Many studies on the growth of ZnO f

Many studies on the growth of ZnO films have used c-planes [4], [5], [6], [7], [8], [9], [10] and [11], a-planes [12], [13] and [14] and r-planes [15] and [16] sapphire as substrates. However, the heteroepitaxy of ZnO on sapphire presents several problems due to differences in their chemical nature, structure (wurtzite on corundum), and lattice parameters [17

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

หลายการศึกษาการเจริญเติบโตของฟิล์ม ZnO ใช้ c-เครื่องบิน [4], [5], [6], [7], [8], [9], [10] [11], และแบบเครื่องบิน [12], [13] และ [14] และอาร์เครื่องบิน [15] และ [16] แซฟไฟร์เป็นพื้นผิว อย่างไรก็ตาม heteroepitaxy ของ ZnO ในแซฟไฟร์แสดงปัญหาต่าง ๆ เนื่องจากความแตกต่างในธรรมชาติของสารเคมี โครงสร้าง (wurtzite ในคอรันดัม), และพารามิเตอร์ในโครงตาข่ายประกอบ [17

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

การศึกษาจำนวนมากต่อการเจริญเติบโตของฟิล์มซิงค์ออกไซด์ได้ใช้คเครื่องบิน [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] และ [11] ซึ่งเป็นเครื่องบิน [12 ], [13] และ [14] และ R-เครื่องบิน [15] และ [16] ไพลินเป็นสารตั้งต้น อย่างไรก็ตาม heteroepitaxy ของซิงค์ออกไซด์ในไพลินนำเสนอปัญหาหลายประการเนื่องจากความแตกต่างในลักษณะทางเคมีของพวกเขาโครงสร้าง (wurtzite ในคอรันดัม) และพารามิเตอร์ตาข่าย [17

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ศึกษามากมายต่อการเจริญเติบโตของซิงค์ออกไซด์ฟิล์มได้ใช้ c-planes [ 4 ] , [ 5 ] [ 6 ] [ 7 ] [ 8 ] [ 9 ] [ 10 ] และ [ 11 ] a-planes [ 12 ] , [ 13 ] และ [ 14 ] และ r-planes [ 15 ] และ [ 16 ] ไพลินเป็นท อย่างไรก็ตาม heteroepitaxy ของ ZnO ในแซฟไฟร์เสนอปัญหาต่าง ๆเนื่องจากความแตกต่างในธรรมชาติทางเคมีของพวกเขา โครงสร้าง ( wurtzite ในพลอยคอรันดัม ) และพารามิเตอร์ [ 17 ตาราง