for DM. The experimental waveforms of a high power Pi-N
diode at a certain ambient temperature are shown in
Fig.3, along with the corresponding veE waveforms induced
by the reverse recovery current. The complete P-i-N diode
turn-off transition can be divided into four stages as follows:
before time t0, the forward current IL flows though diode DM,
inductor Lload and parasitic inductance Ls1. The power diode
is in the forward biased state with a low on-state voltage
drop. Switch SM is in the turn-off state, while the voltage
across SM is equal to bus voltage Vdc. Switch turn-on is
initiated by applying gate voltage.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เพื่ออธิบายเพิ่มเติม ย้อนกลับไดโอด P-i-Nกระบวนการกู้คืน Fig.2 DM เป็นอุปกรณ์ทดสอบ Vdcรถแรง vd คือ แรงดันของไดโอด รหัสคือ ไดโอดปัจจุบัน ILโหลดปัจจุบัน และ vce คือ แรงดันตัวเก็บรวบรวมตัวส่งของเอสเอ็ม SM. เปิด และปิดเพื่อสลับแบบไดนามิกทดสอบสำหรับ DM Waveforms ทดลองพลังงานสูง Pi Nไดโอดที่อุณหภูมิแวดล้อมบางอย่างจะแสดงในเกิด Fig.3, waveforms ฟังสอดคล้องกับโดยกู้กลับที่ปัจจุบัน ไดโอด P-i-N สมบูรณ์เปลี่ยนหันออกสามารถแบ่งออกเป็นสี่ขั้นตอนดังนี้:ก่อนเวลา t0, IL ปัจจุบันไปข้างหน้าไหลแต่ไดโอด DMมือ Lload และเสียงฟู่เหมือนกาฝาก inductance Ls1 ไดโอดกำลังอยู่ในสถานะ biased ไปข้างหน้าด้วยแรงดันในสถานะที่ต่ำหยด สลับ SM อยู่ในสถานะหันออก ในขณะที่แรงดันไฟฟ้าข้าม SM จะเท่ากับ turn-on สวิทช์ Vdc เป็นแรงดันไฟฟ้าของรถเริ่มต้น โดยใช้แรงดันประตู

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เพื่อที่จะอธิบายเพิ่มเติมไดโอด PIN
ย้อนกลับกระบวนการกู้คืนในรูปที่2 DM เป็นอุปกรณ์ทดสอบ Vdc
เป็นแรงดันบัสvd เป็นแรงดันไฟฟ้าไดโอด, รหัสคือไดโอดปัจจุบัน, IL
เป็นภาระในปัจจุบันและ VCE เป็น
แรงดันสะสม-อีซีแอลของเอสเอ็ม เอสเอ็มที่มีการเปิดและปิดในรูปแบบการเปลี่ยนแบบไดนามิกสำหรับการทดสอบ DM
รูปคลื่นทดลองของพลังงานที่สูง Pi-N
ไดโอดที่อุณหภูมิบางอย่างที่แสดงในรูปที่ 3 พร้อมกับรูปคลื่นวีที่สอดคล้องกันเหนี่ยวนำโดยการฟื้นตัวกลับในปัจจุบัน ไดโอด PIN สมบูรณ์การเปลี่ยนแปลงเปิดปิดสามารถแบ่งออกเป็นสี่ขั้นตอนดังต่อไปนี้ก่อนที่จะ t0 เวลาไปข้างหน้าปัจจุบัน IL ไหลแม้ว่าไดโอด DM, Lload เหนี่ยวนำและเหนี่ยวนำปรสิต LS1 ไดโอดอำนาจอยู่ในรัฐลำเอียงไปข้างหน้าด้วยแรงดันต่ำในรัฐลดลง เอสเอ็มสวิทช์อยู่ในสถานะเปิดปิดในขณะที่แรงดันไฟฟ้าทั่วทั้งเอสเอ็มจะมีค่าเท่ากับแรงดันไฟฟ้า Vdc รถบัส สวิทช์เปิดเครื่องขึ้นจะเริ่มต้นโดยการใช้แรงดันไฟฟ้าที่ประตู

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เพื่อที่จะช่วยอธิบาย p-i-n ไดโอดกลับ
กระบวนการกู้คืนใน fig.2 DM คือ ทดสอบอุปกรณ์ VDC เป็น
รถแรงดันของไดโอดแรงดันไฟฟ้าเป็น ID เป็น ไดโอด ปัจจุบัน อิล
เป็นโหลดในปัจจุบัน และเป็นนักสะสม vce อีซีแรงดันไฟฟ้า
SM SM จะเปิดและปิดแบบทดสอบการสลับ
แบบไดนามิกสำหรับโรคเบาหวาน . รูปการทดลองของ pi-n พลังงานสูง
ไดโอดที่บางอุณหภูมิจะแสดงใน
fig.3 พร้อมกับรูปวีที่ชักนำ
โดยย้อนกลับคืนในปัจจุบัน สมบูรณ์ p-i-n ไดโอด
ปิดการเปลี่ยนแปลงสามารถแบ่งออกเป็นสี่ขั้นตอนดังนี้ก่อน t0
เวลาไปข้างหน้าปัจจุบันอิลไหลแม้ว่าไดโอด DM ,
lload ls1 เหนี่ยวตัวเหนี่ยวนำและปรสิต เพาเวอร์ไดโอด
ในรัฐลำเอียงไปข้างหน้ากับต่ำสภาพแรงดัน
ปล่อย สลับ SM อยู่ปิดของรัฐในขณะที่แรงดัน
ข้าม SM จะเท่ากับแรงดันบัส Vdc . สวิตช์เปิด คือ
ริเริ่มโดยใช้แรงดันหลัก