This paper describes a technique fo

This paper describes a technique for fabricating three-dimensional, metallic, pyramidal microstructures with base dimensions of 1−2 µm, wall
thicknesses of ∼100−200 nm, and tip-curvature radius of ∼50 nm. The procedure begins with the fabrication of pyramidal pits in the surface
of an n-doped silicon substrate. An electrically insulating surface layer of SiO2 covers the regions outside the pits. These pits are patterned
using either conventional photolithography or soft lithography and formed by selective anisotropic etching. The resulting topographically
patterned silicon serves as the cathode for the selective electrodeposition of metal in the py

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

บทความนี้อธิบายเทคนิคสำหรับ fabricating สามมิติ โลหะ เสี้ยมฟังก์ ด้วยฐานขนาด 1−2 ไมครอน ผนังความหนาของ ∼100−200 nm และรัศมีความโค้งของคำแนะนำของ ∼50 nm ขั้นตอนการเริ่มต้น ด้วยการผลิตของหลุมเสี้ยมของผิวของพื้นผิวการซิลิคอนเจือ n มีชั้นผิวที่เป็นฉนวนไฟฟ้าของ SiO2 ครอบคลุมภูมิภาคนอกหลุม หลุมเหล่านี้มีลวดลายใช้สร้างลายวงจรด้วยแสงปกติหรือภาพพิมพ์หินอ่อน และเกิดขึ้น โดยเลือกแกะสลักศาตร์ ผล topographicallyซิลิโคนลายทำหน้าที่เป็นแคโทดสำหรับเคลือบงานโลหะใน py

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

กระดาษนี้จะอธิบายเทคนิคสำหรับการผลิตสามมิติโลหะจุลภาคเสี้ยมที่มีขนาดฐานของ 1-2 ไมโครเมตรผนัง
หนา ~100-200 นาโนเมตรและมีรัศมีปลายโค้งของ ~50 นาโนเมตร ขั้นตอนการเริ่มต้นด้วยการผลิตของหลุมเสี้ยมในพื้นผิว
ของ N-เจือสารตั้งต้นซิลิกอน ชั้นพื้นผิวฉนวนไฟฟ้าของ SiO2 ครอบคลุมภูมิภาคนอกหลุม หลุมเหล่านี้จะมีลวดลาย
โดยใช้ photolithography ธรรมดาหรือพิมพ์หินที่อ่อนนุ่มและที่เกิดขึ้นจากการแกะสลัก anisotropic เลือก ส่งผลให้ topographically
ซิลิกอนที่มีลวดลายทำหน้าที่เป็นแคโทดสำหรับอิเล็กโทรเลือกของโลหะใน PY

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

กระดาษนี้จะอธิบายถึงเทคนิค fabricating สามมิติ , โลหะ , และพีระมิดที่มีฐานขนาดของ 1 − 2 µ M , ผนังความหนาของ∼ 100 − 200 nm และปลายรัศมีความโค้งของ∼ 50 nm . ขั้นตอนการเริ่มต้นด้วยการสร้างหลุมเสี้ยมในพื้นผิวของ n-doped ซิลิคอน . ไฟฟ้าฉนวนชั้นพื้นผิวของ SiO2 ที่ครอบคลุมภูมิภาคนอกหลุม หลุมเหล่านี้มีลวดลายใช้แบบธรรมดาหรือรุ่น 43 และนุ่มขึ้น โดยเลือก Anisotropic แกะสลัก . ผล topographicallyลวดลายซิลิคอนทำหน้าที่เป็นแคโทดสำหรับเลือกในขณะที่โลหะใน py